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World File Search System硅化钼
Mo -Si System的硅化硅的主要特性
摘要。使用Magnetron-ION溅射，将一层金属钼1–2μm厚的金属钼沉积在环境温度下惰性氩气的大气中，该硅通过Czochralski方法生长的硅单晶表面。根据实验的结果，纯Mo层厚度为2μm，通过磁控蛋白的反应性溅射从高度纯的金属钼靶中沉积到冷硅晶片底物上，厚度为1.5 mm。仅在严格定义的钼金属沉积速率对应于体积中给定的巨质压力的情况下，它们的电导率和透明度也很高。溅射目标是直径为40 mm的磁盘，厚度为3-4 mm。产品处理的技术周期包括目标清洁的阶段。在不添加氧气的情况下将金属MO靶标溅射在纯氩AR中，可以促进具有非常好的电导率的不透明金属膜的形成。X射线衍射分析具有Mo金属涂层表面的硅单晶体显示了Moleybdenum-Silicon系统中的MO3SI和MOSI.65的化合物。硅硅硅酸盐被发现在温度范围1850÷1900°C的温度范围内经历同类肌转化，而低温品种 -MOSI2具有四方结构。 -MOSI2的高温形式具有六边形结构。使用原子扫描显微镜进行研究的结果表明，硅原子的链与MO原子连接，形成沿平行X和Y轴的MO结构的棱镜形成的锯齿形。
数值化与智能化技术在材料科学中的应用与发展综述
设计，优化和制造。数值技术，例如有限元分析，验收动力学，第一原理计算和多尺度建模，可以有效地预测机构属性并优化设计。与此同时，人工智能和大数据分析可以通过机器学习发现新材料和反向设计。智能手段与自适应控制系统相结合，实现了生产过程的自动化和实时优化，从而提高了制造效率和精度。尽管数据和计算成本不足，但随着技术的进步，材料科学却朝着更高的精度和自动化方向发展。
材料和硬件
系列 类型 10xx 非硫化碳钢 11xx 再硫化碳钢（易加工） 12xx 再磷化和再硫化碳钢（易加工） 13xx 锰 1.75% 23xx 镍 3.50% 25xx 镍 5.00% 31xx 镍 2.25%、铬 0.65% 33xx 镍 3.50%、铬 1.55% 40xx 钼 0.20 或 0.25% 41xx 铬 0.50 或 0.95%、钼 0.12 或 0.20% 43xx 镍 1.80%、铬 0.50 或 0.80%、钼 0.25% 44xx 钼0.40% 50xx 铬 0.25、或 0.40 或 0.50% 50xxx 碳 1.00%、铬 0.50% 51xxx 碳 1.00%、铬 1.05% 52xxx 碳 1.00%、铬 1.45% 61xx 铬 0.60、0.80 或 0.95%、钒 0.12% 0.10% 最小、或 0.15% 81xx 镍 0.30%、铬 0.40%、钼 0.12% 86xx 镍 0.55%、铬 0.50、钼 0.20% 87xx 镍 0.55%。铬 0.05%、钼 0.25% 92xx 锰 0.85%、硅 2.00%、铬 0 或 0.35% 93xx 镍 3.25%、铬 1.20%、钼 0.12% 94xx 镍 0.45%、铬 0.40%、钼 0.12%
打造人工智能实际应用环境
企划管理部 IoT应用推进部 社会基础设施解决方案本部 金融及企业解决方案本部 网络系统本部 防卫系统本部 IoT平台本部 系统中心 基础技术中心 信息通信本庄工厂 信息通信沼津工厂
多元化能源保障方案推动非道路领域电动化发展
3月23日，由Qiyuan Green Power，Shanghai Boonray Intellighent Technology Co.，Ltd。，Top Gear等共同开发的无人电池交换矿业卡车，并配备了由上海Boonray Intellray Intellighent Technology Co.，Ltd.，Ltd.，Ltd。目前，它已在South Cement的矿山中进行了方案终端申请测试。根据现场测试，“电牛”可以将二氧化碳的排放量减少至少260吨，从而节省至少20万卢比的劳动力成本。
基于硅后硅技术的半导体物理
