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World File Search System电阻值
BQ3060 SBS 1.1符合cedv
BQ3060在从Ti发货之前校准用于电压。将为每个单元校准BQ3060电压测量信号链（ADC，高压翻译，电路互连）。从每个单元连接到BQ3060的VCX输入的外部过滤器电阻必须为1KΩ。在4V电池电压下，在室温下，工厂校准设备的精度为+/- 10mV。没有任何客户电压校准，只要过滤器电阻值为1kΩ，这就是预期的准确度。如果需要更好的电压精度，则需要客户电压校准。有关校准和编程的应用程序说明BQ3060在产品Web文件夹中可用。有关更多详细信息，请参见数据闪存编程和校准BQ3060加油表（SLUA502）。
使用丝网印刷和蒸气相聚合的纸电子设备
由于公众对可持续性的推动，纸电子产品的兴起已经加速。电子废物。在本报告中，可以证明导电聚合物聚（3,4-乙二醇氧噻吩）（PEDOT），多吡咯和聚噻吩可以通过丝网印刷与纸张底物上的蒸气相聚合结合并进一步掺入功能性电子成分来合成。高模式分辨率（100μm），PEDOT显示出令人印象深刻的板电阻值。PEDOT作为导电电路并在全印刷的电致色素显示器中作为导电电路。导电聚合物电路允许发射功能发光二极管，而电致色素显示器可与使用PEDOT在塑料底物上使用PEDOT相当。
引用：MCHIHI M. M.，Olatunde A. M.，Odozi N. W.（2024）Ficus Sur介导的中孔ZnO纳米颗粒的合成和新型的ZnO/Arginine/Arginine/Tyrosi
摘要：使用X射线衍射（ZNONP）和合成的ZnO/精氨酸/酪氨酸/酪氨酸纳米复合材料（ZAT）的合成合成的ZnO纳米粒子（ZnONPS）（ZAT），使用X射线衍射（XRD），傅立叶衍射（XRD），傅立叶变换（FTIR）光谱（FTIR）光谱，扫描电子显微镜（SEM），EDRAREN MICROSCOPY（SEM），RECTER（SEM），RESCERES（SEM），RESCERIVES（SEMREX），RESCERIVES（SEMREX）群集（启用元件盒零件盒零件盒）荧光（XRF），动态光散射（DLS）和Brunauer-Emmett-Teller（BET）分析。使用电位动力学极化（PDP），电化学阻抗光谱（EIS），重量分析和原子吸收光谱（AAS）研究了ZnONP和ZAT在1 M HCl中的腐蚀抑制疗效。XRD分析表明，Znonps和Zat是晶体的，平均结晶石尺寸分别等于28.57 nm和32.65 nm。从DLS分析中发现，ZnONP和ZAT的流体动力大小分别为34.99 d.nm和36.57 d.nm。XRF确认Znonps的合成和证实的XRD，FTIR和EDX结果。PDP分析表明，Znonps和Zat显示出混合型抑制剂倾向。 腐蚀电流密度（ICORR）在存在ZnONP和ZAT的情况下降低，在每个抑制剂的1000 ppm存在下，抑制效率分别为92.4％和98.5％。 电荷转移电阻值在存在抑制剂的情况下降低，这表明在碳钢表面形成保护膜。 电化学分析结果与重量法和AAS分析结果一致。PDP分析表明，Znonps和Zat显示出混合型抑制剂倾向。腐蚀电流密度（ICORR）在存在ZnONP和ZAT的情况下降低，在每个抑制剂的1000 ppm存在下，抑制效率分别为92.4％和98.5％。电荷转移电阻值在存在抑制剂的情况下降低，这表明在碳钢表面形成保护膜。电化学分析结果与重量法和AAS分析结果一致。
用于下一代超导接触几何形状...
