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JC Bose 科技大学、基督教青年会、...
第一单元 直流电路：欧姆定律和基尔霍夫定律；独立电压源激励的串联、并联和串并联电路分析；功率和能量；电磁学：法拉第定律、楞次定律、弗莱明规则、静态和动态感应电动势；自感、互感和耦合系数的概念；磁场中储存的能量；磁滞和涡流损耗。第二单元 网络定理：叠加、戴维南和诺顿定理、互易定理、补偿、最大功率传输、特勒根和米尔曼定理、定理在直流和交流电路中的应用。
![arXiv:2111.11184v1 [physics.ins-det] 2021 年 11 月 22 日](/simg/0\0122e5130a1b771c92006aa8ae69ef85b63b6248.webp)
arXiv:2111.11184v1 [physics.ins-det] 2021 年 11 月 22 日
摘要：本文介绍了一种采用 130 nm SiGe BiCMOS 技术设计的小面积单片像素探测器 ASIC，用于升级 CERN 的 FASER 实验的预流探测器。该原型的目的是研究快速前端电子器件在像素敏感区域内的集成，并确定能够最好地满足实验规格的配置。为了应对与像素内前置放大器和鉴别器集成相关的若干挑战，自感噪声、不稳定性和串扰被最小化。还将描述用于特性描述和设计选择的方法。这里研究的两种变体将在 FASER 实验预流的预生产 ASIC 中实施，以进行进一步测试。
建筑和建筑材料
同时将不同的功能分配给结构元素仍然具有挑战性。在这项研究中，首次开发了一种适用的多功能平面编织复合材料，具有增强，自感和自加热的能力。在此路线中，使用了三种商业织物，包括棉花，棉/聚酰胺和聚酯。首先对织物进行化学处理，然后使用具有不同浓度和层的丝网印刷涂层碳纳米材料的聚合物导电糊。然后将样品覆盖并用热塑性聚氨酯聚合物密封，以避免Envi Ronmental因子影响。智能平面复合材料（SPC）也被用作水泥标本的加固。还评估了样品的电导率和焦耳加热能力。使用各种测试研究了SPC的微观结构。使用不同的载荷模式评估了用不同SPC的胶结复合材料的机械性和自感应性能。结果显示，加热速率为0.44°C/ s，焦耳加热功率为0.7 w/°C，最高温度为44°C，这证明了胶结材料的适当加热能力，该能力是由SPC增强的。电阻率变化与应变值之间的很大相关性表明该复合材料在不同应用中应变感应中具有很高的电位。SPC还改善了试样的裂缝后行为及其弯曲强度和失败应变，分别提高了约50％和118％。这项研究的结果在多功能编织的复合开发中占据了明亮的视野，在民用基础设施中使用了不同的应用，这是智能城市进步的关键步骤。
UV 灯丝
本章首先讨论紫外和中红外细丝的主要定性差异：从紫外的多光子电离到近红外到中红外的隧道电离。然后对单个细丝的特性与波长的关系进行一般定性分析。由于它们的脉冲持续时间长，因此可以对其传播进行准稳态理论分析。特征值方法可得出与汤斯孤子相比的稳态场包络。但是，该解足够接近高斯形状，可以证明参数演化方法的合理性。在此理论介绍之后，接下来是在 266 nm 处进行实验验证。飞秒紫外细丝是用频率三倍的 Ti:sapphire 源和 KrF 放大器生成的。长脉冲细丝的源是振荡器放大器 Nd-YAG Q 开关系统，频率加倍、压缩，然后再次频率加倍，以达到 300 mJ 能量的 170 ps 脉冲。亚纳秒持续时间的紫外脉冲可能会重新引发关于灯丝是移动焦点还是自感波导的争论。最后两节介绍了紫外灯丝的两种应用。结果表明，通过利用发射光谱中观察到的窄下降，可以实现同位素选择性激光诱导击穿光谱 (LIBS)。这些下降是由于灯丝撞击固体后产生的羽流中的物质重新吸收造成的。这些吸收线只有几微米宽，并且恰好位于物质从基态跃迁的波长中心，没有任何斯塔克位移或增宽。最后一种应用是激光诱导放电，这是一种引导放电，它完全遵循诱导紫外灯丝的路径。激光诱导放电可用于控制闪电，这是欧洲热衷研究的一个课题。
ccf-电子元件.pdf
