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多巴胺检测用硼掺杂金刚石膜电极材料与电化学性能研究
摘要 ：脑内神经递质多巴胺 (DA) 的含量异常与帕金森病、阿尔兹海 默症等神经系统类疾病的发生发展密切相关，精准、实时监测其脑 内含量可作为临床诊疗的重要参考。电化学分析法具备成本低、响 应快、可实现体内实时监测等优势。然而，脑内复杂环境中蛋白吸 附、多物质共存等因素会极大干扰多巴胺的定量分析，这对电极的 灵敏度、选择性和稳定性提出了极高的要求。因此，研发出满足要 求的电极材料是实现多巴胺电化学检测临床应用的关键。掺硼金刚 石 (BDD) 电极生物相容性好、背景电流低、电势窗口宽、抗吸附性 强、化学稳定性高，相较于易团聚、易脱落而失效的金属纳米颗粒 或电阻较大的高分子材料， BDD 电极更具潜力解决上述多巴胺检测 的难点问题。然而， BDD 电极虽能有效抵御蛋白吸附，但在多巴胺 的选择性检测方面存在不足： BDD 电极表面缺乏能够高灵敏度、高 选择性检测多巴胺分子的官能团。因此，在保持 BDD 本征特性的基 础上，系统研究 BDD 电极表面改性与功能化修饰对电化学检测多巴 胺的选择性、灵敏度和稳定性的影响机理，是 BDD 电极实现临床应 用的关键。基于此，本论文从 BDD 膜电极的功能性改性与修饰到 BDD 微电极体内检测，系统研究了 BDD 膜电极在多巴胺电化学检测 中的作用机理，揭示了 BDD 电极界面性质对多巴胺分子氧化过程的 影响规律，所得具体结论如下： (1) 针对 BDD 电化学活性较低的问题，采用高温溶碳刻蚀和滴 涂修饰方法，在 BDD 电极表面刻蚀纳米孔洞并修饰 Nafion 选择性透 过膜（ NAF ），制备了 Nafion 修饰的多孔 BDD 复合电极 NAF/pBDD ； 研究了该复合电极对多巴胺的电化学检测机理，揭示了 NAF/pBDD 复合电极比 BDD 电极具有更多活性位点的原因，同时探究了 Nafion 膜对多巴胺和抗坏血酸的作用机制；该电极针对多巴胺的检测限 (42 nM) 和检测线性范围 (0.1 ~ 110 μM) 相较于 BDD 均得到了有效改善。 (2) 针对 BDD 电极对多巴胺选择性较弱的问题，在 pBDD 表面 修饰活性更高的纳米炭黑颗粒 (CB) ，制备了 NAF-CB/pBDD 复合电 极，研究了炭黑颗粒的加入对主要干扰物抗坏血酸 (AA) 电化学响应 的影响机理，揭示了该电极在高浓度、多干扰物并存环境下对多巴 胺的选择性检测机制。结果表明，该电极可有效将干扰物抗坏血酸 的氧化电位提前以减少对多巴胺信号的干扰，检测限 (54 nM) 和检测
过渡金属钙钛矿的高压高温合成及物性
GaAs 的压力 - 电阻曲线 ， (c) 6.0 mm 切角二级压砧校压结果 ， (d) 2.5 mm 切角二级压砧校压结果 Fig.3 Pressure calibration of 1 000 t Walker-type apparatus: (a) ZnTe resistivity-pressure curve using 6.0 mm edge lengthsecond stage anvil; (b) GaAs resistivity-pressure curve using 2.5 mm edge length second stage anvil; (c) pressure calibration result using 6.0 mm edge length second stage anvil; (d) pressure calibration result using 2.5 mm edge length second stage anvil
特刊 - 硼苯和基于硼的纳米材料
苯丙烯是由硼原子组成的二维（2D）材料，由于其出色的机械性能，已成为广泛研究的焦点，甚至超过了石墨烯的强度和柔韧性。这些属性在健壮和弹性纳米材料的发展中呈现唯一的关键。此外，它的高电导率和各向异性电子特性在高级电子和储能技术中提供了有希望的机会。其独特的化学反应性为催化中提供了潜在的应用，尤其是在氢储存和燃料电池中。纳米材料的本期特刊旨在展示唯一的基于硼苯和硼基化合物的最新进步，突出显示其合成，性质和多面应用，包括理论和实验方面的进步。通过介绍该领域的主要专家的尖端研究，我们希望吸引高质量的提交，从而有助于本期刊的高影响力和意义，从而在这一令人兴奋的研究领域促进进一步的进步和合作。
