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World File Search System电流反馈
字母 A 具有低电源电压的 30 Gbps 1.25 pJ/b CMOS 接收器模拟前端
摘要 本文提出了一种30 Gbps 1.25 pJ/b光接收机模拟前端（Rx_AFE），主要由有源电压电流反馈跨阻放大器（AVCF-TIA）和交错有源反馈限幅放大器（LA）组成。通过在所提出的TIA中采用有源电压电流反馈技术，大输入电容得到很好的隔离，而不受低电源电压的限制，并且大大缓解了跨阻增益和输出极点频率之间的直接矛盾。同时，通过在LA设计中采用交错有源反馈技术进一步扩展了带宽。所提出的Rx_AFE采用40 nm bulk-CMOS工艺制造，跨阻增益为63.8 dBΩ，3 dB带宽为24.3 GHz。从电源电压 1.0 V 开始，当运行 30 Gbps PRBS 时，电路的功耗和功率效率分别为 37.5 mW 和 1.25 pJ/b。核心电路占用的芯片面积为 920 µ m × 690 µ m。关键词：光接收器、跨阻放大器 (TIA)、有源电压-电流反馈、交错有源反馈、限幅放大器 (LA)、CMOS。分类：集成电路（存储器、逻辑、模拟、RF、传感器）
字母A 30 Gbps 1.25 pJ/b CMOS接收器模拟前端，低电源电压
摘要 本文提出了一种30 Gbps 1.25 pJ/b光接收机模拟前端(Rx_AFE)，主要由有源电压电流反馈跨阻放大器(AVCF-TIA)和交错有源反馈限幅放大器(LA)组成。通过在所提出的TIA中采用有源电压电流反馈技术，大输入电容得到很好的隔离，而不受低电源电压的限制，并且显著缓解了跨阻增益和输出极点频率之间的直接矛盾。同时，通过在LA设计中采用交错有源反馈技术，带宽进一步扩展。所提出的Rx_AFE采用40 nm bulk-CMOS工艺制造，跨阻增益为63.8 dB Ω，3 dB带宽为24.3 GHz。从电源电压 1.0 V 开始，当运行 30 Gbps PRBS 时，电路的功耗和功率效率分别为 37.5 mW 和 1.25 pJ/b。核心电路占用的芯片面积为 920 µ m × 690 µ m。关键词：光接收器、跨阻放大器 (TIA)、有源电压-电流反馈、交错有源反馈、限幅放大器 (LA)、CMOS 分类：集成电路（存储器、逻辑、模拟、RF、传感器）
线性电子可调正弦振荡器
摘要 介绍了一种线性电子可调正弦振荡器 (LETSO)，它使用电流反馈放大器 (CFA) 和三个接地电容器以及一对匹配的模拟乘法器作为复合有源构建块 (ABB)。该设计产生高 Q 滤波器响应；从而使用短路固有频率 (SCNF) 的概念在 Q~∞ 处实现持续的线性振荡响应。振荡频率 (fo) 可通过乘法器控制电压 (V) 线性调谐。CFA 端口滚降参数和寄生电容的影响可以忽略不计。LETSO 响应范围高达 fo ~ 12MHz，测得的 THD ~ 2% 和线性误差 (∆~ 3.6%) 已通过实验验证。关键词：CFA、SCNF、可变 Q 滤波器、线性 VCO、相位噪声。分类：集成电路
峰值电流模式降压 DC-DC 转换器的精确平均电感电流限制方法
摘要 提出了一种用于峰值电流模式 (PCM) 控制的降压型 DC-DC 转换器的精确可编程平均电感电流限制方法。利用 Gm-C 滤波器检测与电感串联的电流检测电阻上的压降。然后，通过电压-电流 (V2I) 转换器将压降转换为电流信号。转换后的电流信号叠加在误差放大器的输出上，以调节峰值电感电流。降压转换器采用 0.18 µ m BCD 工艺设计。对于 50 m Ω /25 m Ω 的检测电阻，电流限制值分别设计为 1 A/2 A。当等效负载电阻从 10 Ω 变为 2.5 Ω/1.67 Ω 时，仿真结果表明，对于 50 m Ω /25 m Ω 的检测电阻，平均电感电流分别从 500 mA 增加到 0.9 A/1.8 A。关键词：电流限制，平均电感电流反馈，Gm-C滤波器分类：集成电路（模拟）
50 至 150 VIN、28 V 5 A 同步降压转换器 ...
此参考设计是一款 28 V 输出、5 A 同步降压转换器，适用于输入范围为 50 V 至 150 V 的太空应用。TPS7H5001-SP PWM 控制器控制功率级。INA901-SP 感应电感电流并向控制器提供电流反馈，从而实现平均电流模式控制和输出短路保护。如果不需要这些功能，可以移除 INA901-SP，并使用电压模式控制运行 TPS7H5001-SP。TPS7H5001-SP 的可调死区时间允许优化开关 MOSFET 的时序，从而在 100 V 输入下实现超过 94% 的效率，在 50 V 输入下实现超过 96% 的效率。包含一个自偏置电路，可直接从输出为控制电路供电。如果提供外部 12 V 偏置，则可以移除自偏置电路，从而提高效率。