摘要摩尔的定律终于接近了最终的物理限制，因为最先进的微处理器现在的晶体管在频道中仅宽14纳米，并且微电子行业已经进入了后期的时代。将需要真正的新颖物理学来通过开发新材料，原理，结构，设备和新型体系结构来扩展它。鉴于硅的成功主要从其高质量的本地氧化物SIO2和现有的广大专业知识和基础设施中受益，因此硅的完全替代很快就不太可能在很快发生。在这次演讲中，我将介绍我们最近对基于硅后的技术的半导体物理学的研究（3）GE孔自旋量子材料的理论设计，以加快量子操作的速度超过GHz。参考文献[1] Ruyue Cao，Qiao-lin Yang，Hui-xiong Deng*，Su-huai Wei*，John Robertson和Jun-Wei Luo*，通过降低原子间键合强度，降低光学声子，自然634，1080（2024）。[2] G. Wang，Z.G。Song*，Jun-Wei Luo*和S.S. Li，物理学。修订版b 105，165308（2022）。[3] J.X.Xiong，S。Guan *，Jun-Wei Luo *和S.S. Li，物理。修订版b 103，085309（2021）。[4] Jun-Wei Luo *，S.S。Li和A. Zunger *，物理。修订版Lett。Lett。119，126401（2017）。 查询：3943 6303119，126401（2017）。查询：3943 6303
用于化学和生物传感的硅杂化纳米结构的界面工程
这些和其他有吸引力的特点引起了人们对这种技术日益增长的兴趣，包括材料科学的基本方面和控制界面特性的化学方法。纳米材料合成方法和纳米制造技术的最新进展为具有极高界面面积和极小尺寸的化学传感器创造了机会，分别可以提高灵敏度和响应时间。以前的报告描述了独特的传感器类别，它们利用各种类型的纳米材料和设备架构进行有针对性的应用，活性材料包括有机半导体[3,4]、无机薄膜和纳米线[5–9]、碳纳米管[10]、石墨烯[11]和过渡金属二硫代化合物[12]。在所研究的广泛材料中，单晶硅及其衍生物尤其令人感兴趣，因为其具有优异、可重复和良好控制的电子特性，可实现卓越的性能和节能运行，并与互补金属氧化物半导体 (CMOS) 技术兼容，用于集成多路复用和信号处理。各种研究都表明了此类化学传感平台的用途，重点是制备、组装、界面工程、电气性能和应用。与其他纳米材料（例如石墨烯、过渡金属二硫属化物、黑磷）相比，这些纳米材料通常包含一系列不受控制的活性位点（例如空位、晶粒边界和缺陷），对基面传感产生不利影响，而现代方法可以常规形成单晶硅，质量优异，成本低，面积大，结构和材料特性近乎完美。[13] 受控生长和/或光刻
III-V 族半导体与硅外延杂化过程中的晶相控制
III-V 半导体与硅外延杂化过程中的晶体相控制 Marta Rio Calvo、Jean-Baptiste Rodriguez *、Charles Cornet、Laurent Cerutti、Michel Ramonda、Achim Trampert、Gilles Patriarche 和 Éric Tournié * Dr. M. Rio Calvo、Dr. J.-B.罗德里格斯、 L. Cerutti 博士、 Pr. É. Tournié IES，蒙彼利埃大学，法国国家科学研究院，F- 34000 蒙彼利埃，法国 电子邮箱：jean-baptiste.rodriguez@umontpellier.fr , eric.tournie@umontpellier.fr Pr. C. Cornet 雷恩大学，雷恩国立应用科学学院，法国国家科学研究院，FOTON 研究所 – UMR 6082，F-35000 雷恩，法国 Dr. M. Ramonda CTM，蒙彼利埃大学，F- 34000 蒙彼利埃，法国 Dr. A. Trampert Paul-Drude-Institut für Festocorporelektronik，Leibniz-Institut im Forschungsverbund Berlin eV，Hausvogteiplatz 5-7，10117，柏林，德国 Dr. G. Patriarche 巴黎-萨克雷大学，法国国家科学研究院，纳米科学与技术中心纳米技术，91120，帕莱索，法国 关键词：外延生长，反相域，单片集成，III-V 半导体，硅衬底