石墨烯器件中的量子霍尔效应最近允许使用稳健的电阻平台（ R H = R K /2 = h /2 e 2 ）作为欧姆的计量实现 [1]。未来传播欧姆的途径之一是通过构建能够提供多个量化电阻值的量子霍尔阵列电阻标准 [2]– [6]。在制造此类网络之前，必须降低接触和互连处的累积电阻。在本研究中，使用四端和两端方法测量和比较了外延石墨烯器件的量化霍尔电阻 (QHR)。当应用超导多串联接触时，不希望的电阻显著降低。这些新的设备接触几何形状和成分为下一代电阻标准的设计开辟了新途径。
Diamond RFDistresives®家族
EMC技术表面安装座（CR）具有极高功率等级的芯片电阻可用于从DC到30.0 GHz的应用中，并且非常适合军事和空间应用，因为它们具有高功率，广泛的频率响应和较小的轻量级尺寸。它们是使用所有薄膜结构制造的，并具有薄膜金色饰面，既可以粘合又可售。由于其总薄膜结构，它们是峰值功率应用的理想选择。标准芯片和基于MILPRF-55342的高可靠性测试版本也可用。从胶带和卷轴，散装或华夫饼包装中进行选择。这些产品是免费的，ROHS投诉和S级批准。标准可用值为50和100欧姆。直接与我们联系以获得非标准电阻值。
接触材料和几何形状 - NIST 的 TSAPPS
外延石墨烯 (EG) 器件中的量子效应使得量子霍尔效应 (QHE) 电阻在 R H = R K / 2 = h /2 e 2 处达到稳定的水平，其中 R H 是霍尔电阻，R K 是冯·克利青常数 [1]–[3]。通过使用串联和并联连接作为构建块，我们可以构建量子霍尔阵列电阻标准 (QHARS)，以提供多个量化电阻值 [4]–[9]。然而，基于多个量化霍尔电阻 (QHR) 器件的电阻网络通常会受到接触和互连处累积电阻的影响。在本文中，我们表明，通常在四个端子处测量以获得高精度的量化电阻也可以在应用超导分裂接触时通过消除不需要的电阻在两个端子处测量。虽然 QHE 器件的多串联 (MS) 互连已经得到了广泛的研究
RRAM 的写入终止电路：从技术到应用考虑的整体方法
摘要 虽然电阻式随机存取存储器 (RRAM) 如今被视为未来计算的有前途的解决方案，但这些技术在编程电压、开关速度和实现的电阻值方面存在内在的可变性。写入终止 (WT) 电路是解决这些问题的潜在解决方案。然而，以前报道的 WT 电路并没有表现出足够的可靠性。在这项工作中，我们提出了一种工业上可用的 WT 电路，该电路使用根据实际测量校准的 RRAM 模型进行模拟。我们执行了大量 CMOS 和 RRAM 可变性模拟，以提取所提出的 WT 电路的实际性能。最后，我们使用从实际边缘级数据密集型应用中提取的内存痕迹来模拟所提出的 WT 电路的效果。总体而言，我们在位级别展示了 2 × 到 40 × 的能量增益。此外，由于采用了所提出的 WT 电路，我们展示了 1.9 × 到 16.2 × 的能量增益，具体取决于应用程序的内存访问模式。
NAVSEA TE000-AB-GTP-010 - EverySpec
电阻器按功能可分为固定电阻器和可变电阻器（可调电阻器）。电阻器结构一般有三种类型：合成电阻器、薄膜电阻器或线绕电阻器。它们基本上由安装在基座或基板上的电阻元件、环境保护涂层和外部电引线组成。合成电阻器由电阻材料和粘合剂的混合物制成，并模制成具有特定电阻值的预定形状。薄膜电阻器由沉积在绝缘圆筒或细丝内部或外部的薄电阻膜制成，在绝缘圆筒或细丝上刻有螺纹图案（有时称为螺旋切割或螺旋切割），以在陶瓷或玻璃基板的两端之间形成薄窄条或电阻材料轨道。线绕电阻器由缠绕在绝缘体上的电阻丝制成。这三种基本类型在固有可靠性、尺寸、成本、电阻范围、额定功率和一般特性方面有所不同。没有一种类型具有所有最佳特性。在选择它们时必须考虑许多因素。