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World File Search System绝缘体
光驱动 IV 族单硫属化物中正常到拓扑绝缘体马氏体相变
摘要 一种可能表现出具有不同光电特性的多个晶相的材料可用作相变存储材料。当两个竞争相具有较大的电子结构对比度并且相变过程为无扩散和马氏体时，灵敏度和动力学可以增强。在这项工作中，我们从理论和计算上说明了这种相变可能发生在 IV 族单硫属化物 SnSe 化合物中，该化合物可以存在于量子拓扑平凡的 Pnma -SnSe 和非平凡的 Fm 3 m -SnSe 相中。此外，由于这些相的电子能带结构差异，揭示了 THz 区域的光学响应的巨大差异。根据驱动电介质的热力学理论，提出了使用具有选定频率、功率和脉冲持续时间的线性偏振激光进行光机械控制以触发拓扑相变。我们进一步估计了驱动可在皮秒时间尺度上发生的无障碍跃迁的临界光电场。这种光致动策略不需要制造机械接触或电引线，只需要透明度。我们预测，伴随大熵差的光驱动相变可用于“光热”冷却装置。
量子点混合系统中的自旋热电效应......
我们研究了由附着在磁绝缘体和金属电极上的单级量子点组成的混合系统的自旋热电特性。磁绝缘体被认为是铁磁类型的，是磁振子的源，而金属铅是电子的储存器。磁绝缘体和金属电极之间的温度梯度会诱导流过系统的自旋电流。产生的磁振子（电）型自旋电流通过量子点转换为电（磁振子）自旋电流。将流过系统的自旋和热流扩展至线性阶，我们引入了基本的自旋热电系数，包括自旋电导、自旋塞贝克和自旋珀尔帖系数以及热导。我们在两种情况下分析了系统的自旋热电特性：在大型点库仑排斥极限下以及当这些相互作用有限时。
用于绝缘体自旋电子学的 3d–5d 钙钛矿氧化物复合膜中绝缘亚铁磁性和垂直磁各向异性的出现
摘要：具有强垂直磁各向异性 (PMA) 的磁绝缘体在探索纯自旋流现象和开发超低耗散自旋电子器件中起着关键作用，因此它们在开发新材料平台方面非常有吸引力。在这里，我们报告了具有不同晶体取向的 La 2/3 Sr 1/3 MnO 3 (LSMO)-SrIrO 3 (SIO) 复合氧化物薄膜 (LSMIO) 的外延生长，该薄膜通过脉冲激光沉积的连续双靶烧蚀工艺制成。LSMIO 薄膜表现出高晶体质量，在原子级上具有 LSMO 和 SIO 的均匀混合物。观察到亚铁磁和绝缘传输特性，温度相关的电阻率与 Mott 可变范围跳跃模型很好地拟合。此外，LSMIO 薄膜表现出强的 PMA。通过进一步构建亚铁磁绝缘体LSMIO和强自旋轨道耦合SIO层的全钙钛矿氧化物异质结构，观察到显著的自旋霍尔磁阻（SMR）和自旋霍尔类异常霍尔效应（SH-AHE）。这些结果表明亚铁磁绝缘体LSMIO在开发全氧化物超低耗散自旋电子器件方面具有潜在的应用价值。关键词：钙钛矿氧化物，磁性绝缘体，垂直磁各向异性，自旋霍尔磁阻，自旋电子学■引言
![arxiv：2404.04602v1 [cond-mat.str-el] 2024年4月6日](/simg/e\e045e9e2124577c0644e5b915b12009ef2dcdc2f.webp)
arxiv：2404.04602v1 [cond-mat.str-el] 2024年4月6日
带有曲折的分层系统最近由于发现了许多FAS量子阶段的发现，例如Mott绝缘体1-5，超导性6、7和拓扑阶段8-10。的含义，而Hubbard模型则用于研究各种有趣的阶段，包括Mott绝缘体11，轨道选择性阶段12-15，键订购的绝缘体16、17，超导性18、19，抗fiferromagnetism 20-22等，已经对十十年代感兴趣。因此，在哈伯德模型中引入曲折可能会引起新的阶段，目前是热门话题。到目前为止，已经花费了很多努力，这些模型在描述了扭曲的过渡金属二进制二色元23 - 27或扭曲的双层石墨烯28上，预测了相关阶段的数量。此外，一些著作研究了扭曲的双层方形晶格上的哈伯德模型，但主要是在超导相变的基础上29，30。然而，在扭曲的双层方格晶格上，莫特绝缘子，带绝缘子和金属之间的相变保持未探索。
使用二氟化氙蚀刻绝缘体上的硅对芯片边缘硅微悬臂进行表面微加工
Thomas Lerond、Dmitri Yarekha、Vanessa Avramovic、Thierry Melin、S. Arscott。使用氙二氟化物蚀刻绝缘体上的硅，对芯片边缘硅微悬臂进行表面微加工。《微力学与微工程杂志》，2021 年，31 (8)，第 085001 页。�10.1088/1361- 6439/ac0807�。�hal-03411474�
使用多层电驱动等离子体光栅实现均匀发光
通过金属-绝缘体-金属隧道结的非弹性隧穿 (LEIT) 发光是一种超快发射过程。它是在集成电路上实现从电信号到光信号的超快转换的有前途的平台。然而，现有的 LEIT 器件制造程序通常涉及自上而下和自下而上的技术，这降低了它与现代微加工流程的兼容性并限制了其在工业扩大规模中的潜在应用。在这项工作中，我们通过使用原子层沉积生长的多层绝缘体作为隧道屏障来解除这些限制。我们首次完全通过微加工技术制造 LEIT 器件，并在环境条件下表现出稳定的性能。在整个有源区域上观察到均匀的电致发光，发射光谱由金属光栅等离子体形成。在 LEIT 中引入多层绝缘体可以为设计隧道屏障的能带景观提供额外的自由度。所提出的制备稳定的超薄隧道势垒的方案也可能在广泛的集成光电器件中找到一些应用。