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World File Search System硅是
Arrowsmith North 硅砂项目
Arrowsmith North 硅砂项目是开发硅砂矿的提案。该提案位于西澳大利亚中西部地区，距珀斯西北偏北约 270 公里，距埃尼巴西北 35 公里。该提案的提议者是 VRX Silica Limited。该提案包括硅砂的连续块状开采、矿山供料厂的开发、可移动地面输送机、管道、加工厂、库存、淡水供应孔、通道、堆放、管理、蓄水和相关基础设施，包括燃气发电站、通讯设备、办公室、车间和其他堆放区。连接矿山与 Brand 高速公路、淡水供应孔和水管道的通道将位于通道开发范围内；所有其他基础设施都将位于矿山开发范围内。产品将通过公路运输到杰拉尔顿港，然后出口到国际市场。矿山开发范围和扰动足迹为 292.6 公顷，通道开发范围为 60.4 公顷，扰动足迹为 6.5 公顷。该提案将分阶段实施，在项目 30 年的生命周期内同时进行逐步清理、采矿和修复。
无定形硅的亚稳定性问题
无定形硅及其合金，由于其物质及其生产性，在近年来引起了迅速增长的兴趣。非晶技术比晶体技术的主要优势大大降低了成本，以至于某些消费者应用，例如太阳能电池，薄纤维晶体管等。太阳能电池在电信中涉及远离电网的基站电力电力。然而，基于A-SI的设备的表现受光，高能量颗粒，载体注入，载体在A-SI相互之间的堆积和热淬灭[1]引起的可逆，亚稳态变化的限制[1]。所有这些效应都是通过退火到高度高温而可逆的，并且所有这些效应都被相同的降解机制引起[2]。由于在A-Si：H中发现了亚稳态效应，因此有强有力的间接证据表明氢和掺杂剂的作用仍然缺乏完全的证明。证据主要源于在与亚竞争效应相同的温度下观察到的氢运动。缺陷退火的活化能与氢二氮的活化能相当。此外，掺杂趋势是相同的 - 掺杂剂会导致较大的水力差异系数也导致了更快的缺陷弛豫。另一方面，氢通过削减由粘结障碍引起的大量悬挂键缺损而使掺杂成为可能。亚稳态变化的种类和大小取决于氢和掺杂剂这种磷或硼。这些效果取决于在掺杂的氢化无定形硅中，存在两个不同现象的共膜质：悬挂键密度的可逆增加和掺杂效应的可逆增加。
2SB1261 PNP 硅外延平面晶体管
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连续膜表面微机械硅...
表面微加工成功的光学应用之一是开发静电驱动微机械镜阵列（协调、可移动的反射或折射元件的大规模并行阵列），用于投影显示系统。1 每个元件都是一个镜段，用作较大显示器中的一个像素，元件的驱动使用二进制数字控制信号并行协调。在这样的系统中，已经证明简单微机械致动器的制造成品率可以接近 100%。此外，已经确定可以实现电子器件与微机电系统（MEMS）阵列结构的大规模集成。这种集成是通过在平面化的 CMOS 电子阵列上构建 MEMS 结构来实现的。已经提出了这些基本概念的几种扩展，以便开发用于自适应光学系统的表面微机械连续膜可变形镜。在自适应光学中，重要的是可变形镜既连续又可精确调节。本文描述的设备是使用表面微机械技术制造的第一种连续镜。� 体微机械连续镜之前已经展示过。2 � 表面微机械镜已在波士顿大学设计、制造和测试。该设备由单个柔性光学膜组成，该膜由多个附件支撑，这些附件位于底层表面法向静电致动器阵列上。两个特点将该设备与以前的表面微机械镜系统区分开来。首先，镜面是连续的，而不是分段的。因此，致动器的局部变形会导致镜面平滑偏转，表面轮廓没有不连续性，没有因分段边缘而产生的衍射干涉，也没有因填充因子低于 1 而导致的光强度损失。此外，新的可变形镜面装置可以精确、连续地控制镜面元件
支持信息合成硅量子点...
图 S2(a) 和 S1(b) 分别显示了合成状态和氢化硅化 Si-QDs（样品 1）的 Si 2p 光谱。合成状态的 Si-QDs 在 99.6 和 100.5 eV 处出现峰，分别对应于 Si 2p 1/2 和 Si 2p 3/2 ，这是元素 Si 的特征，还有其他氧化 Si 物质，Si 1+（100.4 eV）、Si 2+（101.9 eV）、Si 3+（102.6 eV）和 Si 4+（103.7 eV）。1, 2。元素 Si 峰的存在证实样品由 Si 制成。宽氧化峰表明氢化物端接的 Si-QDs 在转移过程中与环境氧发生了反应，而 Si-QDs 本质上并不存在这些反应。对于氢化硅化 Si-NC（图 S2(b)），我们发现元素 Si 峰与合成样品类似，还有对应于 Si-C（101.3 eV）和 Si- R/Si(O)R（101.8 和 102.3 eV）3 的峰，而氧化 Si 物质没有产生显著贡献。图 S2(c) 中所示的氢化硅化 Si-QDs 的 C 1s 光谱分别显示存在 C=C（284.5 eV）、CC（285.1 eV）和 C- Si（283.9 eV）4，没有氧化物相关峰，与 Si 2p 元素光谱一致。该结果与 FTIR 观察结果一致，并证实了氢化物封端的 Si-QDs 通过氢化硅化用烷基钝化。
硅光子学-CEA -LETI
CEA-LETI的Vertatile Photonics平台提供了200毫米和300毫米CMOS兼容的过程，可利用行业前工业化设备的顶部。除了硅外，CEA-LETI还掌握了无定形SI，SIGE，GE和SIN层的整合和堆叠。因此，CEA-LETI现在提供了几个图片平台：•光子学SOI•超低损失SI 3 N 4•SIGE / SI•3-8 µm波长•GE / SIGE低损失8-12 µm波长CEA-LETI CEA-LETI不仅证明了IIII-V-Bonded bybond bybond bybondepie bynepie and epi-epi-epi-epi-epi-epi-ln的集成。新一代性能激光器，调节器和探测器的超导材料。
3DD13009 NPN 硅外延平面晶体管
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用掺杂的硅化加热器在2μm
摘要：2- µm波段已被认为是下一代低损失，低延迟光学通信的潜在电信窗口。热光（TO）调节器和开关，它们是大规模集成光子电路中必不可少的构件，其性能直接影响芯片光子系统的能耗和重新配置时间。基于2 µm波带的金属加热器调制之前，响应时间缓慢和高功耗。在本文中，展示了在2- µm波段的工作，高性能的热马赫德干涉仪和环谐振器调节器。By embedding a doped silicon (p ++ -p-p ++ ) junction into the waveguide, our devices reached a record modulation efficiency of 0.17 nm/mW for Mach–Zehnder interferometer based modulator and its rise/fall time was 3.49 µ s/3.46 µ s which has been the fastest response time reported in a 2- µ m-waveband TO devices so far.对于基于环的谐振器调节器，在2- µm的设备中，在2- µm中的最低Pπ功率为3.33 mW。
晶体硅太阳能电池板 CPV ...
硅电池的输出电压较小，一个电池的输出电压约为 0.6 V。要达到 24 V 的输出电压，至少需要 40 个电池。CPV GaAs 电池的电压大约高出 4 倍。一个电池的输出电压约为 3 V。要达到 24 V 的输出电压，只需要 8 个电池。达到所需电压所需的电池数量越少，CPV 面板的可靠性就越高。