以12个步骤实现了胞嘧啶分子的优化结构,其优化能为-10749.84 eV。4.94 eV的Homo-Lumo能隙表示化学稳定性。氧原子表现出最负电位,氢原子显示出最积极的电位。状态的密度揭示了4.92 eV的能隙,确认了等效轨道能级。计算出的硬度(2.47 eV)和柔软度(0.41 eV -1)表明稳定性和极化性。化学势为-3.97 eV,电负性为3.97 eV。3.19 eV的亲电指数表示强烈的亲电行为。Mulliken电荷分析鉴定H13具有最高的正电荷和最高负电荷的N5。振动分析显示,在3100-3300 cm -1,N-H处的C-H振动为3500-3700 cm -1,而C = O时为1771.10 cm -1。热力学特性,例如热容量,内部能量,焓和熵随温度的增加,而Gibbs自由能降低。
在地面试验j7,8,91和飞行试验[lO,ll]中,高压太阳能电池阵列上出现了许多电弧现象。迄今为止,唯一的理论假设来自文献[112]。在这项研究中,有人提出,每个互连器上都有一层薄薄的绝缘污染物。这种污染物可能是由于暴露在空气中而产生的,也可能是在制造过程中产生的。来自空间等离子体的离子被互连器上的负电位吸引。这些离子积聚在表面层,导致层中形成电场。随着层继续充电,内部场变得足够大,足以导致电子发射到空间等离子体中。这种电子流导致层中随后加热和电离。这就是所谓的放电。在本文中,我们集中研究了低地球轨道负偏压太阳能电池阵列的行为,并对观察到的电弧提出了一种新的解释。有人提出,实验观察到的预击穿电流导致中性气体分子从太阳能电池盖玻片的侧面解吸。这些分子在互连线上积聚,并在表面气体层内发生电弧。推导出电压阈值的表达式,并研究了其与气体和几何特性的关系。电压阈值与等离子体密度无关,而与太阳能电池互连连接的几何结构密切相关。第 2 节回顾了实验工作,并描述了低地球轨道的等离子体和中性环境。第 3 节开发了击穿模型并获得了击穿阈值。第 4 节讨论了气体和几何参数的关系以及实验数据在该理论中的应用。最后,在最后一节中,提出了一些实验测试来阐明理论模型。
在过去十年中,地球磁层中的航天器测量到的静电电位高达数十 kV 量级。太空观测结果显示太阳系中的自然物体也存在巨大电位。静电放电可能对航天器造成物质损坏和操作干扰。尘埃等自然物体可能受到干扰,其运动受到电磁力的影响。太空中物体的电位由各种充电电流之间的平衡决定。最重要的是等离子体粒子的电荷转移、光电发射和二次电子发射,有时其他充电机制也会起作用。物体的电荷和运动以及局部磁场和电场都会影响电流。电介质表面可能具有表面电位梯度,这可以通过产生势垒来影响电流平衡。这些过程针对太阳系和星际空间中的物体进行了评估。预期的平衡电位范围从电离层的负几十分之一伏到安静磁层和行星际空间的正几伏。然而,在热等离子体(如受扰磁层)中,尤其是在阴影表面上,可能会出现较大的负电位。星际空间中的电位可以是正的也可以是负的,这取决于当地辐射场和等离子体的特性。在已测量过航天器电位的地区,结果通常与这些预期一致。偏差可以归因于偏置或介电表面的影响,或天线等大型结构中的磁感应效应。已经开展了深入的研究工作,以测量材料特性、研究充电和放电过程、将电流平衡建模为真实的航天器配置,并获取太空中的更多数据。已经使用被动方法(例如仔细选择表面材料)和主动方法(例如发射带电粒子束)进行了航天器电位控制实验。该评论最后对充电效应可能发挥重要作用的天体物理应用进行了调查。
图3。ERP分析及其结果的概述。 A. 在受试者S3中表现出由听觉刺激(红点)或按钮按(绿点)引起的诱发电势的位置。 B. 在听觉刺激(左)和位置A1和M1的纽扣刺激期间ECOG活动的时间课程及其跨审判平均值。 位置A1处的单次试验ECOG响应在刺激发作处进行相锁定,并表现出与跨审判平均值相同的N1,P1和P2分量。 相比之下,位置M1处的单次试验ECOG响应在运动开始时没有相锁,因此在所有试验中,平均没有诱发的电位。 相反,在所有试验中的平均水平造成了缓慢的皮质潜力。 C。位于A1-3和M1-2的平均AEP(左侧的红色痕迹)和MRP(右侧的绿色痕迹)及其在受试者S3中的平均值。 所有听觉位置均表现出清晰的N1,P1和P2组件,并且所有运动位置均具有突出的慢速皮质潜力。 D.来自受试者S3位置A1和M1的ERP的时间课程,在两个不同的频带(<3 Hz和3-40 Hz)中。 AEP的特征成分由3-40 Hz频段捕获。 相反,只有在<3 Hz频段中才能看到MRP中的缓慢负电位。 E.基线(-400至0 ms)和ERP(分别为0至400毫秒)周期(分别为顶部和底部)的<3 Hz和3–40 Hz频段(分别为top和底部)的3–40 Hz频段,在所有与任务相关的位置和所有受试者中都计算出来。 基线活性主要由3-40 Hz带功率组成(P <0.001,配对t检验)。