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World File Search System物理学界
量子信息物理基础研究进展
F、Plenio MB. 量子演化的纠缠和非马尔可夫性。Phys Rev Lett, 2010, 105: 050403; Breuer HP、Laine EM、Piilo J. 测量开放系统中量子过程的非马尔可夫行为程度。Phys Rev Lett, 2009, 103: 210401 9 Datta A、Shaji A、Caves CM. 量子不和谐与一个量子比特的力量。Phys Rev Lett, 2008, 100: 050502 10 Lanyon BP、Barbieri M、Almeida MP 等。无纠缠的实验量子计算。Phys Rev Lett, 2008, 101: 200501 11 Vedral V. 难以捉摸的加速源。 Found Phys, 2010, 40: 1141 – 1154 12 Shannon C E. 通信的数学理论。Bell Syst Tech J, 1948, 27: 379-423: 623 – 656 13 Groisman B, Popescu S, Winter A. 量子态中的量子、经典和总关联量。Phys Rev A, 2005, 72: 032317 14 Ferraro A, Aolita L, Cavalcanti D, et al. 几乎所有量子态都具有非经典关联。Phys Rev A, 2010, 81: 052318
中国科学技术大学高温超导物理研究新进展
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物理学系（英语名称：Physics and Physical Science）
数学物理学 2 12MATHP502 原子核 2 12PHEPN502 天体物理学 2 12PHAST502 低温物理学 1 12PHCMP502 量子传输物理学 2 12PHAPP504 光学特性 2 12PHOPT502 超导量子物理学 1 12PHQUI502 行星与空间物理学 2 12PHGEO504 生物物理学 2 12PHBCS502
物理年会议程总表Detailed Meeting Agenda
09:30 ～ 09:45 Germar Hoffmann Sunao Shimizu Yu-Wei Chen Ravish Kumar Jain YingLin Li Yu Hung Lin JaYil Lee Yan-Ru Chen Chan-Ching Lien Saikat Karmakar Po-Feng Wu Amar Aryan Chen-Kang Huang Hsin-Yeh Wu Chin-Chia Wu Anli Tsai
氮化镓高电子迁移率晶体管的物理失效分析技术研究进展
Figure 12.1540-MeV 209Bi ion irradiation 1.7 × 10 11 ions/cm 2 TEM images of AlGaN/GaN HEMT devices: (a) Gate region cross-section; (b) The orbital image of the heterojunction region shown in Figure (a); (c) The image shown in Figure (a) has a depth of approximately 500 nm; (d) Traces formed at the drain; (e) As shown in Figure (d), the trajectory appears at a depth of ap- proximately 500 nm [48] 图 12.1540-MeV 209Bi 离子辐照 1.7 × 10 11 ions/cm 2 的 AlGaN/GaN HEMT 器件的 TEM 图像： (a) 栅极区域截面； (b) 图 (a) 所示异质结区域轨道图 像； (c) 图 (a) 所示深度约 500 nm 图像； (d) 在漏极形成的痕迹； (e) 如图 (d) 所示，轨迹出现在深度约 500 nm 处 [48]