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MoS2堆叠纳米片场效应晶体管的模拟
根据2021年国际器件与系统路线图（IRDS），环栅晶体管（GAA）将从3nm技术节点开始取代FinFET，并应用于1nm技术节点。下一步，尺寸缩小的目标不仅是降低漏电，更重要的是降低功率，而包括三维异质集成在内的三维垂直架构将成为降低功耗的主流技术。要延续摩尔定律，不仅需要通过器件尺寸缩小来提高电路集成度，还需要降低功率和提高开关速度。堆叠式NSFET具有更好的静电完整性、短沟道免疫力，因此具有更好的功率缩放性能，是未来亚3nm技术节点的有希望的候选者[1−3]。
光驱动鳍片场效应晶体管 - OE 期刊
红外探测与现代微电子技术的融合为紧凑型高分辨率红外成像提供了独特的机会。然而，作为现代微电子技术的基石，硅由于其带隙为 1.12 eV，只能探测有限波长范围（< 1100 nm）内的光，这限制了其在红外探测领域的应用。本文提出了一种光驱动鳍片场效应晶体管，它打破了传统硅探测器的光谱响应限制，同时实现了灵敏的红外探测。该装置包括用于电荷传输的鳍状硅通道和用于红外光收集的硫化铅薄膜。硫化铅薄膜包裹硅通道形成“三维”红外敏感栅极，使硫化铅-硅结处产生的光电压能够有效调节通道电导。在室温下，该器件实现了从可见光（635 nm）到短波红外区域（2700 nm）的宽带光电探测，超出了常规铟镓砷和锗探测器的工作范围。此外，它表现出 3.2×10 −12 的低等效噪声功率
2023 年太空威胁评估
太空是这一复杂问题的核心。太空不仅是我们国家实力的基础，进入太空和在该领域自由行动也是美国大国地位的基础。第六版《太空威胁评估》描述了一个正在经历重大而快速转变的领域。太空中的物体数量持续飙升，全球太空经济的价值达到历史最高水平，不幸的是，对太空领域的威胁是真实存在的，令人担忧。在过去的一年半中，定期测试和使用可逆非破坏性能力以及产生碎片场的破坏性试验，危及安全操作并表明该领域的竞争将继续加剧。
一场教育革命正在酝酿？
ChatGPT 的出现揭示了许多学术问题。欺诈和剽窃是否会爆发？学术诚信将会变成什么样？人工智能 (AI) 最终能为学生做所有事情吗？“ChatGPT 非常擅长制作完全虚假的摘要”，Europcar 产品所有者、前记者 Laurence Bekk-Day 于 2023 年 1 月在广播电视网络 BFMTV 的片场说道。然后他挑衅地提到了人工智能写作的“非常巴黎政治学院”和“相当圆滑”的语气，能够重现两部分大纲的辩证法。但他指出，ChatGPT“永远不会比人类更好”。这会让教职员工放心吗？一年多后，紧张局势似乎有所缓解。2024 年 3 月 13 日，一份关于法国人工智能的报告提交给了法国总统。报告的建议包括
没有太空优势，就没有“持久太空优势”
美国缺乏朋友、中立国和敌人都已知的选择，也没有明确的宣示政策，强调美国愿意并有能力在太空中投射武力，以遏制或赢得太空冲突。了解太空正在发生的事情很重要，但不存在归因威慑。美国人知道俄罗斯正在乌克兰境外集结军队，并公开传达了这一信息，但普京仍然入侵了乌克兰。美国正在推动行为规范和禁止破坏性反卫星试验，以减轻长期存在的碎片场的影响，但俄罗斯和中国反对这些努力，并继续几乎每天都在测试、部署和使用其太空部队，正如前太空作战副司令戴维汤普森将军退休前所指出的那样。
太空竞赛
