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聚吡咯/铁基复合材料的制备及其应用
摘要：多吡咯（PPY）是一种廉价的导电聚合物，具有有效的存储容量，但其有限的溶解度限制了其生产和应用。因此，为了扩大其应用范围，多功能PPY复合材料的设计和研究引起了极大的关注。PPY/铁基复合材料是通过水热方法，聚合方法和一锅方法等方法制备的。有关PPY/铁复合材料的应用的研究主要集中在电容器，电磁波吸收材料，吸附剂，传感器，药物和催化剂等领域。，它们在超级电容器的电极材料，电磁波的吸收，重金属离子的吸附以及催化降解，展示广泛的应用前景中表现出色。随着制备技术的持续发展和应用领域的进一步扩展，PPY/基于铁的复合材料有望在更多领域中发挥重要作用。关键字：polypyrrole;准备方法；复合材料；应用区域
基于新能源发电改进型移相全桥变换器研究
中图分类号 ： TM561 Analysis of Improved Phase-shift Full-bridge Converter for New Energy Generation ZENG Zhihui 1, 2 LIU Yunpeng 1, 2 ZHANG Linmei 1, 2 YANG Ming 1, 2
作为阳极材料探索1T和1H相的铁砷氧化物单层
*相应的作者： - pparida@iitp.ac..1摘要这项理论研究深入研究了两个六角形铁杆菌单层的结构，电子和电化学特性，1T-法和1H-FEAS，重点介绍其质地元素电池的潜在阳极材料。先前的研究强调了在室温下1T-雌激素的铁磁性质。我们的计算表明，这两个阶段都具有自旋偏振电子带结构的金属行为。电化学研究表明，1T-五叶单层对液离子的离子电导率比1H-FEAS期更好，这归因于0.38 eV的较低的激活屏障。此特征表明充电速度更快。两个富阶段均表现出可比的理论能力（372mahg⁻。），表现优于商业石墨阳极。最大LI原子吸附的平均开路电压为1H-FEAS为0.61 V，1T-FEAS的平均开路电压为0.61 V。在这两个阶段上LI原子的最大吸附上的体积膨胀也非常小于商业使用的阳极材料（例如石墨）。此外，Li原子上的吸附到1H-五叶中可以引起从铁磁性到抗铁磁性的显着过渡，对电子带结构的影响很小。相比之下，1T-FEAS的原始状态仍然不受LI吸附的影响。总而言之，1T-FEAS和1H-FEAS单层作为锂离子电池的有前途的阳极材料的潜力，为LI吸附后的电化学性能和相变行为提供了宝贵的见解。关键字：铁砷化铁，2D物质，阳极材料，扩散屏障，自旋极化。
创新科技及工业局相关重点措施
为生命健康科技初创企业提供孵化、加速计划等支援，助力在港深创新及科技园设立 「生命健康创新科研中心 InnoLife Healthtech Hub 」 Allocate $2 billion to support the InnoHK research clusters to establish presence in the Loop and another $200 million to provide assistance to start-ups engaging in life and health technology in the Hong Kong-Shenzhen I&T Park (HSITP) in the form of incubation and acceleration programmes, etc., thereby facilitating the setting up of the InnoLife Healthtech Hub in HSITP
BP645电池供电铁铁
新的BP645电池供电的焊铁是典型的全家焊接工作的理想工具。无论是修理孩子的玩具上的连接还是将布线固定在船上拖车上，Weller BP645都可以到达工作所在的地方，而无需担心。它加热了全部，它来自五十多年来最受信任的求职产品中最受信任的名称。
使用相...
高位率无线通信要求高频率[1]，例如24-GHz WLAN [2]，IEEE802.11AD [3]和24-29 GHz 5G手机[4]。高频无线系统中的必需电路块之一是电压控制的振荡器（VCO）。进行正交信号处理[5,6,7,8,9]的[5,6,7,8,9] [10，11，12，12，12，13，14，15，16，17]，但是，高频率VCO通常需要一个非常非常高的CMOS技术和/或特殊QMOS技术和特殊的QMOS技术阶段[18] 噪音。 因此，他们的过程成本可能很高。 在这封信中，提出了使用相调整架构来抑制相位噪声的正交VCO。 可以在不增加过程成本的情况下实现此体系结构。进行正交信号处理[5,6,7,8,9]的[5,6,7,8,9] [10，11，12，12，12，13，14，15，16，17]，但是，高频率VCO通常需要一个非常非常高的CMOS技术和/或特殊QMOS技术和特殊的QMOS技术阶段[18] 噪音。因此，他们的过程成本可能很高。在这封信中，提出了使用相调整架构来抑制相位噪声的正交VCO。可以在不增加过程成本的情况下实现此体系结构。
