冷凝器和压载电阻亨利本人设计了大部分电气系统;作为一名自学成才的电气工程师,他逐渐改善了他的组件,有时是多年来。因此,它们已成为激烈讨论的主题,有时甚至是迷惑的主题。他的点火系统是一个很好的例子 - 如今,维护良好的20HP点火系统可以成为可靠性的模型;我们的汽车将在冬季的冬眠后立即开始,并在所有地形和气候中度过了一个夏天的夏季。证明了他设计可靠性和寿命的哲学。尽管如此,神话和传说有足够的机会,其中一些在下面概述。点火系统的原理相对简单,由低张力电路和高张力电路组成。当接触断路器打开主线圈产生的磁场时,几乎立即降至零,并在二次线圈中诱导高压,该电压由分配器馈送到火花塞。但是,由于两个电路之间的反馈以及极快的振荡和共振,点火电路非常困难地描述了数学上的描述。这种动态电气系统在数学上总是比稳态,例如直流电流或缓慢变化,例如正常的交流电系统。冷凝器是一个必不可少的组件,有助于控制这些谐振电路,很幸运,冷凝器的确切电容(FARAD值)并不是太危险。现代的12伏线圈通常需要约0.2微型法拉德(μF)的冷凝器。其主要线圈的电阻约为4欧姆,设计用于传递最佳电流(3-4安培),以生成线圈内部的磁场。原始的Royce 4伏线盘具有1.3欧姆主电源,需要约3欧姆的镇压电阻才能达到最佳的3-4安培电流。4伏线圈需要较高电容的冷凝器,例如0.3μF,以实现最佳性能。已故的大卫(David)其他人对此进行了研究,因为在业余时间,他曾经将原始的劳斯莱斯冷凝器恢复为20 hps。他确认他测量的大多数现代“ 12伏”冷凝器约为0.2μf。在拆除Royce冷凝器之前,他检查了其价值:他可以在0.25至0.3μf的范围内获得电容读数,这与某些构建表上显示的值一致(例如,请参见Fasal的第164页的第164页,其中适合45G2的冷凝器记录为0.31μf)。电容值。都同意David,RR最初提供了一个0.3μF的冷凝器,其4伏线圈。大卫曾经用来翻新您的原始冷凝器。他将其拆除并清洁,并在里面安装了现代的0.3μf电容器。总的来说,他为所有者做了20多个以上,而且据他所知,他从来没有任何失败。在1927年的短时间内,有20 hps装有一个冷凝器,顶部有两个连接器,第二个连接器是地球。也许罗伊斯(Royce)担心,依靠简单的压力拟合将冷凝器的套管与分配器机构连接起来,这不是足够的roycean!但是,该公司在几个月后恢复为原始设计,因此两连电的冷凝器相对罕见。照片显示了一个安装在我1927年GXL39的两个连接器冷凝器。这是大卫其他人为我找到的。
单元 1:放大器 16 小时 多级放大器:多级放大器的需求和使用、总增益、级联与共源共栅。RC 耦合放大器。达林顿放大器 - 电路、电流增益、Zi、Zo、优点。功率放大器:电压与功率放大器、功率放大器的需求、分类 A 类、C 类(仅提及)B 类:推挽放大器、工作、效率(推导)、交叉失真、谐波失真、互补对称(无变压器)。比较。调谐放大器:需要单调谐和双调谐、工作、频率响应曲线、优点和缺点、耦合说明。JFET - 类型 - p 沟道和 n 沟道、工作和 IV 特性 - n 沟道 JFET、参数及其关系、BJT 和 JFET 的比较。共源放大器、MOSFET:E&D、MOSFET – n 沟道和 p 沟道、构造、工作、符号、偏置、漏极和传输特性、CMOS 逻辑、CMOS 反相器 - 电路、工作和特性。单元 2:反馈放大器和振荡器 10 小时反馈:反馈类型正反馈和负反馈、框图、反馈对 Av、BW、Zi 和 Zo 的影响(仅适用于电压串联反馈放大器电路)。振荡器的需求;正反馈、储能电路 – 振荡、谐振频率。巴克豪森振荡准则、LC 调谐振荡器 - Colpitts 和 Hartley 振荡器、振荡频率(无推导)、最小增益、优点和缺点、RC 振荡器 - 相移和 Wein 桥振荡器(无推导)、频率和最小增益、晶体振荡器、压电效应、等效电路、串联和并联谐振电路、Q 因子。