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零能耗建筑电–氢–热双层能量优化调控方法
零能源建设电力 - 热热双层能量优化控制方法Kong Lingguo 1，Wang Shibo 1，Cai Guowei 1，Liu Chuang 1，Guo Xiaoqiang 2
具有快速关断特性的单通道同步整流控制器
当同步整流管完全开启后， VDS 两端压降完全跟 随次级电流 Is 。随着次级续流电流的减小 VDS 电压升 高，当 VDS 电压增大到 -30mV 时， Gate 驱动电路的 上管供电被关断 , 驱动电压随内部电阻及漏电流开始缓 慢降低；当 VDS 电压增大到 -20mV 时， Gate 驱动电 压会被钳位在 3.3V 左右。如果 VDS 电压增大到 -1mV 时， WS2260C 会在 25ns 的时间内快速将 GATE 电压 拉到 0V 。同时，关断屏蔽时间开始计时，此期间 GATE 保持低电平。直到 VDS 电压大于 2V ，退出关断屏蔽 计时。
32*8 & 24*16 LED 驱动芯片TM1681
TM1681 的系统时钟用来产生系统工作的时钟频率。LED 驱动时钟、系统时钟可以取自片内的 RC 振 荡器（256KHz）或者使用 S/W 设置由外部时钟输入。系统振荡器构造如图7 所示。当SYS DIS 命令被 执行时，系统时钟停止，LED 工作循环将被关闭（这条指令只能适用与片内 RC 振荡器）。一旦系统时 钟停止时，LED 显示为空白，时基也会丧失其功能。LED_OFF 命令用来关闭 LED 工作循环，LED 工作 循环被关闭之后，用 SYS DIS 命令节省电源开支，充当省电命令；如果是片外时钟源被选择的话，使 用 SYS DIS 命令不能够关闭振荡器以及执行省电模式。晶体振荡器可以通过OSC 管脚提供时钟频率， 在这种情况下，系统将不能进入省电模式。在系统上电时，TM1681 默认处在 SYS DIS 状态下。
Silicon N-Channel MOSFET
WSDY06A1Y2N 产品是单节锂离子 / 锂聚合物可充 电电池组保护的高集成度解决方案。 WSDY06A1Y2N 包括了先进的功率 MOSFET ，高精 度的电压检测电路和延时电路。 WSDY06A1Y2N 具有非常小的 SOT-23-5L 封装， 这使得该器件非常适合应用于空间限制得非常小的 可充电电池组应用。 WSDY06A1Y2N 具有过充、过放、过流、短路等所 有电池需要的保护功能，并且工作时功耗非常低。 WSDY06A1Y2N 不仅仅为穿戴设备而设计，也适用 于一切需要锂离子或锂聚合物可充电电池长时间供 电的各种信息产品的应用场合。
高性能多模式数字LLC 控制器
I HV1 (1mA) 。当 V CC 大于 V CC_SCP1 后，高压电流源的 充电电流为 I HV2 (55mA) ， V CC 电压会迅速上升。当 V CC 电压 超过 V CC_ON(18.5V) 时，高压启动电流源关闭。同 时， UVLO 置高有效， IC 内部电路开始工作，系统开 始检测输入是否超过 Brown-in 阈值 V BI ，如果没有超 过，则 V CC 电压在 V CC_ON （ 18.5V ） 和 V CC_OFF （ 12.5V ） 之间来回充放电；如果检测到输入超过 V BI ，则开启高 压启动电流源，直到 V CC 电压达到 V CC_SYSON （ 21V ） ， IC 开始输出驱动。
富满微电子集团股份有限公司
1.充电模式 FM5012D 用线性方式对电池进行涓流 / 恒流 / 恒压三段式充电。当电池电压低于 V TRKL 时进行涓流充 电；当电池电压高于 V TRKL 时进行恒流充电；当电池电压接近 V BAT-REG 时进行恒压充电，此时充电电流 开始逐渐减小，当电流减小到 I FULL 时，判断电池已经充饱，芯片终止充电，待电池电压降低到 V RECHG 后进行再次充电 (Recharge) 。 2.充电软启动功能 当开始给电池充电时，芯片会控制充电电流逐渐增大到设定值，避免了瞬间大电流冲击引起的各种 问题。 3.充电电流设定 充电电流由内部电路设定为恒流 600 mA, 涓流充电为 60mA, I FULL 为 90 mA 可编程设置充饱电压为 500 mA, 涓流充电为 50mA , I FULL 为 75 mA 当输入供电不足或芯片温度过高时， I IN-LIM 会下降。 4.充饱电压设定 FM5012D 芯片默认充饱电压值为 4.20V 可编程设置充饱电压值为 4.35V 5.输入过压保护 输入电压过高，超过 V IN-OVP 时，芯片会控制关闭充电和升压输出，防止芯片和负载因为过压而损 坏，输入电压正常后充电恢复，风扇驱动输出 FAN 不恢复。 6.充电限流保护 当芯片 VIN 端口电压低于 4.7V 时，芯片进入 VIN 限流状态，充电电流逐渐减小，直至到零。 SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP MAX UNITS
