XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System符号率
澳大利亚电视广播电视广播 ...
使用 COFDM，每个载波频率的符号率要低得多，大约每秒 850 个符号。这意味着符号的物理间距约为 350kM，而不是 50 米。反射信号要干扰当前信号，就需要一个额外路径长度为 350 公里的幽灵，在悉尼，这意味着它需要从纽卡斯尔附近某个建筑物上反弹！每个 COFDM 载波实际上都是一个单独的无线电发射器，在较低的音频范围内调制。多径接收（重影）会使模拟电视几乎无法观看，但对 DVB-T 没有任何影响。这种情况非常类似于在汽车收音机上接收 AM；即使在高速行驶时，AM 也很少发生信号丢失。
澳大利亚的电视广播 电视广播...
对于 COFDM，每个载波频率的符号率要低得多，大约每秒 850 个符号。这意味着符号之间的物理间隔约为 350 公里，而不是 50 米。反射信号要干扰当前信号，就需要一个额外路径长度为 350 公里的幽灵，在悉尼，这意味着它需要从纽卡斯尔附近某处的建筑上反射回来！每个 COFDM 载波实际上都是一个独立的无线电发射器，在较低的音频范围内调制。多径接收（重影）会使模拟电视几乎无法观看，但对 DVB-T 没有任何影响。这种情况非常类似于在汽车收音机上接收 AM；即使在高速行驶时，AM 也很少发生信号丢失。
用于 64 GBd QPSK 的多波段硅光子 ePIC 相干接收器
摘要 — 多波段相干通信被视为一种有希望的候选技术，可满足日益增长的更高数据速率和容量需求。同时，相干通信有望在不久的将来进入数据中心领域。随着数据和电信领域的相干数据链路跨越多个光波段，相干收发器设计和流量工程的新方法将成为必需。在本文中，我们提出了一种用于 O 波段和 C 波段的单片集成硅光子相干接收器。该接收器采用 2×2 多模干涉耦合器网络，作为针对 1430 nm（E 波段）优化的 90 ◦ 混合。总功耗为 460 mW，占地面积约为 6 mm 2，光电带宽为 33 GHz。 64 GBd 操作在 O 波段和 C 波段上得到演示，这与 C 波段最先进的硅光子相干接收机相比具有竞争力，并且是 O 波段相干通信迄今为止的最高符号率。
硅光子学
执行摘要 最新技术摘要 在过去 20 年中，硅光子学已成为光子集成电路 (PIC) 的一项极具吸引力的技术，因为它直接建立在硅纳米电子领域的极度成熟基础之上。因此，它开辟了一条通往非常先进的 PIC 的道路，具有非常高的产量和低成本。更准确地说，今天，硅光子 PIC 正在 200 毫米和 300 毫米 CMOS 代工厂中以纳米级精度和可重复性进行商业化生产，这从光子学的角度来看是前所未有的。基本技术利用绝缘体上硅 (SOI) 晶圆，其中埋氧层顶部的硅层充当连接芯片上器件的波导的核心。由于硅是导光材料，氧化硅是包层，该技术可以解决波长范围约为 1 至 4 m 的应用，从而包括以 1300nm、1550nm 和 1550(+)nm（分别为 O、C 和 L 波段）为中心的非常重要的光纤光谱带。硅光子学已经成为十多家公司（其中大部分是无晶圆厂公司）用于数据中心和电信网络中高数据速率收发器产品的首选技术。总的来说，他们向市场部署了估计数百万个硅光子收发器。大约有 20 个硅光子制造平台（部分为工业平台，部分为支持原型设计和小批量制造的研究机构平台）已经建立，这些平台基于现有基础设施和源自硅电子行业的专有技术（见附录 A1）。典型平台允许集成高速调制器和高速 Ge 探测器，符号率范围为 50 至 100 Gbaud，以及用于光束组合/分裂、波长选择功能、偏振选择功能和片外耦合的高级无源功能。一些平台允许其他功能，例如与高级电子设备的集成（单片或混合）、光源的集成（异构或混合）以及面向传感的功能（例如微流体）。大多数平台的运作方式类似于代工厂：任何最终用户都可以访问它们，无论是全掩模版/全晶圆批次 (FRFL) 模式还是成本分摊多项目晶圆 (MPW) 模式，其中最终用户可以提交部分掩模版的设计，并将收到几十个处理过的芯片而不是完整的晶圆。 FRFL 模式成本高昂（数十万欧元/美元），但每芯片成本较低（每芯片约 10 欧元/美元），而 MPW 模式每设计成本更实惠（数十万欧元/美元），但每芯片成本约 1000 欧元/美元。当扩展到更高产量（例如 1000 片晶圆）时，芯片成本可降至每芯片 1 欧元/美元以下，因为固定掩模和间接成本在整个批次中摊销。当代工厂基础设施的投资已经折旧或与其他用户共享时，较低的单芯片成本也会受益。芯片代工厂向其客户提供工艺设计套件 (PDK)。这些 PDK 详细说明了给定平台的设计规则，并包含基本组件和电路库。硅光子学 PDK 的成熟度尚未达到 CMOS IC 代工厂的水平。今天，硅光子学 PDK 仅包含非常基本的构建模块库，特别是对于 MPW 操作模式。未来的硅光子学 PDK 必须包含组件和电路的紧凑模型，其参数基于经过验证的测量数据，并考虑到晶圆之间和晶圆之间的工艺变化。