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World File Search System电感负载
RX-7000PLUS_USER手册CEC列名20241122
逆变器负载输出的负载能力如下：电感负载（例如空调，洗衣机，电机等）。单个最大功率3.5KVA，总电感负载最大功率4.2KVA（带电网）；电容载荷（例如计算机，开关电源等）。总电容载荷的最大功率为3.5kVa（无电网）；总电容载荷的最大功率为4.2KVA（具有电网）。
RX-5000AC _USER手册20230302
逆变器负载输出的负载能力如下：电感负载（例如空调，洗衣机，电机等）。单个最大功率3.5KVA，总电感负载最大功率4.2KVA（带电网）；电容载荷（例如计算机，开关电源等）。总电容载荷的最大功率为3.5kVa（无电网）；总电容载荷的最大功率为4.2KVA（具有电网）。
JST12 系列 12A 双向可控硅描述
JST12 系列三端双向可控硅具有很强的承受大电流冲击负载的能力，提供高 dv/dt 率，具有很强的抗电磁干扰能力。三象限产品具有高换向性能，特别推荐用于电感负载。JST12A 提供额定绝缘电压为 2500V RMS，JST12F 提供额定绝缘电压为 2000V RMS，从所有三个端子到外部散热器
3TT8Z/V/C/J/F/U/S/E/F1
高性能全波交流控制应用，可能发生高静态和动态 dV/dt 和高 dI/dt。特别推荐用于电机控制电路等电感负载。可用的封装有 TO-220 、 TO-220C 、 TO-220S (内部隔离)、 TO-220HF (塑料封装)、 DPAK 、 IPAK 、 TO-263 、 TO-262F 和 TO-220MF-K1。
3TT25Z/C/S/J/F/AB/F1
3TT25Z/C/S/J/F/AB/F1 是玻璃钝化三象限双向晶闸管，专为高性能全波交流控制应用而设计，这些应用可能会出现高静态和动态 dV/dt 和高 dI/dt。它们特别推荐用于电机控制电路等电感负载。可用的封装有 TO-220 、 TO-220C 、 TO-263 、 TO-220S（内部隔离）、 TO-220HF（塑料封装） TO-3PB 和 TO-220MF-K1（塑料封装）。
NSD12416-Q1 - 数据表 (EN) 1.2
NSD12416-Q1 是一款 160mΩ 2 通道低侧开关，具有 48V 钳位电压，适用于汽车应用。它设计用于驱动电阻或电感负载，一侧连接到电池。内部 48V 钳位电路可在关断快速退磁时保护器件免受浪涌能量的影响。通过内部输出电流限制，器件可在过载条件下受到保护。内置热关断可防止芯片过热和短路。内置热摆动机制可限制耗散功率，从而减缓功率积累。热关断具有自动重启功能，可使器件在故障条件消失后立即恢复正常运行。内置诊断功能可通过开漏状态输出引脚指示热关断时的任何故障。该器件的工作环境温度为 –40°C 至 125°C。
2EDL05x06xx 系列 600V 半桥栅极驱动器，带集成自举二极管 (BSD)
图 11 所示的电路描绘了三相逆变器的一条支路；图 12 和 13 显示了 Q1 和 D2 之间电流换向的简化图示。电源电路中从芯片粘合到 PCB 轨道的寄生电感被集中到每个 IGBT 的 LC 和 LE 中。当高端开关打开时，V S1 低于 DC+ 电压，其电压降与电源开关和电路的寄生元件有关。当高端电源开关关闭时，由于连接到 V S1 的电感负载（这些图中未显示负载），负载电流会瞬间流入低端续流二极管。该电流从 DC 总线（连接到 HVIC 的 COM 引脚）流向负载，并在 V S1 和 DC 总线之间产生负电压（即，HVIC 的 COM 引脚的电位高于 VS 引脚）。
NSD12409-Q1 - 数据表 (EN) 1.2
NSD12409-Q1 是一款 90mΩ 2 通道低侧开关，具有 48V 钳位电压，适用于汽车应用。它设计用于驱动电阻或电感负载，一侧连接到电池。内部 48V 钳位电路可在关断快速退磁时保护器件免受浪涌能量的影响。通过内部输出电流限制，器件可在过载条件下受到保护。内置热关断可防止芯片过热和短路。内置热摆动机制可限制耗散功率，从而减缓功率积累。热关断具有自动重启功能，可使器件在故障条件消失后立即恢复正常运行。内置诊断功能可通过开漏状态输出引脚指示热关断时的任何故障。该器件的工作环境温度为 –40°C 至 125°C。
AN1785，ESD 和 EOS 的原因、区别和预防
1.电源电压浪涌超出绝对最大电压范围。2.电路板上的开关电路可能会导致电路板内部出现高压尖峰，并传播到电路板上的其他设备。3.外部连接（例如外部电缆上的电容电荷、天线拾取的外部开关噪声和电感负载）可能会产生电压尖峰。4.由于接地不良导致接地平面上出现过大噪声。5.I/O 切换产生电压过冲或下冲。6.由于电气噪声环境中的屏蔽不良而产生 EMI（电磁干扰）。7.不正确的上电顺序可能会对设备施加非预期的电压水平或极性。8.ESD 事件会导致设备损坏或削弱设备，使其更容易受到未来 EOS 事件的影响。9.如果电流很高或持续时间很长，闩锁事件可能会导致 EOS 损坏。