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集成自偏置电源的设计...
1 硕士技术学者，2 助理教授 1&2 电子与通信工程系，1&2 Shri Ram 工程与管理学院，Banmore Gwalior，印度 摘要：最近，AC-DC 电力电子技术变得越来越高效和具有成本效益，但总有改进的空间。本研究论文涉及 APFC 恒流降压型开关电源中集成自偏置电源的设计和分析。它提出了一种有源功率因数校正 (APFC) 低侧恒流降压型 SMPS IC 中的集成自偏置 VCC 电源，该电源没有外部磁芯和铜线绕组。使用低侧恒流降压转换器的 7W LED 驱动器对设计的电路进行了评估和验证。实验结果表明，基于所提方案的 IC 具有出色的效率、EMI 性能并且功耗更低。所提出的电源电路的应用也可以扩展到其他转换器，例如降压、降压-升压、反激和 Zeta。索引术语 - APFC 低侧 CC 降压转换器、自偏置 VCC、电荷泵单元。
50 至 150 VIN、28 V 5 A 同步降压转换器 ...
此参考设计是一款 28 V 输出、5 A 同步降压转换器，适用于输入范围为 50 V 至 150 V 的太空应用。TPS7H5001-SP PWM 控制器控制功率级。INA901-SP 感应电感电流并向控制器提供电流反馈，从而实现平均电流模式控制和输出短路保护。如果不需要这些功能，可以移除 INA901-SP，并使用电压模式控制运行 TPS7H5001-SP。TPS7H5001-SP 的可调死区时间允许优化开关 MOSFET 的时序，从而在 100 V 输入下实现超过 94% 的效率，在 50 V 输入下实现超过 96% 的效率。包含一个自偏置电路，可直接从输出为控制电路供电。如果提供外部 12 V 偏置，则可以移除自偏置电路，从而提高效率。
超流二极管效应、自旋扭矩和稳健零点
我们考虑三层 F 1 F 2 F 3 约瑟夫森结，它们在二维上是有限的，并且每个铁磁体 F i (i=1,2,3) 具有任意磁化强度。三层夹在两个 s 波超导体之间，它们具有宏观相位差∆ φ。我们的结果表明，当磁化具有三个正交分量时，超电流可以在∆ φ = 0 处流动。利用我们的广义理论和数值技术，我们研究了电荷超电流、自旋超电流、自旋扭矩和态密度的平面空间分布和∆ φ 依赖性。值得注意的是，当将中心铁磁层的磁化强度增加到半金属极限时，自偏置电流和感应二次谐波分量显著增强，而临界超电流达到其最大值。此外，对于很宽范围的交换场强度和方向，系统的基态可以调整为任意相位差 ϕ 0 。对于中间层 F 2 中的中等交换场强度，可以出现 ϕ 0 状态，从而产生超导二极管效应，从而可以调整 ∆ ϕ 以产生单向无耗散电流。自旋电流和有效磁矩揭示了半金属相中的长距离自旋扭矩。此外，态密度揭示了相互正交磁化配置的零能量峰的出现。我们的结果表明，这种简单的三层约瑟夫森结可以成为产生实验上可获得的长距离自偏置超电流和超流二极管效应特征的绝佳候选者。
模拟电子学（REC3C001）
模块 — I（12 小时） MOS 场效应晶体管：FET 和 MOSFET 的原理和操作；P 沟道和 N 沟道 MOSFET；互补 MOS；E- MOSFET 和 DMOSFET 的 VI 特性；MOSFET 作为放大器和开关。BJT 的偏置：负载线（交流和直流）；工作点；固定偏置和自偏置、带电压反馈的直流偏置；偏置稳定；示例。FET 和 MOSFET 的偏置：固定偏置配置和自偏置配置、分压器偏置和设计模块 — II（12 小时）BJT 的小信号分析：小信号等效电路模型；CE、CC、CB 放大器的小信号分析。Rs 和 RL 对 CE 放大器操作的影响、射极跟随器；级联放大器、达林顿连接和电流镜电路。 