高温超导薄膜与超导机理研究
当需要一个低噪声 ，超 稳定 ， 高分辨率的偏置电 压时 ， DC205 是您正确的选择 。 它的双极四象限 输出可提供具微伏分辨率的高达 100 伏电压。其 电流可达 50 mA 。在 4 线模式下 （ 远程感测 ）， 此仪器会校正引线电阻 ， 从而为您的负载提供 准确的电势。 DC205 在 24 小时内的输出稳定性 为出色的 ±1 ppm 。 采用线性电源 ， 用户完全无 需担心高频噪声。
16 bit 模数转换器TM7706 - NET
注释： 1.B 级温度范围为 -40 ℃ ~+85 ℃。 2.这些数据是按最初设计的产品发布的。 3.一次校准实际上是一次转换，因此这些误差就是表 1 和表 3 所示转换噪声的阶数。这 适用于在期望的温度下校准后。 4.任何温度条件下的重新校准将会除去这些漂移误差。 5.正满标度误差包括零标度误差 （ Zero-Scale Error ）（单极性偏移误差或双极性零误 差），且既适用于单极性输入范围又适用于双极性输入范围。 6.满标度漂移包括零标度漂移 （单极性偏移漂移或双极性零漂移）且适用于单极性及 双极性输入范围。 7.增益误差不包括零标度误差，它被计算为满标度误差——对单极性范围为单极性偏移 误差，而对双极性范围为满标度误差——双极性零误差。 8.增益误差漂移不包括单极性偏移漂移和单极性零漂移。当只完成了零标度校准时，增 益误差实际上是器件的漂移量。 9.共模电压范围：模拟输入电压不超过 V DD +30mV ，不低于 GND-30mV 。电压低于 GND-200mV 时，器件功能有效，但在高温时漏电流将增加。 10.这里给出的 AIN （ + ）端的模拟输入电压范围，对 TM7706 而言是指 COMMON 输入 端。输入模拟电压不应超过 V DD +30mV, 不应低于 GND-30mV 。 GND-200mV 的输入 电压也可采用，但高温时漏电流将增加。 11.VREF=REF IN （ + ）－ REF IN （ - ）。 12.只有当加载一个 CMOS 负载时，这些逻辑输出电平才适用于 MCLK OUT 。 13.+25 ℃时测试样品，以保证一致性。 14.校准后，如果模拟输入超过正满标度 , 转换器将输出全 1, 如果模拟输入低于负满标度， 将输出全 0 。 15.在模拟输入端所加校准电压的极限不应超过 V DD +30mV 或负于 GND － 30mV 。 16.当用晶体或陶瓷谐振器作为器件的时钟源时 （通过 MCLK 引脚 ）， V DD 电流和功耗 随晶体和谐振器的类型而变化 （见“时钟和振荡器电路”部分）。 17.在等待模式下，外部的主时钟继续运行， 5V 电压时等待电流增加到 150 μ A ， 3V 电 压时增加到 75 μ A 。当用晶体或陶瓷谐振器作为器件的时钟源时，内部振荡器在等待 模式下继续运行，电源电流功耗随晶体和谐振器的类型而变化 （参看“等待模式” 一节）。 18.在直流状态测量，适用于选定的通频带。 50Hz 时， PSRR 超过 120dB （滤波器陷波 为 25Hz 或 50Hz ）。 60Hz 时， PSRR 超过 120dB （滤波器陷波为 20Hz 或 60Hz ）。 19.PSRR 由增益和 V DD 决定，如下：
电 - ...在...
摘要。交通摄像头的视频供稿对于许多目的都是有用的，其中最关键的是与监视道路安全有关。车辆轨迹是危险行为和交通事故的关键要素。在这方面，至关重要的是要脱离那些异常的车辆轨迹，即偏离通常的路径的轨迹。在这项工作中，提出了一个模型，以使用流量摄像机的视频序列自动解决该模型。该提案通过框架检测车辆，跨帧跟踪其轨迹，估计速度向量，并将其与其他空间相邻轨迹的速度向量进行比较。可以从速度向量的比较中，可以检测到与相邻的trajectories非常不同（异常）的轨迹。实际上，该策略可以检测错误的轨迹中的车辆。模型的某些组成部分是现成的，例如最近深度学习方法提供的检测；但是，考虑了几种不同的选择和分析车辆跟踪。该系统的性能已通过各种真实和合成的交通视频进行了测试。