六角硼硝化硼的深紫外光谱
从散装到单层guillaume cassabois laboratoire查尔斯·库仑（UMR5221）CNRS-montpellier University，F-34095 Montpellier，法国guillaume.cassabois.cassabois@umontpellier.fr Hexagonal Boron Nitride（Hexagonal Boron Nitride（Hbbn）依靠其低介电常数，高导热率和化学惰性。2004年，高质量晶体的生长表明，HBN也是深层硫酸群域中发光设备的有前途的材料，如加速电子激发[1]在215 nm处的激光证明[1]，也证明了激光的表现[1]，也证明了LASITIOL ELLICTER ELLICTIOL [1]，也证明了LASITER IN-type-type-type-type-type-typepe inter-typepe intype intype-ultraviolet [1]。具有类似于石墨烯的蜂窝结构，大量HBN作为具有原子光滑表面的石墨烯的特殊底物获得了极大的关注，更普遍地是范德华异质结构的基本构建块[3]。我将在此处讨论我们的结果，以从批量到单层的HBN的光电特性。i将首先关注散装HBN，这是一个间接的带隙半导体，具有非凡的特性[4]。i将介绍我们最近的测量结果，揭示了散装HBN中巨大的光 - 物质相互作用[5]。然后，我将向单层HBN讲话。在通过高温MBE在石墨上生长的样品中，在与原子上薄的HBN发射的共鸣中发现了最小的反射率，从而证明了单层HBN的直接带隙[6]。最近通过从散装晶体中去除的单层HBN中的深度硫酸盐中的高光谱成像进一步证实了这些结果[7]。参考
δ-5硼单层作为Li
我们使用密度函数理论模拟的δ-5硼单层作为碱金属（AM）和碱 - 地球金属（AEM）离子电池的阳极材料的电化学性能。探索了Δ-5硼M on洛耶木中各种金属原子（M）的电子特性，吸附，扩散速率和存储行为。我们的研究表明，电子和金属离子传输（0.493-1.117 eV）具有较高的电导率和低激活屏障，表明快速充电/放电速率。此外，发现LI，Na和K的δ-5硼单层的理论能力大于商业石墨的理论能力。AM和AEM的平均开路电压相当低，在0.34-1.30 V的范围内。我们的结果表明，δ-5硼单层单层可能是锂离子和非锂离子可充电电池中有希望的阳极材料。关键字：2D材料；吸附；储能；模拟;扩散简介
血浆诱导的六角硼硝化硼的光活性缺陷
六角硼硝酸盐（HBN）在过去十年中一直是众多研究工作的主题。是在HBN中产生光学活性缺陷，因为它们易于整合，例如在范德华（Van der Waals）异质结构及其室温光子发射。在HBN中创建此类缺陷的许多方法仍在研究中。在这项工作中，我们介绍了使用具有不同等离子体物种的远程等离子体在HBN中创建单个缺陷发射器的方法，并从统计上报告了结果。我们使用了氩气，氮和氧等离子体，并报告了由不同气体物种及其光学特性产生的发射器的统计数据。特别是，我们检查了血浆过程前后的去角质片的发射，而无需退火步骤，以避免产生不受血浆暴露引起的发射器。我们的发现表明，纯物理氩等离子体治疗是通过血浆暴露在HBN中创建光学活性缺陷发射器的最有希望的途径。
重振美国硼供应链
本演示文稿中的信息包括经修订的 1995 年私人证券诉讼改革法案所定义的“前瞻性陈述”。除历史事实陈述外，本演示文稿中有关我们的业务战略、计划、目标和宗旨的所有陈述均为前瞻性陈述。在本演示文稿中使用时，“相信”、“预计”、“期望”、“预期”、“估计”、“打算”、“预算”、“目标”、“宗旨”、“战略”、“计划”、“指导”、“展望”、“意图”、“可能”、“应该”、“可能”、“将”、“会”、“将会”、“将继续”、“可能导致”等词语和类似表达旨在识别前瞻性陈述，但并非所有前瞻性陈述都包含此类识别词。这些前瞻性陈述基于 5E 对未来事件的当前预期和假设，并基于有关未来事件结果和时间的当前可用信息。