许多研究表明,脉冲激光器和聚焦X射线以类似于重离子的方式产生SEE的能力,同时提供了设备内电荷产生的精致空间和时间控制[9-11]。三种测试方法的电荷产生曲线在轴向和径向尺寸中有所不同。重离子通常在大多数设备尺寸的相关距离上沿轴向方向具有线性电荷产生曲线,其特征是线性能传递(LET)。典型的集中飞秒脉冲激光系统使用光学器件,可产生由高斯两光子吸收(TPA)描述的电荷产生曲线[5,12-15]。我们注意到,最近,美国已经开发了一种光学配置。海军研究实验室(NRL),该实验室使用准贝斯梁来产生扩展的电荷产生曲线[16],这在这项工作中未评估。使用聚焦的皮秒脉冲X射线的新兴技术产生了由Beer定律描述的电荷产生曲线,并随着穿透深度而呈指数降低[17]。这些
在过去的二十年中,巨大的努力一直致力于有机光伏(OPV),这导致了单个连接设备的20%功率转化效率(PCE)的破坏屏障。[1-7]最近,非富烯烯低带隙受体材料(NFA)在其热稳定性上受到了极大的关注,[8,9]广泛的吸收率范围,这会导致有效的太阳光子收获,从而导致高输出电流密度,从而降低了非辐射能量损失,从而降低了非辐射能量,从而提供了高度的能量,并提供了较高的能量水平[11,12]和[11,12]和[11,12]和[11,12]。[5,13,14]从设备的角度来看,增强NF-OPV的光电流和光电压是提高光伏性能的最直接策略。[1]此外,众所周知,供体和受体材料之间的分子方向在电荷转移动力学中起着至关重要的作用。[15]因此,NFA的各向异性结构(例如Y6和Y7)确保了有效的π–π相互作用,该相互作用与调谐相位分离的供体匹配。[16]结果,NF-OPV通过用可忽略的驾驶能量分离激子,证明了有效的能力,相对于使用的供体材料的能级,获得了高PCE。[17,18]因此,这些显着的优势,避免了电压损耗和电荷产生之间的权衡行为,[19]提供无障碍的自由电荷产生,抑制了电荷载体重组以及增强所得设备的电荷迁移率。[5,19,20]
1纳米科学技术中心,奥兰多市中心大学 - 美国佛罗里达州32826。 2 Creol,佛罗里达州中部佛罗里达大学的光学与光子学院,美国佛罗里达州32816,美国。 3佛罗里达州中部佛罗里达大学化学系32816,美国4材料科学与工程系,佛罗里达州中部佛罗里达大学,奥兰多,佛罗里达州,佛罗里达州32816,美国。 5物理系,佛罗里达州中部奥兰多市,佛罗里达州32816,美国。 有机无机卤化物钙钛矿量子点(PQD)构成了用于光电设备应用的吸引人的材料,因为它们的独特特性,例如宽带宽度吸收,高灭绝系数和长的电子孔 - 孔 - 孔 - 孔孔扩散长度。 但是,它们的电荷传输特性不如石墨烯。 另一方面,石墨烯的电荷产生效率太低,无法在许多光电应用中使用。 目前无法使用有效的光生成和快速电荷传输的石墨烯-PQD(G-PQD)上层建筑。 在本文中,我们使用新型缺陷介导的生长机制直接从石墨烯晶格中生长PQD制备的G-PQDS上层结构,展示了超薄的光晶体管和光子突触。 我们的模拟和实验结果表明,从石墨烯晶格中生长的PQD可以提供有效的途径,将光激发电荷直接传输到石墨烯,从而同步有效的电荷产生和在单个平台上同步。 但是,单层的石墨烯仅吸收2.3%的事件可见光11。 这些1纳米科学技术中心,奥兰多市中心大学 - 美国佛罗里达州32826。2 Creol,佛罗里达州中部佛罗里达大学的光学与光子学院,美国佛罗里达州32816,美国。3佛罗里达州中部佛罗里达大学化学系32816,美国4材料科学与工程系,佛罗里达州中部佛罗里达大学,奥兰多,佛罗里达州,佛罗里达州32816,美国。5物理系,佛罗里达州中部奥兰多市,佛罗里达州32816,美国。 