非正弦振荡器:非稳态多谐振荡器,工作波形,频率公式(仅提及),单稳态多谐振荡器,双稳态多谐振荡器(触发器概念)。 单元 3:集成电路 04 小时 IC555 框图和引脚图。 IC555 应用 - 非稳态(推导)和单稳态多谐振荡器,压控振荡器。 施密特触发器。 IC 稳压器:LM317,IC78XX,79XX 系列(框图) 单元 4:运算放大器(Op-Amp) - 理论与应用 11 小时 Op-Amp 框图,引脚图 IC741,规格,理想和实际运算放大器参数的特性 - 输入偏置电流,输入失调电压,输出失调电压,CMRR,斜率 SVRR,失调零,开环运算放大器限制,闭环运算放大器。负串联反馈放大器的框图,反相和非反相反馈电路,增益,R if ,R of 。虚拟接地,单位增益带宽积。应用:加法器 - 反相和非反相,减法器,比例变换器,缓冲器,积分器,微分器(理想和实用)。比较器,过零检测器,有源滤波器 - 巴特沃斯一阶低通、高通、带通、带阻、全通滤波器。二阶滤波器(仅提及)。自学:04 小时 IC 制造技术。推荐教科书 1、运算放大器和线性电路,Ramakanth Gayakwad PHI,第 5 版,2015 年。2. 应用电子学教科书,RS Sedha
数千到数百万个敏感信号需要通过稀释制冷机的所有温度阶段进行传输,以操作由许多量子位组成的未来大规模量子处理器。导热同轴电缆数量的激增将超出制冷机的冷却能力,对量子核心造成不利影响。将控制电子设备降至低温允许使用现有的超导电缆,减轻低温阶段之间的热传导,并且似乎是实现操作量子位数可扩展性的明确途径。这项博士论文旨在探索在低温下将工业 CMOS 28nm 全耗尽绝缘体上硅 (FD-SOI) 技术用于量子计算应用。我们的第一个目标是将有关低温下 FD-SOI 28nm 晶体管的稀疏现有知识扩展到电路设计的实际方面,然后用于开发紧凑模型。为了加快对具有长达一小时的固有冷却周期的单个器件的表征,我们设计了一个集成电路,该集成电路多路复用了数千个具有不同几何形状和栅极堆栈类型的晶体管,用于低频测量电流-电压特性和从 300 到 0.1K 的配对分析。我们讨论并分析了不同温度下电路设计中重要量的变化趋势,例如跨导、电导和单个晶体管的跨导与漏极电流比。其次,我们探索了半导体量子器件与经典电子器件的低温共积分和全片上集成,旨在实现低至毫开尔文范围的特定测量。我们首先通过设计和表征低功耗跨阻放大器 (TIA) 来关注量子点器件的亚纳安电流测量。高增益放大器成功应用于测量单量子点和双量子点器件的电流,这些器件分别通过引线键合几毫米或片上集成几微米。为了进一步利用集成到同一基板的优势,我们将 GHz 范围的压控振荡器连接到双点的其中一个栅极,以尝试观察完全集成设备中的离散电荷泵。最后,我们提出了一种新的测量方案,利用低温电子学功能作为众所周知的反射测量法的替代方案,解决了单个量子器件栅极电容的测量问题。通过在 200 MHz 范围内集成电压控制电流激励和电压感应放大器,两者都靠近连接到 LC 槽的量子器件,器件电容变化的读出电路变成纯集总元件系统,具有谐振电路的阻抗测量,而没有任何像反射法中那样的波传播。这种方法增加了测量装置的简单性和紧凑性。我们甚至用由晶体管和电容器组成的有源电感器取代了反射法中使用的笨重无源电感器,在相同电感下面积降低了 3 个数量级,从而提供了更好的可扩展性。由此产生的电路成功测量了 4.2K 下纳米晶体管的 aF 电容变化,揭示了栅极电容中随栅极和背栅极电压而变化的振荡量子效应。在这篇论文的最后,给出了一幅与电路架构和设计相关的挑战的图景,最终目标是进入大规模量子处理时代。