[学分：4 (3Th + 1P)] ELT-H-CC-1-1-TH 课程名称：电路理论和电子设备基础 [学分：3；授课时数：45] UNIT-I [12 小时] 电路元件：电阻和电阻器：类型、颜色编码和额定功率，可变电阻器，电容和电容器：类型、颜色编码和额定电压，电感和电感器：类型、颜色编码，电感线圈，空心和铁心线圈，自感和互感，变压器。电路分析：电压和电流源的概念，与电感器相关的磁通漏守恒和与电容器相关的电荷，基尔霍夫电压定律，基尔霍夫电流定律，电压和电流源的变换，网格分析和节点分析，星三角网络和转换。直流分析：直流激励下串联 RL 和 RC 电路的瞬态响应。交流分析：电路参数响应、交流激励下串联 RL、RC 和 RLC 电路的频率响应、电感器和电容器的品质因数 (Q)、串联和并联谐振电路、Q 因数。网络定理：叠加定理、戴维南定理、诺顿定理、互易定理和最大功率传输定理。第二单元 [11 小时] 半导体基础：半导体材料：类型和特性，固体能带的概念：金属、绝缘体和半导体、本征和非本征半导体、P 型和 N 型半导体、能带图、有效质量的概念、直接和间接带隙半导体、费米能级、态密度、半导体中电流传导的机制（漂移和扩散）、漂移速度、迁移率、电阻率、电导率、霍尔效应（无推导）。结型二极管及其应用：PN 结：晶圆级结构、能带图、耗尽层、二极管方程和 IV 特性、理想二极管、静态和动态电阻、反向饱和电流、齐纳和雪崩击穿、齐纳二极管、作为电压调节器的齐纳二极管、整流器：半波整流器、全波整流器（中心抽头和桥式）、峰值反向电压、纹波系数、效率、线路调节率、负载调节率、变压器利用率、并联电容滤波器、泄放电阻器的概念。
无线充电系统中面向应用的线圈设计
图 3.11：系统性能比较…………………………………………………………………….56 图 3.12：初级双极线圈和初级单极线圈的互操作性研究…………..58 图 4.1：模拟中的线圈结构…………………………………………………………………………62 图 4.2：所提线圈结构的 MAXWELL 模拟模型概览和正面视图…………………………………………………………………………………….63 图 4.3：用于接收器的空心圆柱体……………………………………………………………………...64 图 4.4：所提线圈结构和同轴线圈结构中的设计变量…………………………………...64 图 4.5：所提线圈结构中的旋转角、同轴线圈结构中的旋转角以及随旋转角变化的互感……………………………………...66 图 4.6：YZ 平面中的磁通密度…………………………………………………………...68 图4.7：ZX 平面的磁通密度………………………………………………………………...68 图 4.8：XY 平面的磁通密度………………………………………………………………...69 图 4.9：线圈参数说明…………………………………………………………………………72 图 4.10：发射器 A 处的全桥逆变器和接收器 c 处的全桥整流器……………..73 图 4.11：接收器 c 和发射器 A 的等效互感模型………………………………..75 图 4.12：第 4.4 节中提出的线圈结构的仿真和实验模型……………………………………………………………………………………77 图 4.13：随气隙变化的自感和互感………………………………..79 图 4.14：实验设置……………………………………………………………………………………80 图 4.15： P out = 1.0 kW 和 CR = 12 Ω 时的波形……………………………………………………81 图 4.16：环境空气条件下 CR 模式和 CV 模式下的系统性能…………...81 图 4.17：三种条件下的系统性能………………………………………………………………...82 图 5.1：所提出的理想线圈结构和仿真模型概述……………………………………………...84 图 5.2：所提出的理想线圈结构和之前的线圈结构中的旋转错位……………………………………………………………………………………86 图 5.3：第 4 章中提出的理想线圈结构和之前的线圈结构的总互感随旋转错位的变化…………………………………………………87 图 5.4：所提出的分段线圈设计……………………………………………………………………...88 图 5.5：所提出的分段线圈设计与之前的线圈设计中总互感随旋转错位的变化错位..