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World File Search System结合态
在栅极定义的Inas＆sol; al nanowires中的Andreev结合态的非局部电导光谱
在半导体的纳米线（NWS）中，通过一层超导体，来自正常金属接触的隧道频谱揭示了粒子孔象征符号符号符号符号符号符号（ABSS），该状态（ABSS）位于设备中，由电气孔，设备，设备界限，或限制在设备内部，或者。Andreev反射的过程在存在超导间隙的情况下实现了可测量的电流。在正常和超导相之间的边界上的电子和孔之间反映了与相结合镜的光子反射相似[2-4]。最近，已经意识到一种设备的几何形状，可以在两个正常的导线上测量连接到相同近端的NW的频率电流，同时使母体超导体接地[5，6]。非局部电导被测量为在一个探针上的差分电流响应，以响应在另一个探针上施加的差分电压。对于小于超导间隙的施加电压，非局部运输是由夫妇到相关隧道探针的Andreev状态介导的。观察研究预测了具有特定自旋轨道和Zeeman效应的NWS拓扑相变的非局部相变的特征签名[7-10]。与局部和非局部电导有关的特征对称关系已通过实验报告[5]。在实验中也报道了在非局部电导段中在非局部电导率中测得的诱导间隙的结束[6]。使用相同的传输过程，已使用与一个超导和两个正常导线耦合的量子点来证明Cooper-Pair分裂[11-14]。在蒸汽液体固定的NWS和碳纳米管中，已报道了由量子点状态诱导的亚段状态的非局部态度[13、15、16]。
Znmgo光学微孔谐振器的耦合特性
基于Znmgo薄膜的光学微孔谐振器（MRR）在从紫外线到近红外的波长范围内的激光频率转换和电气调制的新型光子设备展开了独特的潜力。在这项工作中，我们探讨了通过光子damascene工艺制备的Znmgo光学MRR的耦合系数（κ）对环的间隙（g）和radius（r）的依赖性。通过调整G和R值，可以实现从0.29到0.78的κ范围。模拟和实验结果都表明，κ随着g或/和增加R.的增加而增加。此外，κ对MRR的结合态和共振峰深度具有显着影响。这些发现将Znmgo光学MRR铺平了在Si上的各种紧凑的非线性光子设备上。