大涡模拟 (LES) 已用于研究飞机编队后方 10 分钟内的远场四涡尾流涡旋演变情况。在编队飞行场景中,尾流涡旋行为比传统的单架飞机情况复杂、混乱且多样,并且非常敏感地取决于编队几何形状,即两架飞机的横向和垂直偏移。尽管在各种编队飞行场景中尾流涡旋行为的个案变化很大,但涡旋消散后的最终羽流尺寸通常与单架飞机场景有很大不同。羽流深约 170 至 250 米,宽约 400 至 680 米,而一架 A350/B777 飞机将产生 480 米深和 330 米宽的羽流。因此,编队飞行羽流没有那么深,但它们更宽,因为涡流不仅垂直传播,而且沿翼展方向传播。两种不同的 LES 模型已被独立使用,并显示出一致的结果,表明研究结果的稳健性。值得注意的是,二氧化碳排放只是航空气候影响的一个因素,还有其他几个因素,如凝结尾迹、水蒸气和氮氧化物的排放,这些都会受到编队飞行的影响。因此,我们还强调了年轻编队飞行凝结尾迹与经典凝结尾迹在冰微物理和几何特性方面的差异
摘要:金属纳米结构对光学激发的响应导致局部表面等离子体(LSP)生成,并在例如量子光学和纳米光子学中驱动纳米级场限制驱动应用。Terahertz域中的现场采样对追踪此类集体激发的能力产生了巨大影响。在这里,我们扩展了此类功能,并在更相关的Petahertz域中对LSP进行直接采样。该方法允许以亚周期精度测量任意纳米结构中的LSP场。我们演示了胶体纳米颗粒的技术,并将结果与有限差分的时间域计算进行了比较,这表明可以解决等离子体激发的堆积和逐步化。此外,我们观察到了几个周期脉冲的光谱阶段的重塑,并通过调整等离激元样品来证明临时脉冲成型。该方法可以扩展到单个纳米系统,并应用于探索亚周期现象。关键字:等离激光,等离子体动力学,金纳米颗粒,Petahertz现场采样■简介
气候风险评估必须考虑到广泛的未来,因此科学家经常使用众多全球气候模型进行的模拟来探索区域气候及其影响的潜在变化。一些最新一代模型具有高有效的气候灵敏度(EFFC)。有人认为这些“热”模型是不现实的,因此应将其排除在气候变化影响的分析之外。这是否会改善区域影响评估或使其恶化,尚不清楚。在这里我们表明,在许多重要的气候驱动因素的区域影响驱动因素中,EFFC与预计变化之间没有普遍的关系。分析不同地区的大雨事件,气象干旱和火灾天气,我们发现大多数地区和气候驱动因素的EFFC几乎没有或没有显着相关性。即使发现相关性,与EFFC无关的内部变异性和过程对气候驱动因素的预计变化具有相似的影响。仅基于EFFC的模型选择似乎是不合理的,并且可能忽略了现实的影响,从而低估了气候风险。
1英国雷丁大学气象学系和国家地球观察中心,2波茨坦气候影响研究所,德国波茨坦莱布尼兹协会的成员,德国波茨坦,3大都会埃克塞特郡气候科学和服务办公室3,英国埃克塞特,英国埃克塞特,英国4个瑞典瑞典源和水分学院,瑞典语,瑞士,瑞典语,瑞典语,瑞士学院,英国利兹,利兹,利兹,6个全球系统研究所,埃克塞特大学,英国埃克塞特大学,布里斯托尔大学7号地理科学学院,布里斯托尔,布里斯托尔,英国,8国家大气科学中心,雷丁大学,雷丁大学,雷丁大学,雷丁大学,布雷蒙大学,9号,布雷蒙大学,环境物理学研究所(IUP),布雷米尔·兰德斯,deumsany,10 deurum fulumfft, Raumfahrt(DLR),德国OberpfaffenhofenInstitutFürPhysikder Mastiven Institut
NCMA-3在粉末状态下的电导率远小于前两个样品,但三个电极之间差别不大,这可能与电极中添加了导电剂有关,减少了在粉末状态下检测到的差别。
摘要 本研究使用具有平面扫描功能的电光 (EO) 传感器演示了基于光子学的 300 GHz 频段近场测量和远场特性分析。待测场在 EO 传感器处上变频至光域 (1550 nm),并通过光纤传送至测量系统。在 13 s 的一维测量时间内,系统的典型相位漂移为 0.46 ◦,小于该时间尺度下相位测量的标准偏差 1.2 ◦。将从测得的近场分布计算出的喇叭天线远场方向图与使用矢量网络分析仪通过直接远场测量系统测得的远场方向图进行了比较。对于与角度相关的参数,我们通过近场测量获得的结果的精度与通过直接远场测量获得的结果相当。我们的近场测量结果与直接远场测量结果之间的旁瓣电平差异(约 1 dB)归因于探针校正数据的过量噪声。我们相信,基于光子学的球形 EO 探针扫描近场测量将为 300 GHz 频段高增益天线的表征铺平道路。
