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World File Search System硅化物
德国太空初创公司寻求 R512E 硅化物涂层供应商签订长期制造协议
这家德国初创公司是一家为航天、国防、能源和相关行业提供先进金属增材制造服务的供应商。公司专注于加工铌合金 (C103)、镍合金 (In718)、钛合金 (Ti64、Ti CP1)、铝合金 (A6061、AlSi10Mg)、难熔金属 (钽、钨) 和不锈钢 (SS316L)。该公司在创新合金工艺开发方面拥有丰富的专业知识，并担任多种应用的开发合作伙伴和产品设计师。
由热液碳化葡萄糖胶体颗粒组装而成的宏观棒及其作为碳化硅和三铜硅化物模板的用途
自聚集胶体可用于制备材料，我们研究了胶体水炭分散颗粒中水分蒸发后形成的长棒状聚集体。单分散水炭颗粒（100-200 纳米）由葡萄糖热液碳化合成，并通过透析纯化。在合成过程中，它们形成胶体分散体，在中高 pH 值和低离子强度下静电稳定。水分蒸发后，在中等 pH 条件下，分散体会形成宏观上较大的棒状物。这些棒状物在固-水界面处形成，与干燥方向正交。热解使棒状物具有高度多孔性，但不会对它们的形状产生任何影响。将 Cu-Si 合金反应性地渗入原位热解水炭和形成的三铜硅化物 (Cu 3 Si)-碳化硅 (SiC)/碳复合材料中。在此过程中，Si 原子与 C 原子发生反应，进而导致合金润湿并进一步与碳发生反应。在反应过程中，底层碳模板的形状保持不变，随后将形成的复合材料制剂煅烧成 Cu 3 Si-SiC 基碳基胶体颗粒棒状组件的复制品。使用透射和扫描电子显微镜以及 X 射线衍射研究了所形成固体的形状、成分和结构。从胶体科学的角度，可以进一步研究将合金反应渗透到自聚集和碳基固体中制备的材料，以及探索性地使用由真实生物质制备的水炭，探索与反应渗透有关的组成空间，以及材料在催化中的应用。2021 作者。由 Elsevier Inc. 出版。这是一篇根据 CC BY 许可开放获取的文章（http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/）。
由介质引起的高度有序的硅化物波纹图案……
我们研究了在近乎正常的 40 keV Ar + 溅射和同时进行的 Fe 斜向共沉积下硅表面的纳米图案化。离子束入射角保持在 15°，在没有金属掺入的情况下不会产生任何图案。通过原子力显微镜（其形态和电模式）、卢瑟福背散射光谱、X 射线光电子能谱、扫描俄歇以及透射和扫描电子显微镜进行形态和成分分析。最初，纳米点结构随机出现，随着离子通量的增加，它们逐渐沿与 Fe 通量垂直的方向排列。随着通量的增加，它们聚结在一起，形成波纹图案。随着与金属源的距离减小（即金属含量增加），图案动态和特性分别变得更快和增强。对于最高的金属通量，波纹会变得相当大（高达 18 μ m）且更直，缺陷很少，图案波长接近 500 nm，同时保持表面粗糙度接近 15 nm。此外，对于固定离子通量，图案顺序会随着金属通量而改善。相反，图案顺序随离子通量增加的增强率并不依赖于金属通量。我们的实验观察与 Bradley 模型的预测和假设一致 [RM Bradley，Phys。Rev. B 87，205408（2013）] 几项成分和形态研究表明，波纹图案也是成分图案，其中波纹峰具有更高的铁硅化物含量，这与模型一致。同样，波纹结构沿着垂直于 Fe 通量的方向发展，并且图案波长随着金属通量的减少而增加，其行为与模型预测在性质上一致。
技术缩放对纳米体 CMOS 技术中硅化物阻挡 PMOSFET 器件 ESD 性能的影响
先进的 CMOS 技术在每一代新产品中都采用传统的尺寸缩放和颠覆性技术创新，以实现预期的性能改进 [1][2]。这在纳米技术中更为重要，因为传统的结深、栅极长度和栅极氧化物厚度缩放正在接近某些物理极限。先进 CMOS 技术的主要工艺突破之一是将大量应力元件引入 NMOSFET 和 PMOSFET（图 1），以提高性能。特别是，PMOSFET 器件受到了更多关注，因为 SiGe 技术随时可用，这种技术易于理解且与基础硅工艺完全兼容。这些工艺元件（如源极/漏极 eSiGe）已成功集成到 45nm [3] 至 32nm [4][5] 及以后的高性能 PMOSFET 中。其他应力元件（如压缩或拉伸应力衬里）对 PMOSFET 或 NMOSFET 都有好处，具体取决于氮化硅衬里的应力极性。尽管有大量文献介绍了传统缩放和不同应力元件如何影响 MOSFET 性能，但人们对它们对在高电流水平下工作的器件的影响知之甚少，例如在 ESD 类脉冲条件下 [6]。据报道，ESD NMOSFET 的故障电流不受拉伸衬里工艺的显著影响 [7]，原因是
C54 钛锗硅化物在硅上的稳定性……
研究了 C54 Ti(Si, -,Ge,,) 薄膜与 Si, -XGe, 衬底接触时的稳定性。C54 Ti(Si, -,Ge,,j) 薄膜由 Ti-Sii-,Ge, 固相金属化反应形成。结果表明，最初形成的 C54 Ti(Si, -,,Ge,,) 的 Ge 指数 y 与 Si, -XGeX 衬底的 Ge 指数 x 大致相同（即 yx）。C54 钛锗硅化物形成后，Si, -XGeX 衬底中的 Si 和 Ge 继续扩散到 C54 层中，大概是通过晶格和晶粒边界扩散。扩散到 C54 晶格中的部分 Si 取代了 C54 晶格上的 Ge，C54 Ti(Si, -,GeJZ 的 Ge 指数降低（即 yx)。这种偏析和沉淀增强了C54钛锗硅化物薄膜的团聚（即较低的团聚温度）。观察到可以使用快速热退火技术来减少退火时间并导致Ge偏析的减少。0 199.S美国物理学会。