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World File Search System输出电压
具有电流失配减少功能的高摆幅电荷泵
摘要 电荷泵 (CP) 在现代锁相环 (PLL) 实现中被广泛使用。CP 电流失配是 PLL 输出信号中静态相位偏移和参考杂散的主要来源。本文提出了一种在宽输出电压范围内具有小电流失配特性的新型 CP。专门设计的双补偿电路使用单位增益反馈运算放大器和电流镜来降低输出电压接近电源电压 (V DD ) 或地 (GND) 时的电流失配。并且使用附加反馈晶体管来降低沟道长度调制效应的影响。后版图仿真结果表明，采用 40 nm CMOS 工艺的所提出的 CP 的输出电流为 115 μA。此外，在 0.04 至 1.07 V 的输出电压范围内，电流失配小于 0.97 μA 或 0.84%，覆盖了 1.1 V 电源的 93.6% 以上。因此，所提出的 CP 最大化了动态范围，并降低了 CP-PLL 的相位偏移和参考杂散。关键词：电荷泵、电流不匹配、动态范围、锁相环分类：集成电路（存储器、逻辑、模拟、射频、传感器）
UDA1344TS 具有 DSP 功能的低压低功耗立体声音频编解码器
FSDAC是一种半数字的重建过滤器，将噪声塑形器的1位数据流转换为模拟输出电压。由于DAC的固有滤波器功能，不需要TER
AVR 3x15-22-TT 三相.indd - Sollatek
• 数字显示：输入和输出电压、输入和输出电流、频率 • 手动旁路开关将负载转移至公用电网。• 低压和高压保护 • 射频干扰过滤
调频发射机/接收机测试方法
显示 R 1 = 75Ω R a = 50Ω 的情况。 R 2・R 3：耦合电路的电阻 E：SG 输出电压 dBμ V 测试设备的输入信号电平：E-6 [dBμ V]
CMOS 射频能量收集器 (RFEH) 带有全片上可调升压器，可提高宽带灵敏度
摘要：射频能量收集 (RFEH) 是目前广受欢迎的一种可再生能源收集形式，因为许多无线电子设备可以通过 RFEH 协调其通信，尤其是在 CMOS 技术中。对于 RFEH，检测低功率环境 RF 信号的灵敏度是重中之重。通常采用 RFEH 输入端的升压机制来增强其灵敏度。然而，保持其灵敏度的带宽非常差。这项工作在 3 级交叉耦合差分驱动整流器 (CCDD) 中完全在片上实现了可调升压 (TVB) 机制。TVB 采用交错变压器架构设计，其中初级绕组实现到整流器，而次级绕组连接到 MOSFET 开关，用于调节网络的电感。 TVB 使整流器的灵敏度保持在 1V 直流输出电压下，在 3 至 6 GHz 的 5G 新无线电频率 (5GNR) 频段的宽带宽内最小偏差为 − 2 dBm。在 − 23 dBm 输入功率下，直流输出电压为 1 V，峰值 PCE 在 3 GHz 下为 83%。借助 TVB，可以在 1 V 灵敏度点处保持 50% 以上的 PCE。提出的 CCDD-TVB 机制使 CMOS RFEH 能够以最佳灵敏度、直流输出电压和效率运行于宽带应用。
设计注意事项
对于P通道MOSFET，vinVg + v th其中，v g = gate-wtwoltage v th =阈值电压v out =输出电压v in =输入电压以打开N通道设备，栅极量必须大于输出电压。这将需要额外的偏置电源，以使栅极电压高于输出电压。与此相比，对于P通道设备，最小输入电压必须大于P通道晶体管的阈值电压（通常是这种情况）。从中，P通道MOSFET比N通道MOSFET的优势显而易见。ON/OFF控制器或门驱动器电路更简单。对于低压驱动应用，N通道高侧开关的栅极驱动器需要一个引导电路，该电路在电动机电压轨或隔离电源上方创建栅极电压以将其打开。更大的设计复杂性导致设计工作增加和更大的空间利用。与负载开关应用程序类似，使用P通道MOSFET可以在此处减少资源的使用。ir Hirel具有最大的RAD硬P通道MOSFET的投资组合，具有不同的包装选项，并且在辐射环境中具有高性能。
JCI手册第五版
