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World File Search System钝化工艺
2004 年 12 月 Oki 传感器设备株式会社
一般说明 簧片开关是 1936 年由 W. B. Ellwood 博士在贝尔电话实验室发明的。1938 年簧片开关首次得到应用，当时用作同轴载波设备中的选择开关。后来，随着电信技术的发展，簧片开关也得到了改进。同时，簧片开关的优点（例如响应时间快、触点密封、尺寸小和机械寿命长）极大地促进了电信技术的发展。从 1956 年日本开始研究和开发簧片开关以来，在提高触点性能、减小整体尺寸、改进制造方法和降低制造成本方面取得了创新。除了在开关系统中的应用外，簧片开关还被广泛应用于汽车电气设备、簧片继电器和其他各类仪器中的传感器和控制器。我们的簧片开关质量极佳，是基于我们自己独创的接触面钝化技术、高性能自动密封设备和使用磁通量扫描测试（FS 方法）的接触电阻测量技术制造的。特别是，我们的接触面钝化工艺解决了传统铑接触簧片开关的致命问题，并抑制了由于有机物引起的接触电阻的增加
克服先进 InP HEMT 制造中的挑战
关键词：高电子迁移率晶体管 (HEMT)、磷化铟 (InP)、高频、制造摘要自 DARPA 太赫兹电子项目结束以来，诺斯罗普·格鲁曼公司 (NG) 一直致力于将工艺过渡到 100 毫米，并使先进的 InP HEMT 技术适用于高可靠性 A 类空间应用。NG 的 100 nm InP HEMT 节点目前处于制造就绪水平 (MRL) 9，而砷化铟复合通道 (IACC) 节点处于 MRL 3/4。为了提高 IACC 的 MRL，NG 一直致力于将工艺从材料生长转移到晶圆加工到 100 毫米生产线，并利用 100 nm InP HEMT 工艺的制造和认证专业知识。在整个工艺转移和成熟过程中，NG 克服了工艺重现性、产量和吞吐量方面的挑战，并进行了广泛的可靠性测试。引言在过去二十年中，在美国国防高级研究计划局、美国宇航局/喷气推进实验室和三军的资助下，诺斯罗普·格鲁曼公司 (NG) 通过积极缩小 InP HEMT 尺寸并使用超高迁移率砷化铟复合通道 (IACC) HEMT 结构，展示了高达太赫兹的高电子迁移率晶体管 (HEMT) [1,2] 和单片微波集成电路 (MMIC) [3-6]，如表 1 所示。InP 和 IACC HEMT 的关键制造步骤是分子束外延 (MBE)、电子束光刻 (EBL) 栅极、基板通孔 (TSV) 以及缩放互连和钝化工艺。材料生长和制造工艺最初是在 NG 的 75 毫米生产线上开发的。NG 致力于技术成熟工作，以缩小制造差距，以提高 IACC 节点的 MRL [7]。工艺概述 InP 和 IACC HEMT 晶圆采用分子束外延法在半绝缘 InP 衬底上生长。IACC 外延剖面具有复合通道，该通道由夹在两个晶格匹配的 In x Ga 1-x As 层之间的 InAs 层组成 [2]。高电子迁移率 InAs 通道是高频低直流功率操作的关键推动因素。肖特基势垒层和重掺杂帽经过优化，可实现低