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碳纳米管嵌入碳纤维增强聚合物用于空间有效载荷载板
用于太空有效载荷的微波专为各种微波频率而设计。它们还能够承受严苛的太空和发射环境。它们为航天器系统中的组件提供电气接口，确保高可靠性。该封装由许多载板组成，基板附着在其上。载板用作金属载体，以支撑蚀刻微波电路的氧化铝基板。基于 CFRP 的载板的自主开发可能取代标准的基于 Kovar 的载板，以将质量减少六倍并使其比现有拓扑更轻。然而，与 Kovar 材料相比，CFRP 的导电性明显较低。较低的导电性直接影响散热、电磁屏蔽、载流能力和表面处理工艺。为了克服这些问题并获得充分的优势，可以将先进的纳米填料碳纳米管 (CNT) 添加到聚合物中。使用 CNT 复合材料不仅可以减轻重量，还可以改善热参数和电参数。本文概述了增强 CFRP 的热性能和电性能的研究，并有助于设计微波封装组件。挑战在于确定合适的制造技术、工艺参数和 CNT 复合材料的特性。
研究论文 控制能带退化和晶格应变以实现非凡的 PbTe 热电材料
事实证明，最大化能带简并度和最小化声子弛豫时间对于推进热电学是成功的。与单碲化物合金化已被公认为是收敛 PbTe 价带以改善电子性能的有效方法，同时材料的晶格热导率仍有进一步降低的空间。最近有研究表明，声子色散的加宽衡量了声子散射的强度，而晶格位错是通过晶格应变波动实现这种加宽的特别有效的来源。在本研究中，通过精细控制 MnTe 和 EuTe 合金化，由于涉及多个传输带，PbTe 价带边缘附近的电子态密度显著增加，而密集的晶内位错的产生导致声子色散有效加宽，从而缩短声子寿命，这是由于位错的应变波动较大，这已由同步加速器 X 射线衍射证实。电子和热改进的协同作用成功地使平均热电性能系数高于工作温度下 p 型 PbTe 的报道值。
可逆的非易失性电子切换在近房间...
非挥发相变的内存设备利用局部加热来在具有不同电性能的晶体和无定形状态之间切换。扩展这种切换到两个拓扑上不同的阶段需要受控的非易失性切换在两个具有不同对称性的晶体相之间。在这里，我们报告了在两个稳定且密切相关的晶体结构之间的可逆和非挥发性切换的观察，并具有非常不同的电子结构，在近室温的范德华（Van der waals）中，van der waals feromagnet fe 5-Δgete 2。我们表明，通过Fe位置空缺的顺序和无序，可以通过两阶段的晶体对称性来实现开关，这可以通过热退火和淬火方法来控制。这两个阶段是由于在位置排序相中保留的全局反转对称性而存在拓扑结节线的区别，这是由量子破坏性干扰在双位晶格上引起的，而在站点排序相位的反转对称性。
重点介绍了商业SERS底物以及优化的Nanorough大区域SERS传感器：Raman研究
摘要使用带有电热模型的TCAD-Santaurus工具设计和优化了基于GAN纳米线的新垂直晶体管结构。具有准1D漂移区域的研究结构适用于在高度N掺杂的硅底物上与自下而上方法合成的GAN纳米线。对电性能的研究是各种Epi结构参数的函数，包括区域长度和掺杂水平，纳米线直径以及表面状态的影响。结果表明，优化的结构具有正常的阈值模式，其阈值电压高于0.8 V，并且表现出最小化的泄漏电流，州电阻较低，并且最大化的击穿电压。据我们所知，这是对基于GAN的纳米晶体管的首次详尽研究，为科学界提供了宝贵的见解，并有助于更深入地了解GAN NANOWIRE参数对设备性能的影响。据我们所知，这是对基于GAN的纳米晶体管的首次详尽研究，为科学界提供了宝贵的见解，并有助于更深入地了解GAN NANOWIRE参数对设备性能的影响。
基准测试电解质的单层MOS2字段 -
一种非常有前途的原子薄半体导管的材料类是过渡金属二分法元素（TMDC）。该材料类在MX 2（M¼TransitionsMetal;x¼s，se，te）层中具有较强的共价键结晶，但相对较弱，但相对较弱，可以切断大量晶体的单层。由单层制造的设备可以描述为仅接口的设备，并且已经显示了TMDC作为气体传感器的应用。[14]为了能够在高性能的FET应用中使用TMDC，过度出现的主要挑战是这些单层的缺陷控制。[15]两种主要类型的缺陷是晶界，金属或金属葡萄染色体空位。既会降低材料的电性能，但是空缺也为使单层官能化的额外途径开辟了一条额外的途径，可以在传感器应用中进行优势。[16 - 20]最近，已经显示了使用去离子化（DI）水的基于MOS 2的FET装置的运行；但是，使用MOS 2多层。[21,22]这些结果构成了在
元素柜及其设备的最新进展