深层地下中微子实验 (DUNE) 的远探测器 (FD) 将配备液氩时间投影室 (LArTPC),其中闪烁光将由适合低温应用的硅光电倍增管探测。在 DarkSide 实验的要求推动下,FBK 开发了一种用于低温应用的 SiPM 技术 (NUV-HD-Cryo SiPM),该技术的特点是在低温下具有极低的暗噪声,约为几 mHz/mm2,后脉冲概率低,并且淬灭电阻随温度的变化有限。在 DUNE 合作框架内,NUV-HD-Cryo 技术得到了进一步开发,通过增加深沟槽隔离 (DTI) 的数量来获得具有高增益但串扰有限的设备,目的是为 DUNE 读出模块提供更好的信噪比。大型物理实验通常需要具有最高性能的设备,并在短时间内以低到中等的产量完成紧张的实验计划。在 FBK,我们开发了一个小型供应链,其中包括一家使用 FBK 技术制造 SiPM 的外部代工厂和一家外部封装公司,能够提供中等批量的封装硅探测器。在这项工作中,我们将从 SiPM 的击穿电压、暗电流和正向电阻的均匀性以及 SiPM 板封装的质量评估方面报告 NUV-HD-Cryo 技术的性能和 DUNE 实验的 FBK SiPM 生产状态。
考虑到参与初期收到的大量反馈,区域计划草案预计将于 2024 年底完成。预计 2025 年初将就区域计划草案开展法定参与和协商。将开展参与活动,以支持社区和利益相关者的广泛参与,并提供面对面和在线反馈的机会。这些参与活动的细节将在区域计划草案的制定过程中制定。
半导体设备在电子行业中起着至关重要的作用。这些设备包括从领先的硅技术到复合半导体方法的各种类型。尤其是IIII-V复合半导体激光器在几十年中变得越来越重要,在各种领域(例如微电子,光电子学和光学电信)中找到了应用。半导体的多功能性允许对其属性进行自定义修改,以满足特定应用程序的需求。在设计光学元件时,半导体激光器的远场是至关重要的参数,因为许多半导体激光应用需要与单模光纤建立足够的连接。使用单模激光器设备,可以将更多功率传递到光纤。此外,从光学的角度来看,单模式激光器更好,因为光线更容易对齐。因此,使用单模半导体激光比构建复杂的光学系统要容易得多。在本文中,基于GAAS的630 nm区域半导体激光器的远场是与Modulight Corporation合作的优化。目标是了解制造步骤和选定的设备几何形状如何影响这些激光器的远场模式,从而改善对设备过程和过程产量的控制。远场高度依赖于激光设备的尺寸,因此,将两种不同的底物(638 nm和633 nm)与不同的尺寸一起使用以进行比较。除了远场外,还分析了光电压和光谱测量值。此外,为了更好地了解脊指导的光学特性和几何形状之间的依赖性,使用扫描电子显微镜测量了脊的尺寸。本论文中使用的激光条是通过光刻的步骤和等离子体蚀刻来捏造的。否则两个底物的处理都是相同的,但是633 nm底物的蚀刻时间更长,从而产生了更深的蚀刻深度。两个设备都使用了五个不同的脊宽度和三个不同的空腔长度。将实现的脊尺寸和调间模式行为与630 nm区域半导体激光结构的这些参数的建模结果进行了比较。脊的尺寸的表征结果显示了两个过程的各向异性和平滑档案。633 nm设备的蚀刻时间较长,导致脊比638 nm设备深507 nm,这是预期的。与638 nm设备相比,具有更深山脊的633 nm设备具有更深的山脊的阈值电流和输出功率变化较小。这项工作的目的是实现具有单模空间操作的激光器,该激光器是用633 nm激光器获得的。最佳尺寸为1000 µm的腔长为1.8 µm和3.4 µm的脊宽度,腔长为1500 µm,脊宽为2.2 µm。对于较浅的山脊深度,即638 nm激光器,所有选定的脊宽度和长度均显示多模具操作。此外,模拟结果很好地支持了实验结果。