XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System辐射效率
拉伸应变锗微结构
并无需使用载流子注入即可增强电光调制。与此同时，人们正在努力实现完全集成在硅基平台中的发光器，作为 III – V 族材料的经济高效的替代品。这方面的两个主要途径是使用 Ge 及其与 Si 和 Sn 的合金，以及应变工程。硅 – 锗 – 锡 (GeSn) 合金可能是一种很有前途的解决方案 [4]，因为它的能带结构可以通过其成分来控制，从而在宽光谱范围内实现高发射效率，但这些三元合金对材料生长提出了一些技术挑战。[5] 能带结构控制的替代途径是在 Ge 和 GeSn 合金中引入拉伸应变。这里的目标是利用拉伸应变来降低导带 L 和 Γ 最小值之间的能垒，实现准直接带隙材料，从而提高辐射效率。此外，拉伸应变的作用是消除重空穴 (HH) 和轻空穴 (LH) 价带之间的简并性，并降低导带和价带之间的能量差，[6,7] 从而提供对带隙的所需控制。这些能带结构效应可以通过光致发光 (PL) 实验揭示，而半导体中应变的关键测量可以使用拉曼光谱来实现。机械变形会显著影响 PL 发射、谷分裂的不均匀性或重叠
比较研究
通过纳米级天线将电磁能与亚波长的体积结合起来，可用于增强量子发射器的自发发射。以此目的，已经探索了金属和高折射率介电纳米颗粒的不同配置。在这里，我们对三种不同参数的平面金属，高折射率介电和混合纳米antennas进行了比较分析：purcell因子增强，辐射效率和方向性特性。我们将研究重点放在圆柱体二聚体的不同几何和材料组合上。由两种金纳米固定器制成的二聚体是改善自发发射的最有前途的候选者。虽然大多数以前的作品都关注纳米颗粒平面中散射发射的重定向，但我们提出的两个大金缸（r =λ / 4）的纳米结构将大部分辐射向上发射。这种效果是由于对谐振模式的强大四极电贡献。旨在进一步提高方向性特性，将其他硅纳米固定器用作散射辐射的董事，相对于没有董事的金二聚体，将方向性提高了2.4。总的来说，提出了由金二聚体和硅纳米颗粒组成的杂种结构，以增强单个量子点的自发发射并控制其发射模式。这项工作中显示的结果可能是有用的荧光增强或量子光子学中的。它们对于基于量子点和其他纳米级发射器的单光子来源的开发特别有趣。