………………89 图 5.6：YZ 平面、ZX 平面和 XY 平面的磁场分布………………..90 图 5.7：电路图………………………………………………………………………………92 图 5.8：线圈原型的仿真模型………………………………………………………………95 图 5.9：总互感的模拟和测量结果………………………………………………96 图 5.10：采用所提出的线圈结构的无线充电系统的实验装置…………………………97 图 5.11：系统完全对齐且旋转错位为 30° 时的波形…….97 图 5.12：旋转错位时输出功率和 DC-DC 效率的实验结果……………………………………………………………………………………98
CIS 堆叠技术
灵敏度 - 数字成像 - 像素 - 量子效率 - 复位 - 正向偏置 - 区域板 - 通道电位 - 全帧成像器 - PPD - 采样频率 - 光子散粒噪声 - VGA - 产量 - 暗固定模式噪声 - 反向偏置二极管 - 收集效率 - 逐行扫描 - 动态范围 - 薄膜干涉 - 固定光电二极管 - 光谱灵敏度 - 饱和电压 - 双线性成像器 - 光子传输曲线 - 行间传输图像传感器 - 电荷耦合器件 - 微透镜 - 暗电流散粒噪声 - E SD - 条纹滤波器 - 数码相机 - 拼接 - 高斯分布 - 硅 - 热噪声 - 传感器结构 - 亮度 - 浮动扩散放大器 - 转换因子 - 闪烁 - MOS 电容 - 辐射单位 - 移位寄存器 - 带隙 - 黄色 - 补色 - 光电门 - 列放大器 - 纹波时钟 - 反转层 - CMOS 成像器 - 对数响应 - 普朗克常数 - 电荷泵 - 阈值电压 - 埋通道 CCD - 暗电流 - 噪声等效曝光 - MSB - 转换因子 -缺陷像素校正 - 边缘场 - 分辨率 - 双相传输 - 正透镜 - 角响应 - PRNU - 波长 - 帧传输成像器 - 电荷注入装置 - 测试 - 通道定义 - 摄像机 - 光晕 - 隔行扫描 - 彩色滤光片 - 自动白平衡 - 虚拟相位 - 拖尾 - 单斜率 ADC - 表面电位 - 耗尽层 - 垂直防光晕 - 多相钉扎 - 电子快门 - PAL - 埃普西隆 - 相关双采样 - 蓝色 - CIF - 洋红色 - 填充因子 - 延迟线 - 线性响应 - 规格 - 结深 - 复位噪声 - 线性图像传感器 - 光学低通滤波器 - 二氧化硅 - 光电二极管 - 勒克斯 - 闪光 ADC - 定时抖动 - 拥有成本 - 封装 - 光刻 - 有源像素传感器 - DSP - 积分时间 - 三相传输 - 光子通量 - 晶圆级封装 - 电荷泵 - 滤光轮 - 有效线时间 - 吸收深度 - 玻尔兹曼常数 - 弱反转 - LSB - 水平消隐 - 光栅滤波器 - 帧抓取器 - 原色 - 拜耳模式- 缩放 - 功耗 - 单色仪 - 模拟数字转换 - 光固定模式噪声 - 无源像素传感器 - 彩色棱镜 - SGA - 氮化硅 - 温度依赖性 - 负透镜 - sigma delta ADC - 混叠 - 插值 - 传输效率 - F 数 - 红色 - 动态像素管理 - 栅极氧化物 - 热漂移 - 热噪声 - 扩散 MTF - 有源像素传感器 - 泄漏器 - 1/f 噪声 - 青色 - 信噪比 - 孔径比 - 奈奎斯特频率 - 非隔行扫描 - 像素内存储器 - 四相传输 - 技术 - kTC 噪声 - 辐射损伤 - 离子注入 - MOS 晶体管 - 内透镜 - 光度单位 - 表面通道 CCD - 延时和集成成像器 - 宽高比 - 绿色 - NTSC - 单芯片相机 -可见光谱 - 调制传递函数 - 同步快门 - 马赛克滤光片 - 背面照明 - 色彩串扰 - 量化噪声 - 逐次逼近 ADC - 压缩 - 漏极 - 多晶硅 - 堆叠 - 光子转换 - 飞行时间 - 吸收系数 - DIL - 收集体积 - 孔 - 四线性成像器 - 单相传输 - 填充和溢出 - 收集效率 - 垂直消隐 - 源极跟随器 - 雪崩倍增 - 辐射 - 横向防晕 - 晶圆上测试 - 自感场 - 自动曝光 - 泊松分布 - 电荷复位 - 伽马