有机无机卤化物钙钛矿量子点(PQD)构成了用于光电设备应用的吸引人的材料,因为它们的独特特性,例如宽带宽度吸收,高灭绝系数和长的电子孔 - 孔 - 孔 - 孔孔扩散长度。 但是,它们的电荷传输特性不如石墨烯。 另一方面,石墨烯的电荷产生效率太低,无法在许多光电应用中使用。 目前无法使用有效的光生成和快速电荷传输的石墨烯-PQD(G-PQD)上层建筑。 在本文中,我们使用新型缺陷介导的生长机制直接从石墨烯晶格中生长PQD制备的G-PQDS上层结构,展示了超薄的光晶体管和光子突触。 我们的模拟和实验结果表明,从石墨烯晶格中生长的PQD可以提供有效的途径,将光激发电荷直接传输到石墨烯,从而同步有效的电荷产生和在单个平台上同步。 但是,单层的石墨烯仅吸收2.3%的事件可见光11。 这些5物理系,佛罗里达州中部奥兰多市,佛罗里达州32816,美国。有机无机卤化物钙钛矿量子点(PQD)构成了用于光电设备应用的吸引人的材料,因为它们的独特特性,例如宽带宽度吸收,高灭绝系数和长的电子孔 - 孔 - 孔 - 孔孔扩散长度。但是,它们的电荷传输特性不如石墨烯。另一方面,石墨烯的电荷产生效率太低,无法在许多光电应用中使用。目前无法使用有效的光生成和快速电荷传输的石墨烯-PQD(G-PQD)上层建筑。在本文中,我们使用新型缺陷介导的生长机制直接从石墨烯晶格中生长PQD制备的G-PQDS上层结构,展示了超薄的光晶体管和光子突触。我们的模拟和实验结果表明,从石墨烯晶格中生长的PQD可以提供有效的途径,将光激发电荷直接传输到石墨烯,从而同步有效的电荷产生和在单个平台上同步。但是,单层的石墨烯仅吸收2.3%的事件可见光11。这些厚度小于20 nm的光晶体管使用该G -PQD上层建筑制备的响应性出色的响应性为1.4×10 8 AW -1,在430 nm处的特异性检测性为4.72×10 15 Jones。此外,上层建筑的光辅助记忆效应使我们能够以36.75 PJ/ SPIKE的低能消耗来证明光子突触行为,这与神经形态计算高度相关。我们通过在机器学习的帮助下证明面部识别来揭示其在神经形态计算中的应用。我们预计PQD上层建筑将在开发高效和超薄的光电设备方面加强新的方向。引言石墨烯是电子和光电应用的理想材料,这是由于其广泛的光谱带宽,出色的运输属性具有很高的迁移率(电子迁移率> 15000 cm2Åv-1·S -1),在环境条件下的特殊稳定性和出色的灵活性稳定性和出色的灵活性1-6。已经开发了大量的复合材料和设备,用于在能量收集和存储中应用,光电遗传学和晶体管7-10。迄今为止,石墨烯光电探测器的响应性仅限于10 -2 AW -1。
摘要最近,已广泛研究了摩擦电纳米生成器(TENG)以开发柔性和可穿戴电子产品。在Teng修饰的各种方法中,熔化近场直接写作是制造固定液体Teng的新方法。在这里,将带有传统聚合物引入电纺PCL,以制造复合固体底层底层,然后选择水,二甲基酮和增益作为液体互动层。在本文中,比较了固体底物效应,温度梯度效应和液体底物效应。在本文中采用了Teng的独立模型,并且PCL-PI复合固体底层底层固体层产生的电荷比原始的底层高10倍以上,显示出高电荷产生能力融化近场直接直接的书面微纤维。此外,将讨论详细的调查,如何获得高电路电压和短路电流。
能量收集是从环境中的不同来源(例如太阳能、热能、机械能和射频)收集能量的过程。能量收集被认为是传统电池的替代解决方案,因为传统电池具有一定的耐用性限制并且不环保[1]。由于传统电池占用很大面积并且不能定期更换,因此人体植入设备和卫星系统等某些应用都需要进行能量收集[2]。长寿命电池已成为所有便携式应用的需求。收集可再生能源的最佳来源之一是压电收集器。压电性是某些材料的一种特性,当对材料施加应力或振动时,其表面会感应出电荷。这些电荷产生电压差,用于为电子电路供电[3]。因此,人们在这个领域进行了大量研究。本文从文献综述开始,在第二部分,它讨论了以前发表的设计以及所提出的系统中的新颖之处。在第三部分,介绍了系统架构,其中
