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World File Search System节点线
Dirac 磁单极与Berry 相位
nodal奇异性在不同的波函数中，相圆形的闭合曲线的变化通过任意倍数的2次曲线可能有所不同，因此没有足够的确定能够以电磁场的形式立即解释。它必须具有一个确定的价值，因此可以在6个矢量𝑬𝑬，通过小的闭合曲线的通量上解释而没有任何歧义，而该曲线的通量也必须很小。然而，当波函数消失时，发生了一种例外情况，因为它的相位没有含义。由于波函数很复杂，其消失将需要两个条件，因此一般而言，它消失的点将沿着一条线。我们将这样的线称为节点线。如果我们现在采用一个通过小闭合曲线的节点线的波函数，我们只能说，相位的变化将接近2𝜋𝜋𝜋𝜋，其中n是一个整数，正或负数。此整数将是节点线的特征。我们获得了相圆形的小闭合曲线的变化
V4C3 MXene：具有作为镁离子电池高性能负极材料的潜力的 II 型节点线半金属
锂离子电池（LIB）具有循环寿命长、能量密度高、稳定性好等优点，被广泛应用于便携式设备和电动汽车。[1] 然而，全球锂供应有限、成本和安全问题以及对其环境影响的担忧严重阻碍了 LIB 的大规模应用。[2] 因此，后锂离子电池如钠离子（Na + -ion）、钾离子（K + -ion）、钙离子（Ca + 2 -ion）和镁离子（Mg + 2 -ion）电池因其能量密度提高、成本降低、安全性增强、储量丰富以及对环境更加友好而备受关注。[3] 在这种情况下，Mg + 2 和 Ca + 2 等多价离子会经历单电子以上的氧化还原反应，与相应的单价电池相比，其体积能量密度更高。此外-
SiO2/Si 中的机械光谱和内耗
开发了用于激发和记录厚度 h S 300 ÷ 500∙10 3 纳米和直径 D 60 ÷ 100∙10 – 3 米的 SiO 2 /Si 圆盘状晶片中的阻尼弯曲共振的方法、设计和制造了用于测量结构敏感内耗 (IF) Q – 1 的装置。开发了用于无损检测圆盘状半导体基板中结构缺陷积分密度 nd 和破损层深度 h bl 的技术。通过测量谐波频率 f 0 、f 2 下的 IF 背景 Q – 1 0，可以通过实验确定振动圆盘的节点线。这样就可以对寻找这些节点线的理论计算进行修正，同时考虑到圆盘的线性尺寸及其连接方法。研究了 X 射线和电子辐照 SiO 2 /Si 盘状晶片板后的温度中频谱 Q – 1 ( Т )。结果发现，在测量过程中，Si 结构缺陷的退火会改变温度中频谱 Q – 1 ( Т ) 的形状。在以速度 V Δ T/ Δ t ≤ 0.1 K/с 加热 SiO 2 /Si 晶片板时，可以观察到由点缺陷形成的中频峰 Q – 1 M 。这使得能够确定辐射缺陷各向异性复合体重新取向的活化能 H 。通过建立中频背景参数 Q – 1 0 的稳定性，可以确定半导体晶片板及其基于的器件的抗辐射性。所提出的方法可用作控制微电子用半导体晶片板晶体结构缺陷的无损方法。
通过扭曲
Wang及其同事对3DMoiré晶体结构范围的数学演示可以实现，从而使非亚伯式物理学的结果令人着迷。值得注意的是3D晶体独有的特征：Weyl点的存在[9]。Weyl点是类似于2D晶体中出现的狄拉克点的线性分散能带的相交。合成一种材料的材料，其能带结构包含Weyl点为探索各种有趣现象（例如拓扑保护的表面状态和手性异常）打开了大门。近年来，研究人员成功地设计了各种复杂的3D结构来生成Weyl点[9，10]。令人惊讶的是，王和同事的数值工作表明，仅通过扭转两个立方格的晶格，最终的3DMoiré晶体容纳了许多Weyl点和节点线。此结果表明3DMoiré晶格代表了创建拓扑材料和相应异国情调状态的替代途径。