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“双碳”目标下数字经济与产业结构扭曲对新疆能源强度的影响
降低能源强度是实现“双碳”目标、建设美丽新疆的重要举措。本文选取2010—2020年新疆14个地区的面板数据，运用动态面板数据模型、空间杜宾模型、中介效应模型和面板平滑过渡模型，实证检验数字经济和产业结构扭曲对新疆能源强度的影响。研究结果表明：数字经济可以降低能源强度，但存在区域异质性；产业结构扭曲显著增加了新疆能源强度；数字经济有效缓解了产业结构扭曲，从而抑制了能源强度；数字经济对新疆能源强度的影响具有中介效应和调节效应，且随着产业结构扭曲的改善，数字经济对新疆能源强度的抑制作用呈下降趋势。因此，需要加快发展数字经济，减少产业结构扭曲，加强环境规制，促进技术创新，合理调整能源价格，提高外商直接投资准入门槛，扩大对外开放，推动“四化”同步科学发展，消除产业结构扭曲的根源，从而降低能源强度。
VAJIRAM 和 RAVI GS MAINS 可能于 2022 年推出 - 第 1 部分 第 1 页
中央政府的回应 • 中央政府告诉最高法院，中国模式表明，任何强制生育一定数量孩子的措施都是适得其反的，会导致人口结构扭曲。事实上，中国国家立法机关最近正式批准了三胎政策。原因是，人口控制政策在中国已被证明是倒退的，这一点从以下事实中可以看出——
具有双发射的一维有机金属卤化物纳米带
金属卤化物钙钛矿和钙钛矿相关的有机-无机杂化材料已成为一类重要的功能材料，具有广泛的应用，包括太阳能电池、发光二极管 (LED)、闪烁体等。通过控制有机和金属卤化物成分，这类杂化材料具有出色的结构可调性，这导致了分子水平上各种低维结构的发展，从准二维 (2D) 到层状二维、波纹二维、一维 (1D) 和零维 (0D) 结构。1 由于金属卤化物被有机成分隔离，这些材料中可以实现不同程度的电子带形成和结构扭曲，表现出与 3D 金属卤化物钙钛矿不同的独特光学和电子特性。2 例如，窄带发射
通过离子门控调制外延磁铁矿薄膜的 Verwey 转变
理解磁铁矿 (Fe3O4) — 一种强关联磁性氧化物 — 中的 Verwey 跃迁是一个百年老话题，由于最近的光谱研究揭示了它的轨道细节，它重新引起了人们的极大关注。这里报道了通过使用离子门控调整轨道配置来调制 Verwey 跃迁。在外延磁铁矿薄膜中，绝缘的 Verwey 态可以连续调整为金属态，表明低温三聚体态可以通过栅极诱导的氧空位和质子掺杂可控地金属化。离子门控还可以反转异常霍尔系数的符号，这表明金属化与具有竞争自旋的新型载流子的存在有关。与符号反转相关的可变自旋取向源于栅极诱导的氧空位驱动的结构扭曲。
na功能化$ {\ rm {irt}}} {{\ rm {e}} _ 2} _ 2} $ monolayer：被抑制的费用订购和电场调谐拓扑相变
具有原子厚度的二维材料通常比其散装对应物具有优越的可调性，对新型纳米技术显示出巨大的希望。在分层的过渡金属二核苷元素IRTE 2中表现出由电荷顺序诱导的复杂结构扭曲，导致其相应单层材料的应用产生困难。在这里，使用第一个原理计算，我们证明在IRTE 2单层表面沉积Na可以抑制结构变形以形成稳定的Nairte 2板。它自然会破坏反转对称性，以实现Rashba型自旋分裂以进行潜在的自旋应用。此外，引入的空的na频带和IRTE 2单层的价带可以通过垂直电场的应用来反转，从而实现了从正常绝缘体到拓扑绝缘子的量子相变。这样的电场控制拓扑相变是实现拓扑场效应晶体管的希望。这些发现不仅提供了一种可行的方法来稳定IRTE 2单层，而且还扩大了其在旋转和低衰减的托泊托管中的应用。
超低氧气氛中半导体氧化钇薄膜的反应脉冲直流磁控溅射沉积：光谱
摘要 利用反应脉冲直流磁控溅射技术进行了一项实验研究，探索了在 623 K (± 5K) 下沉积的半导体氧化钇薄膜的光谱和结构特性。根据 x 射线衍射和透射电子显微镜测量的结果，一氧化钇很可能在 β-Y 2 O 3 和 α-Y 2 O 3 之间的过渡区中形成，并伴有晶体 Y 2 O 3 。由于 4d 和 5s 轨道之间的能量分离低和/或相应轨道亚能级的自旋状态不同，一氧化物的稳定性在热力学意义上最有可能受晶体大小的自身限制。与金属氧化物立方结构相比，这种行为会导致晶体结构扭曲，并且还会影响纳米晶/非晶相的排列。此外，椭圆偏振光谱法表明半导体氧化钇的形成特征比结晶的 Y 2 O 3 更显著，且大多为非晶态。我们的目的是利用目前的研究结果，加深对不寻常价态 (2+) 钇的形成动力学/条件的理解。
硼和氮掺杂碳的最新进展......
