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World File Search System激光源
dsi 的有保证的 pnt (apnt) 峰会
• Vector Atomic 是一家成立 5 年的加州初创公司，专注于原子仪器的应用和商业化 • 原子仪器（例如原子钟）使用原子的共振频率来测量时间，这些共振频率充当时钟的节拍或滴答声 • 传统原子钟基于铯原子簇，当被激光源照射时，它们会发出高频振荡的光 • 基于不同元素的光学时钟（例如左侧显示的 EG-30 设备是碘光学时钟）可以以更高的频率振荡发光，因此提供比传统原子钟更精确的滴答声
1.57 um 高亮度全半导体激光器...
合适的激光源的可用性是未来空间任务的主要挑战之一，以准确测量大气C0 2。欧洲项目的主要目标是证明在综合路径差异吸收（IPDA）激光雷达系统中，将全症状导向器激光源用作太空传播激光发射机的可行性。我们在这里提出了提议的发射器和系统体系结构，初始设备设计以及执行的模拟结果，以估算功率，光束质量和光谱属性的源需求，以实现所需的测量精度。激光发射器基于两个Ingaasp/INP单片主振荡器功率放大器（MOPAS），可提供靠近1.57 URN所选吸收系的ON和OFF波长。每个MOPA都由频率稳定的分布式反馈（DFB）主振荡器，调制器部分和优化的锥形半导体放大器组成，以最大程度地提高光学输出功率。设计符合空间的激光模块的设计包括光束形成光学元件和热电冷却器。建议的系统使用随机调制连续波（RM-CW）方法将常规的脉冲源用调制的连续波源代替，从而使设计的半导体MOPA适用于此类应用。已定义了获得1 ppmv的C0 2检索精度和少于10米的空间分辨率的系统要求。信封表明所需的平均功率是几瓦，主要噪声源是环境噪声。
MicroLED 在汽车领域的变革潜力......
MicroLED 代表着一个令人兴奋的机会，有可能降低超大面积显示器以及一些小面积显示器应用的成本。高能量紫外激光器是降低生产成本、提高产量和改善质量的关键。Coherent 提供多种解决方案，从单一激光源、光学系统到集成系统，用于 MicroLED 制造中的三个重要过程：激光剥离 (LLO)、激光诱导正向转移 (LIFT) 和修复/修整。Coherent 还涵盖了整个 MicroLED 生产链的更多工艺步骤，从超短脉冲激光器的激光切割到二极管激光器的激光辅助键合 (LAB)。
SVLO-ST 激光辐照检测系统，带有...
- 确定水平平面中激光源的方向 - （30±5）°。- 带有Plo st Laser探测器输入窗口的激光脉冲的辐照范围 - 从3·10 -9 J/cm 2到3·10 -5 J/cm 2。- 打开 - 1 s后SVLO-St系统的热身时间。 - 工作温度范围 - 从减去40°到 + 60°。- 在税务模式下24 V的标称电压下的功耗不超过5 W，在手榴弹射击模式下 - 不超过120 W-尺寸：PLO ST - 最大Ø220×160 mm指示和控制面板PU - 最大160×160×130×70mm启动器 - 最大最大280 mm
总部位于华盛顿的小型企业有助于开发
现代化优先级：指示能量（DE）使SBIR颁奖颁奖典礼AF95-109：“ 1-3微米可调二极管泵送固态激光源”（F29601-96-C-0026）海军n99191：“压缩中型中型中型式激光器for Commentermeasure for Commentermeasure N02-139：“用于船舶自卫的高能固态激光（SSL）”（N00178-04-C-3045）军队主题A06-208：“纤维激光光束相结合，以高效效率和轻型HEL Systems和轻型HEL Systems”（W9113M-07-C-0228）（W9113M-07-C-0228）OSD主题OSD TOBILINAL OSD TOBILINAL OSD-D05-D04：（高）高度LASEREARE（ （FA9451-07-C-0005）MDA主题MDA04-005：“提高效率纤维激光模块的光束组合”（N68936-08-C-0049）
课程详细大纲（B.Tech）。计算机学院...
