副本编号33 - 美国海军上校 C. K. Tooke,船舶局 - 主席副本 NC。34 - 美国海军上校 R. A. Hinners,David Taylor Moiel Basin 副本编号35 - Corclr,R.H, Lauhert,美国海军船舶局 副本编号23 - Ccdndr.R.D. Schmidtman,美国海岸警卫队,美国海岸警卫队总部,副本编号。36 - W. G. Frederick,美国海事委员会副本编号。37 - Hubert Kempel,陆军运输部办公室主任副本编号。36- I. R. Kramer,海军研究办公室“副本 IJo.21 - Mathew Letich,美国航运局副本编号。22 - Jsmes MCIntosh,美国海岸警卫队副本编号。39 - V. L. RUSSO,LJ.S.Laritine 委员会副本编号26 - R. E, Wiley,英国海军副本编号海军副本编号27 - J. L. Nilson,美国航运局副本编号16 - Finn Jonassen,联络代表,NRC 副本编号40 - E. H, Davidson,AISI 联络代表,副本编号 41 ~~~W.Paul Gerhart,AISI 联络代表,副本编号25 - ‘jm.Spraragen,WRC 联络代表
副本编号 1+6-Comdr.RS Mandelkorn,美国海军,武装部队特种武器项目副本编号 24 - AG Bisseli,舰船局副本编号 47 - A. Amirikian,船厂和船坞局副本编号 48 - J. W, Jenkins,舰船局副本编号 149- Noah Kahn,纽约海军造船厂副本编号 50 - i。 M. MacCutcheon,Jr., Qvid Taylor模型盆地副本编号。51 – WR Osgood,DavidTaylor模型盆地副本编号。52 – NE Promisel,航空局副本编号。53 – John Vasta,舰船局副本编号。54 – JE Walker,舰船局,代码 343 副本编号。55 和 56 – 美国海军工程实验站副本编号。57 和 58 – 海军研究实验室副本编号。59 – 纽约海军造船厂,材料实验室副本编号。60 – 工业测试实验室,费城海军 bhipyx'd 副本 1?0。 61 - 费城海军造船厂副本编号 62 - 旧金山海军造船厂副本编号 63 - David TaylorModelBasin,收件人:图书馆副本 64 和 65 - 出版物委员会,海军部,通过船舶局,代码 330c
副本编号 1+6-Comdr.RS Mandelkorn,美国海军,武装部队特种武器项目副本编号 24 - AG Bisseli,舰船局副本编号 47 - A. Amirikian,船厂和船坞局副本编号 48 - J. W, Jenkins,舰船局副本编号 149- Noah Kahn,纽约海军造船厂副本编号 50 - i。 M. MacCutcheon,Jr., Qvid Taylor模型盆地副本编号。51 – WR Osgood,DavidTaylor模型盆地副本编号。52 – NE Promisel,航空局副本编号。53 – John Vasta,舰船局副本编号。54 – JE Walker,舰船局,代码 343 副本编号。55 和 56 – 美国海军工程实验站副本编号。57 和 58 – 海军研究实验室副本编号。59 – 纽约海军造船厂,材料实验室副本编号。60 – 工业测试实验室,费城海军 bhipyx'd 副本 1?0。 61 - 费城海军造船厂副本编号 62 - 旧金山海军造船厂副本编号 63 - David TaylorModelBasin,收件人:图书馆副本 64 和 65 - 出版物委员会,海军部,通过船舶局,代码 330c
副本编号37 - CaptainC.M. Tooke,美国海军,船舶局,主席 副本编号38 - CaptainR.A. Hinners,美国海军,David TaylorModelBasin 副本编号39 - Comdr.R.H,L+ambert,美国海军,船舶局 副本编号27 - Comdr.R.D. Schmidtman,美国海岸警卫队,美国S. 海岸警卫队总部 副本编号~0 - vi,G.Frederick,美国,S. 海事委员会副本编号。/+1- HubertKempel,陆军部运输部主任办公室副本编号。25 - MathewLetich,美国航运局副本编号。26 - JamesMcIntosh,美国。S,海岸警卫队副本编号。1+2- R. M. Robertson,海军研究办公室,美国。~。海军副本编号。43 - V. L. Rueso,美国。5. iuaritimeCommission 副本编号。30 - R. E. Wiley,美国航运局。S. Navy 副本编号, 31 - J. L. Wilson,美国航运局。 副本编号。16 - Finn Jonassen,联络代表,NRC 副本编号。44 - E; H, Davidson,联络代表,AISI 副本编号。45 - W, Paul Gerhart,联络代表,AISI cOpYNO。29 - W. Spraragen,联络代表,WRC