ERP分析及其结果的概述。A.在受试者S3中表现出由听觉刺激(红点)或按钮按(绿点)引起的诱发电势的位置。B.在听觉刺激(左)和位置A1和M1的纽扣刺激期间ECOG活动的时间课程及其跨审判平均值。位置A1处的单次试验ECOG响应在刺激发作处进行相锁定,并表现出与跨审判平均值相同的N1,P1和P2分量。相比之下,位置M1处的单次试验ECOG响应在运动开始时没有相锁,因此在所有试验中,平均没有诱发的电位。相反,在所有试验中的平均水平造成了缓慢的皮质潜力。C。位于A1-3和M1-2的平均AEP(左侧的红色痕迹)和MRP(右侧的绿色痕迹)及其在受试者S3中的平均值。所有听觉位置均表现出清晰的N1,P1和P2组件,并且所有运动位置均具有突出的慢速皮质潜力。D.来自受试者S3位置A1和M1的ERP的时间课程,在两个不同的频带(<3 Hz和3-40 Hz)中。AEP的特征成分由3-40 Hz频段捕获。相反,只有在<3 Hz频段中才能看到MRP中的缓慢负电位。E.基线(-400至0 ms)和ERP(分别为0至400毫秒)周期(分别为顶部和底部)的<3 Hz和3–40 Hz频段(分别为top和底部)的3–40 Hz频段,在所有与任务相关的位置和所有受试者中都计算出来。基线活性主要由3-40 Hz带功率组成(P <0.001,配对t检验)。AEP的P1和N1组件由3-40 Hz带功率(P <0.001,配对t检验)组成,而MRP的主要由<3 Hz频带功率组成(P <0.001,配对t检验)。F.功率(顶部)和3-40 Hz频段中的AEP(底部)的形状,用于试验最高(实心)且最低(虚线)的第10个百分位数的固定力(计算每个任务相关位置,平均所有位置和受试者的平均)。较高的刺激性功率会导致AEP中较高的N1振幅(p <0.05,t检验,fdr校正了n = 22)。G.功率(顶部)和MRP的形状(底部)。前刺激功率不会显着影响MRP的形状(p <0.05,t检验,fdr校正了n = 15)。
温度是限制 SETSAW 器件作为电流量子标准的精度的一个因素 Nick Fletcher、Jan-Theodoor Janssen 和 Tony Hartland NPL,英国米德尔塞克斯郡泰丁顿 1.摘要 我们测量了声电流平台 I n = nef 的斜率 (∆ I / ∆ V g ) n(n =1 和 2),作为浴温 T 在 0.3 至 4.2 K 范围内的函数。限制在一维通道中的电子“冲浪”频率为 f ≈ 2.8 GHz 的表面声波,该波由沉积在 GaAs 异质结构上的换能器产生。通道宽度由施加到同样沉积在异质结构上的肖特基栅极的电压 V g 控制。将归一化斜率 S = ( ∆ I / ∆ V g ) n /( ∆ I / ∆ V g ) n -1 → n 与使用 Flensburg 等人 [11] 提出的描述器件行为的模型计算出的斜率进行了比较。在这个模型中,S 与有效温度 T eff 相关,该温度可能大于 T 。测量表明,对于 n =1,T eff 的最小值为 1.65 ± 0.1 K,对应于最小值 S ≈ 10 -3 。2.简介 目前,国家计量机构正在进行大量研究工作,旨在开发基于单电子传输的电流量子标准。NPL 参与了两个这样的项目,一个使用单电子 R 泵(详见本摘要 [1] 中的其他内容),另一个基于本文的主题 SETSAW(表面声波单电子传输)技术。图 1 显示了 SETSAW 设备的示意图。该设备制造在半导体衬底(GaAs/Al x Ga 1-x As 异质结构)上,该衬底表面附近包含准二维电子气 (2DEG)。设备一端的叉指换能器 (IDT) 产生表面声波 (SAW),该表面声波传播通过形成 2DEG 收缩的中心区域。该行进机械波在压电 GaAs 材料中产生相应的电势,该电势与 2DEG 相互作用。在收缩区域(通常由沉积在表面上的金属分裂栅形成,相对于 2DEG 保持在负电位),SAW 电位的最小值可视为移动量子阱,其通过收缩通道传输电子。如果通道足够封闭,即上述量化电流的首次实现于 1996 年 [2] 报道。然而,尽管过去 5 年不断进行研究和开发 [例如“夹断” 使得正常传导被禁止,并且可以布置 SAW 的电位,使得每个电位最小值传输相同(少量)数量的电子,然后该设备用作电流源,产生电流 I=nef ,其中 n 是整数,e 是电子电荷,f 是 SAW 的频率。与使用通过金属-绝缘体-金属隧道结进行电子泵送相比,该技术的优势在于更高的工作频率 - 高达 5 GHz [3] 产生近 1 nA,而约 10 MHz 产生几个 pA。4,5,6],SETSAW 设备的量化精度仍然低于电子泵 [7]。本文介绍了一项实验的结果,该实验旨在测量 SETSAW 设备特性的温度依赖性,以期更好地理解(并希望控制)误差机制。