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World File Search System电弧放电
计划电力计划投资费用 (EPIC) - PGE
使用原型和分析模型演示了固定式 RF 传感器电网资产健康监测，用于定位恶化的电网资产。 成功演示了现场部署中的 RF 网络监控和 ECCVM 技术，并比较了每种技术的性能和价值 确认了 RF 网络监控技术识别和定位导体损坏、植被侵占和电弧放电情况的能力 演示了 ECCVM 技术识别和分类各种正常和异常电网事件的能力。ECCVM 依靠其他电网传感器信息来确定事件源位置，并且已被证明可以在有效的电网资产健康监测的整体方法中增加价值。 通过每周与各自的技术供应商通话，对分析和解释传感器技术数据有了更深的理解。 确认 RF 网络监控和 ECCVM 技术均可有效应用于降低野火风险。
计划电力计划投资费用 (EPIC) - PGE
使用原型和分析模型演示了固定式 RF 传感器电网资产健康监测，用于定位恶化的电网资产。 成功演示了现场部署中的 RF 网络监控和 ECCVM 技术，并比较了每种技术的性能和价值 确认了 RF 网络监控技术识别和定位导体损坏、植被侵占和电弧放电情况的能力 演示了 ECCVM 技术识别和分类各种正常和异常电网事件的能力。ECCVM 依靠其他电网传感器信息来确定事件源位置，并且已被证明可以在有效的电网资产健康监测的整体方法中增加价值。 通过每周与各自的技术供应商通话，对分析和解释传感器技术数据有了更深的理解。 确认 RF 网络监控和 ECCVM 技术均可有效应用于降低野火风险。
计划电力计划投资费用 (EPIC) - PGE
使用原型和分析模型演示了固定式 RF 传感器电网资产健康监测，用于定位恶化的电网资产。 成功演示了现场部署中的 RF 网络监控和 ECCVM 技术，并比较了每种技术的性能和价值 确认了 RF 网络监控技术识别和定位导体损坏、植被侵占和电弧放电情况的能力 演示了 ECCVM 技术识别和分类各种正常和异常电网事件的能力。ECCVM 依靠其他电网传感器信息来确定事件源位置，并且已被证明可以在有效的电网资产健康监测的整体方法中增加价值。 通过每周与各自的技术供应商通话，对分析和解释传感器技术数据有了更深的理解。 确认 RF 网络监控和 ECCVM 技术均可有效应用于降低野火风险。
计划电力计划投资费用 (EPIC) - PGE
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将废塑料升级改造为混合碳纳米材料
这些一维碳纳米材料包括单壁和多壁碳纳米管（CNT）、带状和板状碳纳米纤维、竹状碳纳米管、杯状堆叠碳纳米纤维等。[7–10] 一维材料广泛应用于复合材料、涂层、传感器、电化学储能和电催化剂，利用其强度、导电性、低密度、宽带电磁吸收、高表面积和化学稳定性。[11–14] 由于其广泛的用途和科学兴趣，找到合成一维碳材料的新方法仍然至关重要。形成一维碳材料的大多数合成策略，包括电弧放电、激光烧蚀、化学气相沉积、等离子炬和高分压一氧化碳，都涉及在催化金属表面移动原料中的碳原子，然后碳原子生长成石墨一维形貌。 [15] 当前的这些方法通常会生成需要分离的一维材料和无定形碳的混合物，而一维材料的合成通常存在生产率低（< 1 gh −1 ）的问题。[16–18]
Atlas V 启动服务用户指南
11 第 3 节 • 更新了表 3.1.1-1：气体调节能力 • 更新了表 3.1.2.1-1 至 3.1.2.1-6：C 波段、S 波段和 FTS 特性 • 更新了图 3.1.2.1-1 400 系列 E 场辐射 • 增加了图 3.1.2.1-2 500 系列 E 场辐射 • 更新了第 3.1.2.3 节发射范围电磁环境 • 更新了图表 3.1.2.3-1 至 -4 最坏情况射频环境 • 更新了图 3.1.2.4-1 E 场对 LV 的冲击 • 第 3.1.2.5.1 节：Centaur 非导电材料包括先前版本的 Centaur 隔热毯和有效载荷整流罩 ESD 部分。• 更新了图 3.1.2.5.2-1：Centaur 上因 ESD 引起的峰值宽带电场发射 • 删除了图 3.1.2.5.2-2 MIL-STD-1541A 电弧放电宽带电场发射 • 将图 3.1.2.5.1-1、3.1.2.5.2-1 和 3.1.2.5.2-2 合并为新的图 3.1.2.5.1-1 Centaur 上的电场发射 • 更新了第 3.2.1 节航天器设计载荷系数 • 更新了第 3.2.2 节声学 • 更新了第 3.2.3 节振动 • 更新了第 3.2.4 节冲击 • 删除了图 3.2.5-1 FMH 通量分布 • 添加了第 3.2.6.1 节静压环境设计注意事项 • 更新了图 3.2.7.7-1 CCAM • 增加了表 3.3-2 SC 结构测试
扶手椅型（7, 7）和锯齿型（12, 0）氮化硼纳米管的光电特性：理论研究
碳纳米管已被广泛研究。它们的直径和手性赋予它们半导体和金属特性，使其在单电子晶体管、气体存储材料和磁制冷机等纳米级器件中具有吸引力 [1]。此外，一些研究集中于氮化硼 (BN) 纳米材料，包括 BN 纳米管、BN 纳米胶囊、BN 纳米颗粒和 BN 簇。BN 纳米管的结构类似于碳纳米管，由交替的硼原子和氮原子组成，它们完全取代石墨状薄片中的碳原子，原子间距变化很小。1981 年，Ishii 等人报道发现了具有竹子状结构的一维氮化硼 (BN) 纳米结构，他们将其称为 BN 晶须 [2]。然而，直到 1994 年，才首次在理论研究中提出了具有完美管状结构的 BN 纳米结构的存在 [3]，之后才于 1995 年通过电弧放电合成。在随后的几年中，大部分研究都集中在合成氮化硼纳米管 (BNNT) 和表征其结构上。近年来，人们对氮化硼纳米管 (BNNT) 的兴趣日益浓厚，因为它们在所有配置中都具有半导体特性，具有较宽的带隙。这些特性使它们特别适合开发紫外发光装置和太阳能电池中的各种应用。此外，它们在极端条件下保持稳定光电特性的能力为新材料开辟了新方向。