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World File Search System硅化物
C54 钛锗硅化物在硅上的稳定性……
研究了 C54 Ti(Si, -,Ge,,) 薄膜与 Si, -XGe, 衬底接触时的稳定性。C54 Ti(Si, -,Ge,,j) 薄膜由 Ti-Sii-,Ge, 固相金属化反应形成。结果表明，最初形成的 C54 Ti(Si, -,,Ge,,) 的 Ge 指数 y 与 Si, -XGeX 衬底的 Ge 指数 x 大致相同（即 yx）。C54 钛锗硅化物形成后，Si, -XGeX 衬底中的 Si 和 Ge 继续扩散到 C54 层中，大概是通过晶格和晶粒边界扩散。扩散到 C54 晶格中的部分 Si 取代了 C54 晶格上的 Ge，C54 Ti(Si, -,GeJZ 的 Ge 指数降低（即 yx)。这种偏析和沉淀增强了C54钛锗硅化物薄膜的团聚（即较低的团聚温度）。观察到可以使用快速热退火技术来减少退火时间并导致Ge偏析的减少。0 199.S美国物理学会。
由介质引起的高度有序的硅化物波纹图案……
我们研究了在近乎正常的 40 keV Ar + 溅射和同时进行的 Fe 斜向共沉积下硅表面的纳米图案化。离子束入射角保持在 15°，在没有金属掺入的情况下不会产生任何图案。通过原子力显微镜（其形态和电模式）、卢瑟福背散射光谱、X 射线光电子能谱、扫描俄歇以及透射和扫描电子显微镜进行形态和成分分析。最初，纳米点结构随机出现，随着离子通量的增加，它们逐渐沿与 Fe 通量垂直的方向排列。随着通量的增加，它们聚结在一起，形成波纹图案。随着与金属源的距离减小（即金属含量增加），图案动态和特性分别变得更快和增强。对于最高的金属通量，波纹会变得相当大（高达 18 μ m）且更直，缺陷很少，图案波长接近 500 nm，同时保持表面粗糙度接近 15 nm。此外，对于固定离子通量，图案顺序会随着金属通量而改善。相反，图案顺序随离子通量增加的增强率并不依赖于金属通量。我们的实验观察与 Bradley 模型的预测和假设一致 [RM Bradley，Phys。Rev. B 87，205408（2013）] 几项成分和形态研究表明，波纹图案也是成分图案，其中波纹峰具有更高的铁硅化物含量，这与模型一致。同样，波纹结构沿着垂直于 Fe 通量的方向发展，并且图案波长随着金属通量的减少而增加，其行为与模型预测在性质上一致。
Ni(Pt)Si薄膜形成对团聚阈值温度的影响及对3D成像技术集成的影响
Ni(10 at.% Pt) 单硅化物在微电子中用作接触件，但由于团聚，在相对较低的温度下会遭受性能下降。最近在 28 nm-FDSOI 微电子器件上获得的结果显示，在与 Ni(Pt)Si 薄膜脱湿相关的 550 °C/2 小时退火后，产量损失严重。这种团聚热预算比使用原位或非原位四点探针测量在毯状晶圆上测得的热预算低 100 °C。在此背景下，本文旨在研究 Ni(Pt)Si 形成过程对 Ni(Pt)Si 团聚的影响，采用不同的方法，如 (i) 经典方法，即进行一次退火以形成硅化物并导致团聚，(ii) 通过标准 SALICIDE 工艺“自对准硅化物”形成硅化物，然后进行退火以诱导团聚，以及 (iii) 标准 SALICIDE 工艺形成硅化物，然后用 SiN 层封装顶部硅化物表面，如器件中所用，最后进行团聚退火。我们的研究表明，薄膜的热稳定性受形成过程中选择性蚀刻 (SE) 的顺序以及薄膜是通过单次退火还是双次退火形成的影响。这项研究的另一个结论是，四点探针测量不够灵敏，无法很好地估计团聚现象的真正起点，这对器件是有害的（三重结处形成孔洞）。为了准确确定团聚热预算，迫切需要一些额外的特性，例如倾斜扫描电子显微镜 (倾斜 SEM)。这项研究可以阐明导致团聚的主要参数：薄膜厚度和晶粒尺寸似乎是更重要的参数。 * 通讯作者电子邮件：magali.gregoire@st.com。