目前，全球太空监测网络只能追踪 10 厘米以上的碎片，绝大多数太空物体都无法追踪。截至 2022 年 12 月，地球轨道上估计有 1.3 亿个物体，其中只有 32,290 个被编入目录。2021 年初，国际空间站 (ISS) 操作员在空间站机械臂上发现了一个由未追踪的碎片造成的大洞，这凸显了这些隐藏物体可能造成的危险。动能反卫星武器有可能产生大量碎片。中国 2007 年的反卫星导弹试验产生了有史以来最大的单次碰撞碎片场，有超过 3,000 块可追踪的碎片。包括国际空间站在内的多艘航天器已进行机动以避开碎片。俄罗斯 2021 年的反卫星导弹试验产生了超过 1,500 块可追踪的轨道碎片和可能数十万个较小的物体。
教育版特别版
鲍伊、霍利菲尔德等。对我来说，拳击手是迄今为止我所认识的最出名的名人。然而，我从未亲眼看过重量级冠军争夺战。那时，这还是一项奢侈的活动。最初，这听起来像是一张亲眼观看泰森比赛的全权通行证，而史黛西实际上会因为参加比赛而获得报酬。真是太好了。真是个幸运的家伙。当我告诉史黛西我有多嫉妒时，他笑着说这会很辛苦。当然，我说他疯了。我真的用了“有趣”这个词。我从来没有做过，但一份肩上的工作能有多难呢？（这是在真人秀这个词出现之前。）我只是把那些人想象成出现在我的片场采访明星并在一个小时后离开的混音师。我一点也不知道。接下来，史黛西打电话给 MTV 制片人，把他的全部工作交给我。我拥抱了 Stacey 以感谢他的善意，然后很快就坐飞机去了拉斯维加斯。这将会非常“有趣”……我被告知要轻装上阵，这简直是自相矛盾
2022 年太空威胁评估
这是第五份也是最新的一份太空威胁评估报告，其内容既不足为奇又令人吃惊——不足为奇之处在于它继续以毫不含糊的清晰度记录太空及其伴随的太空威胁的增长；令人吃惊之处在于，通过一系列单一事件，过去十年左右的形势发展已成为作战焦点。中国曾经是太空竞赛中的事后诸葛亮，去年发射的卫星数量位居世界第一，展示了其通过在轨军事支援能力的增长来投射硬实力和软实力的意图，并且通过从高超音速导弹发射到与其他卫星的共轨会合等反太空演示吸引了我们的注意力和想象力。俄罗斯是太空领域最早的创新者，其直接上升式反卫星试验再次引起了我们的注意，这次试验产生了一个威胁性的碎片场，并在乌克兰造成了明显的 GPS 干扰，表明反太空正在被整合到联合作战中。国际和商业轨道飞行器的激增预示着政府、商业和社会进步的各个方面将进入太空利用的新时代，同时也要求人们关注对太空作为共享环境的负责任的使用。
β‐Ga2O3 纳米片晶体管的欧姆接触形成……
摘要：金属与其导电通道之间的有效欧姆接触是开发高性能Ga 2 O 3 基晶体管的关键步骤。与块体材料不同，退火过程中多余的热能会破坏低维材料本身。考虑到热预算问题，提出了一种可行且温和的解决方案（即含氩气的等离子体处理）来实现与（100）β-Ga 2 O 3 纳米片的有效欧姆结。首次用X射线光电子能谱比较研究了四种等离子体处理（即混合气体SF 6 /Ar，SF 6 /O 2 /Ar，SF 6 /O 2 和Ar）对（100）β-Ga 2 O 3 晶体的影响。通过最佳等离子体预处理（即氩等离子体，100 W，60 s），所得的 β -Ga 2 O 3 纳米片场效应晶体管（FET）无需任何后退火即可表现出有效的欧姆接触（即接触电阻 RC 为 104 Ω·mm），从而可获得具有竞争力的器件性能，例如高电流开/关比（> 10 7 ）、低亚阈值摆幅（ SS ，249 mV/dec）和可接受的场效应迁移率（ µ eff ，~21.73 cm 2 V − 1 s − 1 ）。通过使用重掺杂的 β -Ga 2 O 3 晶体（N e ，~10 20 cm − 3 ）进行氩等离子体处理，接触电阻 RC 可进一步降低至 5.2 Ω·mm。这项工作为增强低维Ga2O3基晶体管的欧姆接触性能开辟了新的机会，并可进一步使其他基于氧化物的纳米器件受益。