摘要：信息技术的快速进步增强了人们对互补设备和电路的兴趣。常规的P型半导体通常缺乏足够的电性能，从而促使人们寻找具有高孔迁移率和长期稳定性的新材料。元素柜（TE）具有一维手性原子结构，由于其狭窄的带隙，高孔迁移率和在工业应用中的多功能性，尤其是在电子产品和可再生能源方面，因此出现了有前途的候选人。本评论重点介绍了纳米结构和相关设备的最新进展，重点是合成方法，包括蒸气沉积和水热合成，它们产生了纳米线，纳米棒和其他纳米结构。在光电探测器，气体传感器和能源收集设备中的关键应用被引起了人们的注意，并特别强调了它们在物联网（IoT）框架（IoT）框架中的作用，这是一个快速增长的领域，正在重塑我们的技术环境。也突出显示了基于TE的技术的前景和潜在应用。
稳定且可溶液加工的累积 sp-碳线：有机电子的新范式
推动了大面积柔性和印刷电子领域的发展。这些进步使得大量应用成为可能，例如有机发光二极管[1,2]、有机光伏电池[3,4]、有机热电电池[5,6]、有机场效应晶体管 (OFET)、[7–10] 有机（生物）传感器[11–13] 和神经形态设备。[14,15] 在这方面，有机场效应晶体管 (OFET) 不仅与其直接的技术应用有关，而且还是研究薄膜电性能的理想试验台。有机半导体通常分为两大类，即共轭聚合物和小分子。前者，即聚合物，由于其溶液可加工性而特别具有吸引力，并且已广泛报道了电荷迁移率高于氢化非晶硅标准（0.5–1 cm2V−1s−1）的 OFET。 [16] 后者是小分子，易于排列成有序的分子晶体，经过数年的化学调整和薄膜处理的精细调整，已经实现了场效应迁移率 > 10 cm 2 V − 1 s − 1 的小分子 OFET。[17–19] 这些材料的 π 共轭化学根源与其骨架上碳原子的 sp 2 杂化有关。这种特殊的特性也常见于
高级smc-smc-for-electric-vehicle-battery- ...
薄板模具复合（SMC）材料是由于多种益处而使金属制造电动电池封装结构的潜在替代。[1]首先，SMC过程具有短生产周期时间的优势以及适合各种零件设计的功能。其次，SMC材料具有多种机械性能，密度，热特性，数十年来汽车行业的许多应用中超过金属。最后，与SMC相关的几个特征对电池外壳应用特别有益。像大多数FRP材料一样，SMC具有出色的热绝缘和电性能。先进的低密度SMC技术为OEM的轻度加权要求提供解决方案。与金属的使用相比，使用SMC材料可以降低总质量的20％至50％，而不会牺牲强度和刚度性能。此外，SMC处理可以适应深度绘制的设计并整合复杂的功能，例如附件，密封定位器，端口和插头。因此，SMC工艺的总生产工具成本估计比金属工具成本低25％至75％，因此大大降低了每辆车的总零件成本。
顶层组装工艺及电气性能...
摘要 — 碳纳米材料、石墨烯和碳纳米管 (CNT) 已成为未来先进封装技术集成的有前途的材料。碳纳米材料的主要优点包括出色的电性能、热性能和机械性能。在本文中，成功实现了顶部石墨烯层到原生 CNT 束的转移过程，界面处直接实现石墨烯与 CNT 接触。四点探针 (4PP) I – V 特性表明石墨烯和 CNT 之间实现了欧姆接触。在 90 000 μ m 2 CNT 面积（包括 CNT-石墨烯接触电阻）中获得了 2.1 的低 CNT 凸块电阻，表明在相同的制造和测量条件下 CNT 和 Au 之间的接触电阻降低。这项工作展示了顶部转移石墨烯在碳纳米管上的组装过程以及碳纳米管-石墨烯直接接触的电学特性的初步结果，为实现全碳基三维（3-D）互连铺平了道路。
Wenjun Liu*, Hemei Zheng, Kahwee Ang, Hao Zhang, Huan Liu, Jun Han, Weiguo Liu, Qingqing Sun*, Shijin Ding and David Wei Zhang* Temperature-stable bla
摘要：黑磷（BP）在电子和光电子应用方面表现出巨大的潜力，然而如何保持BP器件在整个温度范围内的稳定性能仍然是一个难题。本文展示了一种在原子层沉积AlN/SiO 2 /Si衬底上制备的新型BP场效应晶体管（FET）。电学测试结果表明，与传统SiO 2 /Si衬底上制备的BP FET相比，AlN衬底上的BP FET具有更优异的电学性能。在77至400 K的温度范围内，它表现出5 × 10 8 的大开关电流比、< 0.26 V/dec的低亚阈值摆幅和1071 cm 2 V −1 s −1的高归一化场效应载流子迁移率。然而，当温度升至400 K时，SiO 2 /Si衬底上的BP FET不再具有这些稳定的电学性能；相反，SiO 2 /Si 衬底上的 BP FET 的电性能却急剧下降。此外，为了从物理上了解 AlN 衬底上 BP FET 的稳定性能，进行了低频噪声分析，结果表明 AlN 薄膜