在过去的几十年中,数字和模拟集成电路的集成密度和性能经历了一场惊人的革命。虽然创新的电路和系统设计可以解释这些性能提升的部分原因,但技术一直是主要驱动力。本课程将研究促成集成电路革命的基本微制造工艺技术,并研究新技术。目标是首先传授构建微型和纳米器件的方法和工艺的实际知识,然后教授将这些方法组合成可产生任意器件的工艺序列的方法。虽然本课程的重点是晶体管器件,但许多要教授的方法也适用于 MEMS 和其他微型器件。本课程专为对硅 VLSI 芯片制造的物理基础和实用方法或技术对器件和电路设计的影响感兴趣的学生而设计。30260133 电子学基础 3 学分 48 学时
I. 主席 Chris Leffingwell 于下午 3:05 宣布会议开始。除委员 Tim Kelley 和 Steve Nicholas 外,所有成员均出席。II. Orlin Emmons 主持祈祷,Chris Leffingwell 主持效忠宣誓。III. 财务报告 - 县书记员 Lori Hendricks 提交的财务报告显示当前余额为 $2,495,689.33。Tim Conroy 提出动议并经 Brian Kuester 附议接受该报告。动议以以下投票结果获得通过:Stephens 赞成;Conroy 赞成;Leffingwell 赞成;Kuester 赞成;Emmons 赞成。IV. 会议记录 - Norm Stephens 提出动议并经 Chris Leffingwell 附议批准会议记录。动议以以下投票结果获得通过:Stephens 赞成;Conroy 赞成;Leffingwell 赞成;Kuester 弃权;埃蒙斯,是的。
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在脑类器官中[58]。 (f)TPP制造光子晶体微纳米传感单元[59]。 (g)成像在脑类器官中[58]。(f)TPP制造光子晶体微纳米传感单元[59]。(g)成像
(b),6.000 nm(c),8.900 nm(d)和9.300 nm(e),其中颜色表示不同的局部晶体结构:蓝色-BCC,绿色-FCC,RED-HCP和White-Inninnown; (f)在1860 PS和d = 9.300 nm的纳米线内的应变分布,其中原子是通过其局部剪切应变颜色的。