Si 表面处理对 CoSi2 形成和团聚的影响
在微电子领域，尽管钴硅化物 CoSi 2 在小尺寸内成核困难，但对于采用 65 nm 技术设计的一些特定器件，基于 CoSi 2 的触点仍然很有趣。因此，为了促进 65 nm 技术中 CoSi 2 的形成，可以干扰 RTA1 期间发生的 CoSi 的形成。为此，在 Co 沉积之前对 Si 基板的表面处理可能会影响钴硅化物相的形成。在这项工作中，在 Co 和 TiN 层沉积之前，在 Si(100) 晶片上应用了不同的表面处理（SiCoNi、HF，然后是 SC1 和仅 HF）以及几种软溅射蚀刻 (SSE) 工艺。根据表面处理的不同，通过 XRD 和/或 EBSD 观察到的 Co 硅化物相（包括 CoSi 2 ）的形成温度和/或晶体取向是不同的。四点探针测量还表明，CoSi 2 团聚与表面处理方案有很大关系。这些结果突出了表面处理对 Co 硅化物形成和团聚的影响，以及其对于将 CoSi 2 膜集成到 65 nm CMOS 技术中的重要性。
德国太空初创公司寻求 R512E 硅化物涂层供应商签订长期制造协议
这家德国初创公司是一家为航天、国防、能源和相关行业提供先进金属增材制造服务的供应商。公司专注于加工铌合金 (C103)、镍合金 (In718)、钛合金 (Ti64、Ti CP1)、铝合金 (A6061、AlSi10Mg)、难熔金属 (钽、钨) 和不锈钢 (SS316L)。该公司在创新合金工艺开发方面拥有丰富的专业知识，并担任多种应用的开发合作伙伴和产品设计师。
退火对铁、钴离子掺杂硅表面晶体结构的影响
摘要：本文报告了应用卢瑟福背散射光谱 (RBS) 研究硅中植入的铁和钴原子的分布曲线随辐射剂量和退火温度变化的结果。研究了热退火对铁、钴，特别是氧的分布的影响。作者强烈建议，在某些热处理条件下，通过施加特定的辐射剂量，所谓的外延硅化物将在单晶表面形成，这些硅化物可以起到导电层或金属层的作用。可以考虑使用 RBS 方法来分析掺杂剂的拓扑分布和杂质的相互作用。关键词：杂质、分布、影响、热退火、植入原子、薄层、深度、辐射剂量、结构、薄膜 ________________________________________________________________________________________ 1. 简介
光热表征硅基退火薄金膜的热扩散率、载流子扩散和复合特性
CK Sheng*、MGM Sabri、MF Hassan、EAGE Ali 马来西亚登嘉楼大学科学与海洋环境学院，21030 瓜拉尼鲁斯，登嘉楼，马来西亚 这项工作首次实施了基于光声 (PA) 技术的光热波表征，以研究在不同温度下退火的 Si 晶片 (Au/Si) 上沉积的金薄膜层的热特性和载流子传输特性。XRD 图案表明，在退火温度为 330 o C 时追踪到了 Au81Si19 相的亚稳态金 (Au) 硅化物，当温度进一步升高到 370 o C 时，该结构消失。结果表明，获得 Au/Si 结构的 PA 信号低于纯 Si 晶片。通过拟合 PA 信号相位关系阐明了 Si 和 Au/Si 的热特性和载流子传输特性。结果表明，随着退火温度的升高，Au/Si 的热扩散率和表面复合速度增加，复合寿命缩短。然而，当温度接近 370 o C 时，表面复合和热传输过程减弱，这可能是由于硅化物团簇的断裂造成的。（2021 年 7 月 20 日收到；2021 年 10 月 29 日接受）关键词：金硅化物，热退火，光声，热扩散率，复合