副本编号 1+6-Comdr.RS Mandelkorn,美国海军,武装部队特种武器项目副本编号 24 - AG Bisseli,舰船局副本编号 47 - A. Amirikian,船厂和船坞局副本编号 48 - J. W, Jenkins,舰船局副本编号 149- Noah Kahn,纽约海军造船厂副本编号 50 - i。 M. MacCutcheon,Jr., Qvid Taylor模型盆地副本编号。51 – WR Osgood,DavidTaylor模型盆地副本编号。52 – NE Promisel,航空局副本编号。53 – John Vasta,舰船局副本编号。54 – JE Walker,舰船局,代码 343 副本编号。55 和 56 – 美国海军工程实验站副本编号。57 和 58 – 海军研究实验室副本编号。59 – 纽约海军造船厂,材料实验室副本编号。60 – 工业测试实验室,费城海军 bhipyx'd 副本 1?0。 61 - 费城海军造船厂副本编号 62 - 旧金山海军造船厂副本编号 63 - David TaylorModelBasin,收件人:图书馆副本 64 和 65 - 出版物委员会,海军部,通过船舶局,代码 330c
长度为一个晶粒直径数量级的解理微裂纹的形成被认为是断裂的初始步骤。假设解理所需的应力集中由厚的滑移带或孪生带提供,并计算这些屈服带的临界宽度。例如,在晶粒半径为 10-2cm 的铁中,临界滑移带宽度为 2 x 10-scm,该值与微裂纹附近的观察结果相一致。裂纹形成的第二阶段涉及微裂纹的半连续扩展,以形成不稳定的宏观裂纹。我们假定平面应变断裂发生在前进裂纹前方的屈服区域形成厚滑移带的条件下。需要做功来扩展初始微裂纹,并且该增量功用于计算线性断裂力学中所需的裂纹扩展力 GC。对于铁,微裂纹扩展力 'y 计算为 5 x 103 达因/厘米,GC 的最小值计算为 2.5 x 106 达因/厘米。这种方法强调了断裂所需的三个条件:1)应力和屈服带宽度的组合足以引起局部解理;2)系统中有足够的机械能来扩展裂纹;3)起始应力的临界值的发展,以便继续裂纹扩展。
在结束我的这部分报告时,我想这样说:根据我的经验,焊接结构的严重使用故障总是以某种脆性断裂告终,无论前述原因是什么 - 焊接缺陷、热变形区裂纹、疲劳裂纹等。因此,我不会低估研究焊接结构钢的脆性行为的重要性,特别是在低温和严重的焊接应力条件下,在最尖锐的缺口 (即自然裂纹) 影响下钢的强度。如今,有许多方法可以应用于此类研究,其中之一就是 NC 测试。8 该方法于 1951 年开发,用于确定焊接接头周围钢材的“标称解理强度”(附录 B)。Pelliru 及其同事最近的研究似乎遵循了与钢材断裂行为基本思想相同的思路,这些基本思想与应力、尖锐缺口和温度变化的影响有关。
在结束我的这部分报告时,我想这样说:根据我的经验,焊接结构的严重使用故障总是以某种脆性断裂告终,无论前述原因是什么 - 焊接缺陷、热变形区裂纹、疲劳裂纹等。因此,我不会低估研究焊接结构钢的脆性行为的重要性,特别是在低温和严重的焊接应力条件下,在最尖锐的缺口 (即自然裂纹) 影响下钢的强度。如今,有许多方法可以应用于此类研究,其中之一就是 NC 测试。8 此方法是在 1951 年开发的,用于确定焊接接头周围钢材的“标称解理强度”(附录 B)。Pelliru 和同事最近进行的研究似乎遵循了与钢材断裂行为与应力、尖锐缺口和不同温度的影响相关的基本思想相同的思路。
摘要:难熔高熵合金是一种很有潜力的高温结构材料,为获得高强度的难熔高熵合金,在NbMoTiVW难熔高熵合金中添加不同量的Si,研究了Si对NbMoTiVWSi x 合金的相组成、组织特征和力学性能的影响。结果表明:当Si添加量为0、0.025和0.05(摩尔比)时,合金由晶间区的初生BCC和二次BCC组成;当Si添加量增加到0.075和0.1时,形成了包括硅化物相和二次BCC相的共晶组织。初生BCC相呈现树枝状形貌,加入Si使其细化;当Si添加量由0增加到0.1时,晶间区的体积分数由12.22%增加到18.13%。 Si的加入使NbMoTiVW合金的抗压强度由2 242 MPa提高到2 532 MPa,屈服强度也随着Si的加入而提高,NbMoTiVWSi 0.1的屈服强度达到最大值2 298 MPa,但合金的断裂应变由15.31%降低到12.02%。随着Si的增加,合金的断裂机制由韧性和准解理混合断裂转变为解理断裂。Si的加入使合金的强化作用归因于初生BCC相的细化、次生BCC相的体积分数的增加以及共晶组织的形成。
因此,对于应用而言,非常需要一种带隙与 β -Ga 2 O 3 一样宽但对称性更高的材料。最近,Galazka 等人报道了块体熔融生长的高结构质量 ZnGa 2 O 4 (ZGO) 单晶,可由其制备不同取向的绝缘和半导体晶片。[11,12] ZGO 结晶为立方尖晶石结构(Fd3m 空间群),如图 1 中的球棒模型所示。尖晶石是指一类化学式为 AB 2 X 4 的化合物,其中 A 是二价阳离子,如 Zn,B 是三价阳离子,如 Ga,X 是二价阴离子,如 O。在 ZGO 的正常尖晶石结构中,Zn 占据四面体位置,而 Ga 占据八面体位置。在高温熔体生长过程中,八面体和四面体位置的占据是随机的。[11] 长时间冷却可稳定正常尖晶石结构,而较短的冷却时间会引入反位缺陷。反位缺陷导致 n 型导电性,自由电子浓度在 10 18 – 10 19 cm 3 的数量级上。在氧化气氛中以 800 – 1400 C 的温度进行 10 小时的生长后退火或在 700 C 的温度进行 40 小时的生长后退火后,ZGO 晶体可转变为绝缘状态。[11 – 13] 由于其立方尖晶石结构,ZGO 具有各向同性的热性能和光学性能。发现 ZGO 的光学带隙为 4.6 eV,接近 β -Ga 2 O 3 的光学带隙,并且没有观察到优选的解理面。[11,12]