有机半导体是无序的分子固体,因此,它们的内部电荷产生动力学,电荷传输动力学,最终由它们所构成的光电设备的性能由能量疾病控制。这对于新兴的光伏技术尤其相关,其中可提取功率直接取决于这些动力学。为了确定能量障碍如何影响电荷发生,激子传输,电荷传输以及有机半导体设备的性能,首先需要一种准确的方法来衡量此关键参数。在这项工作中,可以证明有机半导体的静态疾病可以从其光伏外部量子效率谱从吸收开始附近的波长处获得。与计算框架一起介绍了一种详细的方法,用于量化与单重激子相关的静态能量障碍。此外,作者还表明,将光学干扰的限制效应最小化对于实现高临界量化至关重要。最后,采用透明设备来估计几种具有技术相关的有机半导体供体 - 受体混合物的激发静态疾病,包括高效率有机光伏系统PM6:Y6。
摘要 - 基于Algan的深紫外线发光二极管(DUV LED)的外部量子效率(EQE)由于电子泄漏的主要问题而远非令人满意阻塞层(P-EBL)可以在该界面附近诱导电子积累和孔耗尽,从而导致电子泄漏并阻碍孔注入。在本文中,我们提出了在LQB和P-EBL之间插入的Al-Composition Increasing Algan层(ACI-ALGAN),以增强DUV LED的载体注入能力,通过调节LQB/EBL界面和下层机制在LQB/EBL界面上调节偏振产生的表电荷产生的床单,并通过数字计算分析。插入结构可以消除LQB的P侧界面处的正电荷,并在P-EBL的N侧界面附近诱导孔积累,这随后可以减少电子泄漏和偏爱孔注射。提出的带有ACI-Algan层的DUV LED结构表现出增强的EQE 45.7%,其正向电压保持不变。此设计方案可以提供另一种方法来促进使用各种应用程序的DUV LED的性能。
本文介绍了一种新型的基于Aerogel的摩擦电纳米生成器(TENG),该纳米生成器(TENG)显示了能量收集和传感应用的卓越性能。基于多酰亚胺的气凝胶膜具有不同的开孔含量水平,可用作Teng的主要接触材料。制造的气凝胶膜已充分表征,以揭示开发材料的化学和机械性能。与完全致密的聚酰亚胺层且无孔隙率相比,聚酰亚胺气凝胶膜的使用显着提高了Teng的性能。这种增强是由于有效表面积的增加,气凝胶开放式电池内的电荷产生以及TENG设备的相对电容的增加所致。孔隙率从零变化到70%的开放式孔隙含量的影响表明,具有50%的气门膜显示出最高的性能,其中获得了40次峰值的峰值敞开电路电压,而峰值短路电流则获得了5 𝜇𝜇𝜇𝜇的峰值短路电流。这些值高于带有数量级的简单聚酰亚胺层的Teng的值。最后,测试了电阻载荷和电容器下提议的teng的性能。因此,这项工作为高性能teng提供了一种有效的方法。
这个公告是“爆炸噪声的概述:特征,评估和缓解”,是国防部(DOD)噪音工作组(DNWG)发出的一系列技术公告之一。用于军事噪声管理,爆炸噪声定义为由大口径武器(20mm及更大)和爆炸性电荷产生的噪声。由于训练学说的变化和部队从海外返回家乡基地,爆炸噪声在军事设施上变得越来越普遍。近年来,接受简易爆炸装置(IED)训练的部队数量增加了。通常,由于时间和财政限制,必须在本地设施进行此培训。此外,在过去的几年中,由于部队部署,大多数装置的大量口径武器射击下降。一旦部队返回,训练水平应恢复到前部部署水平。大型武器(火炮,坦克)和炸药的噪音可以长距离距离,并且仍然足够响亮,以引起负面的社区反应。对爆炸噪声的特征,评估方法以及噪声管理和缓解策略的广泛理解将使更好的计划和社区沟通和宣传,以最大程度地减少由于噪声问题而造成的训练限制。