目标是确定Thevenin和Norton形式中的开路输出电压。由于电路打开时没有电流流，因此源电压出现在整个负载上。这意味着以Thevenin形式的开路输出电压仅仅是源电压。要以诺顿的形式找到开路输出电压，我们可以使用欧姆定律来计算等效电阻，然后将其应用于源电压。其余的文本似乎是Adel S. Sedra和Kenneth C. Smith的出版物“微电子电路”的版权通知和确认。它还包含第1-16章的练习解决方案，其中包括与微电子电路有关的问题和答案。最后，有一些特定的练习（例如ex：1-1）当输出端子打开或短路以及其他涉及电阻器，电容器和电压源的计算时，涉及计算开路输出电压。在此处给出的文字：x 35 cm/s'=）lpvt“'a。：12.4 cm2/s j> nd aqu :(。1._！！，/！ + jl！c ..），n v equationl .. 5u（，l，n，〜1。，lo“'x 1.6 x i（）x [v w〜-'----------' - 等式1。52 x J'x 5 19：>> np nn i :::: w·_ ;;;''' i，（e \'/\'.. 1· - i）ly，l，。，•。r：quatjon 1〜。。; -3（。1 N1）。; v，ex：l。 36 ::。a，1，v“ w /l 1。< /div>（）〜x x•j 1（）。1.6 x 10-IQ 1.66>：10 11（_！_--- + ___ 1 _，）（0.814- 0.605）ern！（} ix 10 1“ 0.166 ij.rll r;：。〜-〜- ~~ - a .j2〜sqn 0 V 0 kx：1。37 [“” V〜IN .- 〜Ampk n〜。> 1。2;>'f。，，，\ 1，ii，11。：10' /em·和V1 1••，。“ < /div>~~“'”〜------，〜-〜“” t〜'（〜;•;〜）v，。+ vi？io“ tnn'll-？> - :: ll）''）'10“'（，j）l {u〜ign q1）
通过基于双门MOSFET的制造质量调节器
摘要 - 传统的降压调节器为高效率和低功率耗散提供稳定的输出电压。可以通过放置双门（DG）MOSFET来改善此调节剂的各种参数。双门MOSFET提供了两倍的排水流流量，从而改善了Buck调节器结构的各种参数，并不可避免地提高了设备的性能和效率。在这项研究工作中，已通过实施的DG MOSFET雄鹿调节器对这些参数进行了分析，并意识到总损失为42.676 MW，效率为74.208％。这项研究工作设计了一个基于DG MOSFET的雄鹿调节器，其规格为12 V，输出电压3.3 V，最大输出电流40 mA，开关频率100 kHz，波纹电流为10％，纹波电压为1％。
基于双栅极MOSFET的降压调节器的制作与实现
摘要 — 传统的降压调节器提供高效率和低功耗的稳定输出电压。通过放置双栅极 (DG) MOSFET，可以改善该调节器的各种参数。双栅极 MOSFET 提供两倍的漏极电流，这改善了降压调节器结构的各种参数，并不可避免地提高了器件的性能和效率。在本研究工作中，已经通过实施的 DG MOSFET 降压调节器分析了这些参数，并实现了总损耗 42.676 mW 和效率 74.208%。本研究设计了一种基于 DG MOSFET 的降压调节器，其规格为输入电压 12 V、输出电压 3.3 V、最大输出电流 40 mA、开关频率 100 kHz、纹波电流 10% 和纹波电压 1%。
- TLE系列UPS 40–150KVA/kW 480VAC高度...
功能和优势•无变形设计在277/480VAC上，可降低足迹和重量，但可提高可靠性。•高输入功率因数和IGBT整流器的使用消除了超大输入馈线的使用，并最大程度地提高了待机生成器的兼容性。•高开关频率IGBT逆变器提供一流的瞬态响应和低输出电压失真。一个非常类似于实用程序功率的输出电压波形！•紧凑的足迹和低听觉设计，可用于大多数商业和工业建筑。•通过ABB的RPA设计对UPS模块的可靠并行，这消除了所有和所有常见的模式故障点。•可接受的交流输入电压和频率宽带，可以消除滋扰向电池厂的转移，从而最大化电池罐的寿命。