FET 的小信号分析：小信号等效电路模型、CS、CD、CG 放大器的小信号分析。CS 放大器上的 RsiG 和 RL 的匹配；源极跟随器和级联系统。模块 —III（8 小时）FET 和 BJT 的高频响应：BM 和 FET 的高频等效模型和频率响应；CS 放大器的频率响应、CE 放大器的频率响应。模块 —IV（6 小时）反馈放大器和振荡器：负反馈和正反馈的概念；四种基本反馈拓扑、实用反馈电路、正弦振荡器原理、WeinBridge、相移和晶体振荡器电路、功率放大器（A、B、AB、C 类）。模块 — V（7 小时）运算放大器：理想运算放大器、差分放大器、运算放大器参数、非反相配置、开环和闭环增益、微分器和积分器、仪表放大器。书籍：
采用低成本 0.5 µM D-MODE 的单电源 0.1-3.5 GHZ 低噪声放大器设计
宽带（多倍频程）LNA 采用各种架构设计，包括分布式（行波）、平衡和电阻反馈配置 [9]。电阻反馈被广泛用于实现多种 LNA 性能（工作频率范围、噪声系数、增益、增益平坦度、线性度、VSWR、功耗）之间的权衡 [9, 10]。在基于电阻反馈的可能配置中，共源共栅 LNA 不仅可以在其工作频带上提供平坦的增益和功率，还可以在同一频带内提供平坦的线性度和更高的输出阻抗（更好的宽带潜力）[11]。因此，本文介绍了基于电阻反馈配置和自偏置技术的单正电源共源共栅 LNA。
0.9 V 差分逆变器的设计和特性-...
摘要 — 运算跨导放大器 (OTA) 是许多电子电路（如模拟滤波器和数据转换器）的重要组成部分。由于功耗低，低于 1V 的模拟电路在物联网 (IoT) 应用中越来越受欢迎。此外，人们还在探索基于数字的 OTA，以实现高能效。本文涉及一种基于反相器的 OTA 的实现，该 OTA 采用自偏置技术，通过实现差分差分放大器在共模频带中工作，以减轻在弱反相下工作的不必要变化。OTA 采用 180 nm CMOS 技术设计，由 0.9 V 电源供电。在 GBW 接近 36.66 MHz 的情况下实现了 52.22 dB 的直流增益。对于 10 pF 的负载电容，功耗为 203.71 µW。索引术语 — OTA 反相器、差分放大器、自极化、低压。
03,09，光激发电子从Alas/GAAS异质结构的光电导率中的光激发电子扩散的作用
半导体P - i -n异质结构被广泛用作辐射探测器，并在光电子中具有多种应用[1-4]。在这种半导体结构中的能量吸收高于禁止带宽度的光导致电子孔对产生。对，在耗尽的I -Area中产生或从I -Area到掺杂n-和P-层的深度的扩散长度的距离与电场分开，因此电流出现在外部电路中[4]。光电流值将用载体的漂移电流定义，该载体在I -Area中产生，以及在I -Area外产生的载体的扩散电流。在某些条件下，半导体结构的光响应可以检测到多个各种量子振荡事件。例如，由于光电声发射的光激发电子和孔的放松导致光电流振荡，具体取决于刺激光子的能量[5]。在GAAS/ALAS或INGAN/GAN P -I -N超晶格中观察到来自偏置电压的光电流振荡[6,7]。在工作[8]中，研究了P - I -N-二极管在光谱光谱上的I -i -i -n-二极管中的INAS层的影响，并显示了此类异质系统对创建敏感光探测器的效率。后来，在这样的单屏障GAAS/ALAS异质结构中（见图1）在辐照时观察到巨大的光电流振荡[9,10]，光子能量高于GAA中的光子能量高于禁止带宽度，而GAA中的光子宽度高，这似乎是多种共振 - 类似于Volt-Ampere特性（VAC）的特殊性。振幅为光电流时的平均光值的20％，其光线为λ= 650 nm，而在具有单个隧道屏障的p - i -i -n -diodes中，这是不可能的，这是不可能的。观察到了那个时期