XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System电镀
创新 PVD 技术解决方案 先进基板、EMI 屏蔽和背面金属 Jeff Turner – 应用材料公司
Jeff 在半导体封装领域拥有超过 25 年的经验，在被 Applied Materials 收购后，他领导着 Tango 产品组。他最初在 Semitool 担任工艺工程师，专攻电镀和湿法清洗，从封装行业起步。Semitool 被 Applied Materials 收购后，他的职业生涯转型为产品管理，然后是业务管理，负责支持 Applied 封装部门的电镀和 PVD 系统。
减少表面贴装半导体器件上的环氧模塑料渗漏
表示芯片与环境之间的接触面。对于两种类型的 SMD 封装系列，可以使用两种类型的引线框架精加工：后镀和预镀。对于后镀系列（即裸铜/银点），电镀工艺是强制性的，以确保封装在印刷电路板 (PCB) 上的可焊性。对于预镀系列，由于多层精加工结构（例如 NiPdAu）可以跳过电镀工艺，从而保留封装在 PCB 上的可焊性，从而增强
目录 - 中国机械工业集团有限公司
特殊复杂型面、超薄、特小等对几何形状和尺寸有严格要求的磨削加工。从而提高了加工效率，解决了许多用其他方法难以加工的刀具。用途： 电镀金刚石砂轮：主要用于加工陶瓷、玻璃、碳化钨、铁氧体等硬度较高的非金属材料。电镀CBN砂轮：主要用于加工冷硬铸铁、铸造合金钢、钛合金等金属材料。
下一代无铅焊接产品用于高速碰撞，封盖和微型封顶应用
抽象的翻转芯片互连和3-D包装应用必须利用可靠的无铅焊接接头，以生成高效，高级的微电子设备。与其他方法相比，由于较低的成本和更高的可靠性，通常用于这些应用最常用的焊料合金是snag，通常通过电镀沉积。用于撞击和封盖应用的snag产品的电镀性能和鲁棒性高度取决于此过程中使用的有机添加剂。在这里，将讨论不影响关键要求（例如紧密的Ag％控制，均匀的高度分布和光滑的表面形态）的下一代障碍产品，这些产品将提高焊料电沉积速率。然后对这些镀焊器进行评估，以兼容颠簸，封盖和微型封盖应用。关键词金属化，镀金，焊料，锡丝
铝上的纳米粒子（银和金）涂层
铝 6061T6 上的金纳米镀层 底涂层 镍磷 (化学镀镍) 底涂层成分 镍 - 磷 (8-12%) 底涂层厚度 10-12 µ 面涂层 金 (电镀) 镀金类型 酸性金 氰化钾 金纯度 99.99% 镀金厚度 2.0±0.5µ 或 1.0±0.2µ
GA-ASI 特殊工艺清单
AMS2700 1 耐腐蚀钢的钝化 ASTM B912 1 通过电解抛光对不锈钢合金进行钝化 电镀 AMS2460 1 镀铬 AMS-QQ-C-320 1 镀铬（电沉积） AMS2403 1 镀镍（通用） AMS-QQ-N-290 1 镀镍（电沉积） AMS2418 1 镀铜 ASTM B545 1 锡电沉积涂层标准规范 MIL-T-10727 1 锡镀层：电沉积或热浸，用于黑色金属和有色金属 MIL-G-45204 1 镀金，电沉积 ASTM B700 1 银电沉积涂层标准规范 AMS-QQ-S-365 1 银镀层，电镀，一般要求 ASTM B633 1 钢铁上锌电镀层的标准规范 AMS-QQ-Z-325 1 锌涂层，电镀层 ASTM F1941 1 机械紧固件电镀层的标准规范 AMS2417 1 镀层，锌镍合金 AMS2461 1 镀层，锌镍合金（12 至 16% 的 Ni） AMS-QQ-P-416 1 镀层，镉（电镀） 化学镀 AMS2404 1 镀层，化学镀镍 AMS-C-26074 1 化学镀镍涂层 油漆 MIL-DTL-18264 1 表面处理，有机，武器系统，应用和控制 MIL-PRF-22750 1 涂层：环氧树脂，高固体 MIL-PRF-23377 1 底漆涂层：环氧树脂，高固体 MIL-PRF-85285 1 面漆，飞机和支持设备 MIL-PRF-85582 1 性能规范：底漆涂层：环氧树脂，水性 UBC90992 2 整流罩，底漆和面漆应用 UBC90990 2 聚氨酯雨蚀涂层干膜润滑剂的应用 MIL-PRF-46010 1 润滑剂，固体膜，热固化，防腐 (S-1738) AC7108/7 IVD 铝 MIL-DTL-83488 1 涂层，铝，高纯度（离子气相沉积 (IVD)）热处理 AMS2770 1 锻造铝合金零件的热处理 AMS2771 1铝合金铸件AMS2774 1 镍合金及钴合金零件的热处理
IEEE 光伏专家会议 (PVSC) 的太阳能和存储技术经济分析教程
晶体硅 • 多晶硅生产 • 硅锭和硅片：直拉法 (Cz)、定向凝固 (DS)、无切口技术，可生产 Cz 和 DS 等效物 • 电池转换：通过丝网印刷、电镀和无主栅技术生产单面和双面 PERC、PERT、HJT 和 IBC • 模块组装：标准接线和串接、无主栅和叠瓦
TI 太空产品 - TI E2E - 德州仪器
Space-EP 器件与标准目录产品相比具有以下优势：• 受控基线，一个晶圆厂、一个装配站点、一套材料。• 优化材料组，包括芯片连接、模塑化合物、引线框架和键合线，全部经过选择以最大程度提高可靠性。• 无高锡（>97% Sn）结构，包括端子（SnAgCu 焊球和 Matte-Sn 电镀）或内部封装组件（芯片凸块或基板电镀）。• 无铜键合线。产品采用倒装芯片安装（无键合线）或使用金键合线。• 额外的装配处理，包括 100% 温度循环或 100% 单程回流模拟代替温度循环。• 在目标温度范围（–55°C 至 +125°C）内进行特性分析。• 在室温和高温下均采用标准参数测试，并带有保护带以确保低温下的数据表限制。• 装配批次验收，包括 X 射线抽样和 CSAM 抽样。• 使用 MIL-PRF-38535 QML Class V 作为基线进行晶圆批次验收。