我们提醒您，这些前瞻性陈述受所有风险和不确定因素的影响，其中大多数难以预测，且许多超出我们的控制范围，这些风险和不确定因素与我们打算生产的关键材料的开采以及先进材料的生产和开发有关。这些风险包括但不限于：对我们继续经营的能力存在重大疑虑，并且需要在拟议发行后筹集大量额外资本；我们在硼酸盐和锂行业的经营历史有限，并且没有从我们资产的拟议开采业务中获得收入；我们需要大量额外融资才能继续经营和执行我们的业务计划，以及我们获取资本和金融市场的能力；我们是一家依赖于单一项目的勘探阶段公司，没有已知的 SK 1300 法规矿产储量，并且矿产资源估算存在固有的不确定性；我们缺乏矿产生产历史，以及实现我们的业务战略（包括我们的下游加工目标）相关的重大风险；我们迄今为止遭受的重大净经营亏损以及可预见的未来继续遭受亏损的计划；与 Fort Cady 项目开发有关的风险和不确定性，包括我们及时成功完成小型硼设施的能力；我们获得、维护和续签开发活动所需政府许可的能力，包括满足任何此类许可的所有强制性条件；某些削减开支措施的实施和预期收益，以及我们不时向美国证券交易委员会 (SEC) 提交的文件中规定的其他风险和不确定性。如果发生这些风险或不确定性中的一个或多个，或者基本假设被证明不正确，我们的实际结果和计划可能与前瞻性陈述中表达的结果和计划存在重大差异。对于本文所含的任何信息（包括预测、估计、目标和意见），我们不作任何明示或暗示的陈述或保证，也不应依赖这些信息，对于本文所含的任何错误、遗漏或失实陈述，我们不承担任何责任。请注意不要过分依赖任何前瞻性陈述，这些陈述仅代表本演示文稿发布之日的观点。除非适用法律另有要求，否则我们不承担更新任何前瞻性陈述的义务，也不打算更新任何前瞻性陈述，所有这些陈述均受本节陈述的明确限制，以反映本演示文稿发布之日后的事件或情况。
表面重组和六角形硼硼的游离激子的平面外扩散率
1 Laboratory of Study of Microstructures, Onera-CNRS, University Paris-Saclay, BP 72, 92322 CHECTILLON CEDEX, France 2 University Paris-Saclay, UVSQ, CNRS, GEMAC, 78000, Versailles, France 3 Tim Taylor Department of Chemical Engineering, Kansas State University Manhattan, KS 66506, USA 4 Laboratory of Multimate and Interfaces, UMR CNRS 5615, Univ Lyon University Claude Bernard Lyon 1, F-69622 Villeurbanne, France 5 Laboratory Mateis, UMR CNRS 5510, Univ Lyon, INSA Lyon, F-69621 Villeurbanne, France 6 Research Center for Materials Nanoarchitectonics, National Institute for Materials Science, 1-1 Namiki, Tsukuba 305-0044，日本7电子和光学材料研究中心，国家材料科学研究所，1-1 Namiki，Tsukuba，Tsukuba 305-0044，日本（日期：
第22届硼国际研讨会，...
p17自我传播高温合成产生的TIB2的PARK血浆烧结，Ahmet Turan 1（Yeditepe University，Yeditepe University，türkiye1）Filiz Cinar Sahin 2，Gultekin Goller 2，Gultekin Goller 2，OnuralpYücel2 p18 DFT 2 p18 dft分析了氢诱导的NAOK的NAOKON NAOK的氢化型（βBorion）（βbor的结构转化（日本1）Tadashi Ogitsu 2，Takanobu Hiroto 3，Wataru Hayami 3，Kohei Soga 4，Kaoru Kimura 5