原子锁定硅中的位错，从而提高机械强度。[2,3] 用具有不同氧化态的各种元素掺杂硅的影响已得到充分证实。在碳材料中，通过化学取代可以带来物理和化学性质的显著变化。已知碳可以形成复合材料，并且可以掺杂各种材料，包括聚合物、金属氧化物、金属硫化物、金属氮化物、MXenes、金属有机骨架 (MOF) 等。[4–13] 然而，已经证明，用杂原子掺杂碳质材料可以改善各种性能，这是由于导电性增强、缺陷引入、孔隙率增强以及层间距离调整。近年来，一些报告强调了碳质材料在各种应用方面的进展，包括能源应用、传感应用和光伏应用。例如，2013 年，Thomas 和 Paraknowitsch 回顾了碳质材料的设计，并强调了它们在能源设备中的应用。[14] 根据该报告，S 和 P 掺杂导致碳基质中原子尺寸变化，引起结构扭曲和电荷密度改变
苏核苷酸对非酶模板指导聚合影响的结构解释
核糖核苷酸的生物起源前合成可能伴随着非规范核苷酸的合成，包括 TNA 的苏核苷酸构件。在这里，我们研究了活化苏核苷酸参与非酶模板指导聚合的能力。我们发现，与核糖核苷酸相比，多个连续苏核苷酸单体的引物延伸非常不利。动力学、核磁共振和晶体学研究表明，这部分是由于引物延伸过程中咪唑桥接 TNA 二核苷酸中间体的形成速度较慢，部分是由于攻击 RNA 引物 3'-羟基与进入的苏核苷酸中间体的磷酸盐之间的距离较大。在存在活化下游 RNA 寡核苷酸的情况下，即使是单个活化苏核苷酸，添加到引物中的速度也比活化核糖核苷酸慢 10 倍。相反，RNA 引物末端或 RNA 模板中单个活化的苏核苷酸仅导致引物延伸率略有下降，这与晶体结构所揭示的微小和局部结构扭曲相一致。我们的结果与异质原始寡核苷酸通过复制循环产生越来越同质的 RNA 链的模型相一致。
有机间隔物对明亮的二维层状钙钛矿发光二极管的关键作用
这种材料在有机发光领域具有极高的应用前景。例如，由于量子或电介质限制效应，光学带隙随着有机间隔物之间八面体层数的减少而变宽。[3,4] 最近，发现表面态是由层状钙钛矿的局部结构扭曲引起的。[5] 由于高发射量子效率和光学特性的大可调性，人们致力于利用准二维/三维钙钛矿[6–8]和低维钙钛矿制造发光二极管 (LED)。[9–14] 典型的准二维/三维和低维钙钛矿基 LED 输出高亮度 10 3 – 10 5 cd m − 2 以及 10–20% 的外部量子效率。 [9,12,15,16] 支撑如此高性能的发射机制有多种物理原因。例如，有人提出，低维钙钛矿中激子的高结合能起着重要作用，促进了辐射复合，从而产生了高发射量子产率。[17] 其他研究将高效发射归因于薄膜上不同厚度（或 n 数）的量子阱形成的能量景观，这些量子阱将电荷载流子级联到能量最低的发射位点进行复合。[14]
反铁电氧化物膜中的尺寸诱导铁电性
尽管对铁电体的尺寸效应进行了广泛的研究，但是反铁电体的结构和特性在尺寸减小的情况下如何演变仍然难以捉摸。鉴于反铁电体在高能量密度存储应用方面具有巨大潜力，了解它们的尺寸效应将为优化小尺度器件性能提供关键信息。本文研究了无铅 NaNbO 3 膜中反铁电性的基本本征尺寸依赖性。通过广泛的实验和理论方法，探究了膜厚度减小后有趣的反铁电到铁电的转变。这种尺寸效应导致 40 nm 以下的铁电单相，以及在此临界厚度以上铁电和反铁电序共存的混合相状态。此外，结果表明反铁电和铁电序是电可切换的。第一性原理计算进一步表明，观察到的转变是由膜表面引起的结构扭曲驱动的。这项工作为反铁电体中内在尺寸驱动的缩放提供了直接的实验证据，并展示了利用尺寸效应通过膜平台驱动环境无铅氧化物中的突发特性的巨大潜力。