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有机碱催化苯基硅橡胶的合成与阻尼性能研究
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面向先进光源的硅像素传感器保护环结构仿真研究
摘要：硅像素传感器上的防护环结构有益于提高传感器的高压承受性能。为了评估防护圈结构对硅像素传感器的保护效果，模拟和分析了三种防护环结构。通过技术计算机辅助设计进行了三个防护环结构的两个维度建模，并使用软件内置的电气模型模拟了三个防护圈结构的I -V特性。当前收集环的存在可以使像素可以承受高压，并且不等的防护戒指，不同的空间后卫环，内部和外部等距的Al悬架，并且多个防护戒指结构有益于进一步增加传感器的击穿电压。关键词：PIN二极管silicon Pixel Sensor；防护戒指；耐用高压；技术计算机辅助DEGSIN OCIS代码：280.4750 ；230。0040 ；230.5160
平顶飞秒激光开槽硅晶圆工艺仿真与实验研究
[25] Shi K W，Yow K Y，LoC。单束和多光束激光槽过程参数开发和40 nm节点的模具特性 - k/ulk Wafer [C]∥2014IEEE 16th 16th Electronics包装技术会议（EPTC），2014年12月3日至5日，2014年12月3日，新加坡。纽约：IEEE出版社，2015：752-759。
iii-V光电探测器单拼合地整合在硅互连应用上
Difficult to grow III-V on Si with high crystal quality due to mismatch in lattice constant & thermal expansion coefficient (CTE), and polarity Lattice constant mismatch: Crystal configuration (atom spacing) is different and higher for most of III-V compounds than Si CTE: Si and III-V compounds expand/contract differently Polarity: Si is non-polar, while III-V is polar
通过原地SI@C-raphene复合合成li-ion电池应用来改善基于硅的复合电极
摘要：由于循环时的形态进化和SEI修饰，使用Si作为锂离子电池的阳极材料仍然具有挑战性。目前的工作旨在开发一个由碳涂层的Si纳米颗粒（SI@C NPS）组成的复合材料，该复合物紧密嵌入了三维（3D）石墨烯水凝胶（GHG）结构中，以稳定LIB电极内的SI。而不是简单地混合两个组件，而是合成过程的新颖性在于原位热液过程，该过程显示出成功产生氧化石墨烯还原，3D石墨烯组装的产生以及SI@C NPS在GHG Matrix中的均匀分布。在不包含其他导电添加剂的电极上的半细胞中的电化学特性揭示了保护性C壳对于达到高特定能力的重要性（最高2200 mAh.g-1），以及良好的稳定性（200个循环，平均CEFF> 99％）。这些性能远高于用非C涂层Si NP制成的电极或通过混合两个组件制备的电极。这些观察结果突出了C壳对SI NP的协同作用，以及单步的原位制备，使SI@C-GHG混合复合材料具有具有物理化学，结构和形态学特性的SI@C-GHG混合材料的产量，从而促进了样品电导率和Li-ion扩散途径。
基于硅后硅技术的半导体物理
摘要摩尔的定律终于接近了最终的物理限制，因为最先进的微处理器现在的晶体管在频道中仅宽14纳米，并且微电子行业已经进入了后期的时代。将需要真正的新颖物理学来通过开发新材料，原理，结构，设备和新型体系结构来扩展它。鉴于硅的成功主要从其高质量的本地氧化物SIO2和现有的广大专业知识和基础设施中受益，因此硅的完全替代很快就不太可能在很快发生。在这次演讲中，我将介绍我们最近对基于硅后的技术的半导体物理学的研究（3）GE孔自旋量子材料的理论设计，以加快量子操作的速度超过GHz。参考文献[1] Ruyue Cao，Qiao-lin Yang，Hui-xiong Deng*，Su-huai Wei*，John Robertson和Jun-Wei Luo*，通过降低原子间键合强度，降低光学声子，自然634，1080（2024）。[2] G. Wang，Z.G。Song*，Jun-Wei Luo*和S.S. Li，物理学。修订版b 105，165308（2022）。[3] J.X.Xiong，S。Guan *，Jun-Wei Luo *和S.S. Li，物理。修订版b 103，085309（2021）。[4] Jun-Wei Luo *，S.S。Li和A. Zunger *，物理。修订版Lett。Lett。119，126401（2017）。 查询：3943 6303119，126401（2017）。查询：3943 6303
北达科他州应发行
3. 如果个人符合第 62.1-04-03.1 节规定的互惠条件，并且持有其居住州颁发的相当于 2 级枪支和危险武器许可证，则个人可以根据本章携带隐藏式枪支。SL 2023，ch. 578（HB 1339），§ 3 62.1-04-03.1。互惠无证携带 62.1-04-02。携带隐藏式枪支或危险武器 - 许可证区别。2. 如果个人没有根据本章被禁止持有 2 级枪支和危险武器许可证，并且持有交通部或个人居住州或地区颁发的有效驾驶执照或非驾驶员身份证，则可以根据本章携带隐藏式枪支。.L. 2023，ch。 578（HB 1339），§ 注意：北达科他州以前仅允许北达科他州居民无证携带武器。2023 年 8 月 1 日，该州法律发生改变，现在任何根据州和联邦法律合法持有枪支的人都可以在北达科他州携带枪支，无需许可证/持枪证。必须携带驾驶执照或州颁发的身份证，62.1-04-04。按需出示执照。1. 每个人在携带隐藏枪支或危险武器时，如果需要携带隐藏携带许可证，应随身携带本州或其他州颁发的执照或本州颁发的隐藏枪支或危险武器执照的数字图像（存储在电子设备上），并在执法人员要求时将其交给任何现役执法人员进行检查。任何个人未能将执照或执照的数字图像交给执法人员，即为表面证据，表明该人非法携带隐藏枪支或危险武器。