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低功率系统的1.8-NW sub-1V自偏见子gap参考
摘要提出了标准0.18- µm CMOS技术的超低功率子串电压参考电路。利用V Be和V Th的负温度特性，一种新型的自偏自偏电路结合了寄生BJT和MOSFET的组合，用于实现纳米瓦特功率调整的温度补偿的子带电压参考。测量结果表明，提议的电路提供的平均参考电压为261.6 mV，变化系数为0.86％。在27℃的供应电压范围为0.9 V至1.8 V，线调节（LR）为0.26％/V，电源排斥比（PSRR）为100 Hz时的电源排斥比（PSRR）为-49 dB。通过一次性进行修剪，在一组18个样本上进行的测量结果显示，温度平均温度平均温度为25.9 ppm/ o，温度范围为-20至100°C，C。电源耗散为1.8 nW，电源电压为0.9 v在27°C下为0.9°C。CHIP面积为0.0038 mm 2。关键字：超低功率，子频率电压参考，CMOS，温度系数，芯片区域分类：集成电路（内存，逻辑，逻辑，模拟，RF，传感器）
层流反应器中二丁醚异构体氧化的化学动力学研究
摘要：利用活塞流反应器，实验研究了三种对称柴油沸程醚异构体的燃烧动力学。这些异构体分别是二正丁基醚 (DNBE)、二异丁基醚 (DIBE) 和二仲丁基醚 (DSBE)。流动反应器实验采用氧气作为氧化剂，氦气作为稀释剂，氧化在大气压和高压条件下进行，温度从 400 到 1000，间隔为 20 K。燃料、氧化剂和稀释剂的流速在不同温度下变化，以在化学计量条件下保持恒定的初始燃料摩尔分数 1000 ppm，停留时间为 2 秒。反应产物用气相色谱 (GC) 分析。根据结构，醚表现出不同程度的负温度系数 (NTC) 行为。然后将 GC 分析的形态结果与使用现有和新开发的化学动力学模型的模拟结果进行比较。大多数模拟产物浓度与实验数据具有合理的一致性。化学动力学模型用于阐明不同异构体的反应性和 NTC 行为的主要特征。化学动力学分析表明，三种异构体的燃烧行为受低温反应过程中形成的关键物种的影响。在常压下，DNBE、DIBE 和 DSBE 确定的关键物种分别是正丁醛、异丁醛和仲丁醇。
关于聚苯乙烯/MWCNT的简短沟通研究...
摘要这项研究的目的是为任何量热法制造一种新型的温度传感器。引入了一种新的混合溶液方法，以制备聚苯乙烯/多壁碳纳米管纳米管纳米复合样品，其重量百分比为0.05、0.1、0.1、0.28、1和2的MWCNT。为了证明包含在聚合物基质中的分散状态，应用了SEM分析。另外，进行了XRD和拉曼光谱分析。在包含的约0.28重量％的情况下，研究并实现了电渗透阈值。最后，从室温到〜100ºC的样品测量样品的电阻。因此，对于大多数纳米复合材料样品，在T g之前和之后观察到正温系数和负温度系数效应。在20-50ºC下实现了电阻 - 温度曲线的最佳线性响应，该曲线使用二阶拟合曲线可以用来将T0〜70ºC用光。结果表明，在渗透阈值附近的聚苯乙烯/多壁碳纳米管纳米复合材料可以用作量热法的温度传感器。关键字：温度传感器，量热法，电渗透阈值，聚苯乙烯/MWCNT纳米复合材料，电阻。1。在过去的二十年中，由于纳米填充剂（例如碳纳米管（CNT））增强的聚合物材料（CNTS）吸引了科学和工业社区的广泛关注。CNT是聚合物基质的理想增强填充剂，因为它们的纳米尺寸，高纵横比，更重要的是它们出色的机械强度，电气和导热率[1]。聚合物-CNT纳米复合材料在柔性电池，太阳能电池，抗固定器件，电磁干扰屏蔽，辐射屏蔽和电池，超电容器，超电容器，压电电气传感器，温度传感器和辐射传感器[2-11]中具有巨大的潜在应用[2-11]。