技术缩放对纳米体 CMOS 技术中硅化物阻挡 PMOSFET 器件 ESD 性能的影响
先进的 CMOS 技术在每一代新产品中都采用传统的尺寸缩放和颠覆性技术创新，以实现预期的性能改进 [1][2]。这在纳米技术中更为重要，因为传统的结深、栅极长度和栅极氧化物厚度缩放正在接近某些物理极限。先进 CMOS 技术的主要工艺突破之一是将大量应力元件引入 NMOSFET 和 PMOSFET（图 1），以提高性能。特别是，PMOSFET 器件受到了更多关注，因为 SiGe 技术随时可用，这种技术易于理解且与基础硅工艺完全兼容。这些工艺元件（如源极/漏极 eSiGe）已成功集成到 45nm [3] 至 32nm [4][5] 及以后的高性能 PMOSFET 中。其他应力元件（如压缩或拉伸应力衬里）对 PMOSFET 或 NMOSFET 都有好处，具体取决于氮化硅衬里的应力极性。尽管有大量文献介绍了传统缩放和不同应力元件如何影响 MOSFET 性能，但人们对它们对在高电流水平下工作的器件的影响知之甚少，例如在 ESD 类脉冲条件下 [6]。据报道，ESD NMOSFET 的故障电流不受拉伸衬里工艺的显著影响 [7]，原因是
由热液碳化葡萄糖胶体颗粒组装而成的宏观棒及其作为碳化硅和三铜硅化物模板的用途
自聚集胶体可用于制备材料，我们研究了胶体水炭分散颗粒中水分蒸发后形成的长棒状聚集体。单分散水炭颗粒（100-200 纳米）由葡萄糖热液碳化合成，并通过透析纯化。在合成过程中，它们形成胶体分散体，在中高 pH 值和低离子强度下静电稳定。水分蒸发后，在中等 pH 条件下，分散体会形成宏观上较大的棒状物。这些棒状物在固-水界面处形成，与干燥方向正交。热解使棒状物具有高度多孔性，但不会对它们的形状产生任何影响。将 Cu-Si 合金反应性地渗入原位热解水炭和形成的三铜硅化物 (Cu 3 Si)-碳化硅 (SiC)/碳复合材料中。在此过程中，Si 原子与 C 原子发生反应，进而导致合金润湿并进一步与碳发生反应。在反应过程中，底层碳模板的形状保持不变，随后将形成的复合材料制剂煅烧成 Cu 3 Si-SiC 基碳基胶体颗粒棒状组件的复制品。使用透射和扫描电子显微镜以及 X 射线衍射研究了所形成固体的形状、成分和结构。从胶体科学的角度，可以进一步研究将合金反应渗透到自聚集和碳基固体中制备的材料，以及探索性地使用由真实生物质制备的水炭，探索与反应渗透有关的组成空间，以及材料在催化中的应用。2021 作者。由 Elsevier Inc. 出版。这是一篇根据 CC BY 许可开放获取的文章（http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/）。
硅中铂的扩散及其在电力设备寿命工程中的应用综述
然后进行退火。后者将注入剂量作为附加设计参数。首先，从 Pt 硅化物层引入铂的实验中，我们可以学到很多东西。这些知识对于校准基本机制的模型参数非常有用，因为它与注入后退火相比不太复杂，而注入后退火不可避免地会导致注入损伤以及高注入剂量下铂团块的形成。另一个有趣的过程是硅中铂的磷扩散吸杂 (PDG)。它可用于进一步定制铂分布和载流子寿命调整，从而进一步优化硅功率器件在软开关方面的性能。[1,2]