使用数字万用表测量电解槽。使用给定材料作为电容器内部的介电层来测量其介电常数。使用螺线管研究 CRO 上给定铁磁材料的磁滞回线，并计算给定材料的矫顽力、剩磁和饱和磁化强度。使用亥姆霍兹线圈研究磁场叠加的原理。研究非本征半导体样品中的霍尔效应，并确定霍尔系数和多数电荷载流子的密度。借助棱镜和光谱仪测定玻璃的折射率和柯西常数。使用单缝、双缝、圆形光圈和氦氖激光源研究衍射现象。测定线性晶体的比旋光度
关于先进 LDD-IFE 激光驱动器的 IFE 白皮书（最终版）
3. LDD-IFE 技术问题——有几种方法可以提供 LPI 抑制和辐射均匀性所需的带宽。每个激光源可能产生所需的全部带宽、部分带宽或跨越所需光谱的离散波长。宽带非相干系统因过大带宽导致的时间调制而引发激光损伤问题，而宽带频率上转换为紫外波长具有挑战性，因此在离散波长下工作的激光器应该更简单、更有优势，尽管考虑到 IFE 反应堆容器可用立体角的实际限制，可能需要光谱光束组合 [19] 将所有激光辐射传送到目标。基于 OPA 或激光的系统可以为 LDD-IFE 提供所需的宽带放大。
硅光子异质集成的发展与思考
摘要 摘要 集成光子学是下一代信息技术中发展迅速的研究领域，目前的硅光子集成芯片很大程度上受益于现有CMOS工艺的低成本、高密度集成特性，但受限于硅的物理性质，它并不是制作各种光电器件（如激光源、调制器、红外探测器等）的理想材料。因此，异质集成结合CMOS工艺的优势和异质材料体系的优良光电性能，是迈向下一代集成光电子芯片的重要一步。本文介绍了集成光子学在国内外的快速发展，并讨论了该领域的潜在发展方向和机遇。
通过在脉冲激光沉积在Si基板上的脉冲激光层中的稀土掺杂微发射器
稀土发射器已在集成的光学源中研究了一段时间，作为激光源[1]和带有眼镜[2，3]或聚合物[4]的波导放大器。最近，它们被整合到互补的金属氧化物半导体（CMOS）驱动或兼容的SI光子芯片中，作为激光源[5]，放大器[6，7]以及调节剂[8，9]。稀土发射器为开发新的主动光学功能的可能性提供了许多可能性，该功能最初集中于第四组[10]或III-V材料[11，12]。然而，需要在硅平台上的有效掺入（例如粘结[13]，掩盖沉积[5，14]，额外的层[15]或蚀刻[16，17]，需要复杂的处理，这对实际应用可能是昂贵且有害的。尤其是Y 2 O 3和Al 2 O 3矩阵的情况，它需要电感耦合等离子体优化的蚀刻[18-20]。在这项工作中，我们提出了稀土掺杂层微发射体的创新设计，而无需使用升降加工与脉冲激光沉积（PLD）结合使用。在通过掩模（例如g。photoresist）的升降过程中，通过蚀刻的经典结构进行了蚀刻的经典结构，但在升降过程中，将材料与沉积的材料一起清除。这种方法比蚀刻更容易，避免沿蚀刻的侧壁潜在损害。尽管非常有吸引力，但提升过程的主要缺点之一是沉积过程中的底物温度。pld允许克服这种限制。升降处理是薄层图案（例如金属）或较厚层的微电子中常规的，具有低温沉积（如溅射）[21]，原子层[22]或玻璃沉积[23]。的确，如果底物温度高于200°C（即光固定剂的硬烘烤温度），则提升处理不能成功。PLD是一种通常用于