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World File Search System铁磁
15.4 D-WavePairingIntwo-Dimensions
2时刻。当孔（或电子）通过掺杂引入晶格时，旋转变成移动，残留的抗铁磁相互作用驱动D波配对。简化的模型将其视为浓度为1-x的单个电子带，在平方晶格上以跳高强度 - t和最近的邻居抗铁磁相互作用j移动。（b）丘脑超导体的示意图，其中x是孔掺杂的程度。在小X处形成相称的抗铁磁绝缘子（粉红色），而在较高的掺杂超导圆顶的情况下则形成。正常状态在低掺杂处包含一个伪gap，在最佳掺杂时形成奇怪的金属，并具有线性电阻率。fermi-likid样性能仅在高掺杂时才出现，只有在这种方案中，超导不稳定才能被视为费米液体的核心库珀对不稳定性的不稳定性。
铁电/非铁电材料界面的电荷捕获效应...
我们研究了限制具有金属/铁电/夹层/Si (MFIS) 栅极堆栈结构的 n 型铁电场效应晶体管 (FeFET) 耐久性的电荷捕获现象。为了探索电荷捕获效应导致耐久性失效的物理机制，我们首先建立一个模型来模拟 n 型 Si FeFET 中的电子捕获行为。该模型基于量子力学电子隧穿理论。然后，我们使用脉冲 I d - V g 方法来测量 FeFET 上升沿和下降沿之间的阈值电压偏移。我们的模型很好地符合实验数据。通过将模型与实验数据拟合，我们得到以下结论。（i）在正工作脉冲期间，Si 衬底中的电子主要通过非弹性陷阱辅助隧穿被捕获在 FeFET 栅极堆栈的铁电 (FE) 层和夹层 (IL) 之间的界面处。 (ii) 基于我们的模型，我们可以得到在正操作脉冲期间被捕获到栅极堆栈中的电子数量。 (iii) 该模型可用于评估陷阱参数，这将有助于我们进一步了解 FeFET 的疲劳机制。
对阿尔茨海默氏症的铁铁作用的批判性评估和...
1 DARBY儿童研究所，南卡罗来纳州医科大学，美国南卡罗来纳州查尔斯顿，美国2个儿科系，南卡罗来纳州医科大学，南卡罗来纳州查尔斯顿，美国南卡罗来纳州，美国3号生物化学和分子生物学和分子生物学和霍尔林斯霍尔林斯科学系 Lomonosov莫斯科州立大学，俄罗斯，俄罗斯，5化学和物理科学系，戴森艺术与科学学院，纽约州普莱斯维尔，纽约州Pleastville，6个生物学和生物技术学院，俄罗斯莫斯科，俄罗斯莫斯科，俄罗斯莫斯科，俄罗斯，俄罗斯，俄罗斯，俄罗斯，俄罗斯，俄罗斯，俄罗斯，俄罗斯，俄罗斯，俄罗斯，高等教育学院6，生物学和生物技术学院6俄罗斯莫斯科科学院，南卡罗来纳州医科大学神经科学系8，美国南卡罗来纳州查尔斯顿，美国南卡罗来纳州医科大学9号药物发现系1 DARBY儿童研究所，南卡罗来纳州医科大学，美国南卡罗来纳州查尔斯顿，美国2个儿科系，南卡罗来纳州医科大学，南卡罗来纳州查尔斯顿，美国南卡罗来纳州，美国3号生物化学和分子生物学和分子生物学和霍尔林斯霍尔林斯科学系Lomonosov莫斯科州立大学，俄罗斯，俄罗斯，5化学和物理科学系，戴森艺术与科学学院，纽约州普莱斯维尔，纽约州Pleastville，6个生物学和生物技术学院，俄罗斯莫斯科，俄罗斯莫斯科，俄罗斯莫斯科，俄罗斯，俄罗斯，俄罗斯，俄罗斯，俄罗斯，俄罗斯，俄罗斯，俄罗斯，俄罗斯，俄罗斯，高等教育学院6，生物学和生物技术学院6俄罗斯莫斯科科学院，南卡罗来纳州医科大学神经科学系8，美国南卡罗来纳州查尔斯顿，美国南卡罗来纳州医科大学9号药物发现系
利用铁铁作用以进行精确肿瘤学
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菌株诱导的拓扑相变于铁磁性Janus单层MNSBBIS2TE2
大型垂直压电性，5–7可调节带隙，8,9和大型Dzyaloshinskii – Moriya互动（DMI）。10,11因此，近年来，2d Janus材料在纳米科学和纳米技术方面受到了广泛关注。迄今为止，已经在实验中发现了几种磁性janus材料或从理论上预测。例如，他等人。预测，基于CR的Janus Mxene Monolayers CR 2 CXX 0（x，x，x 0 = h，f，cl，br，oh）的NE´EL温度最高为400K。12同样，Akgenc等人。预测基于CR的Janus MXENE的单层CRSCC中的居里温度为1120 K，这表明对未来的Spintronic应用提出了承诺的候选者。13 Jiao等。 提出了新的2d Janus Cr 2 O 2 Xy（X = Cl，Y = Br/I）单层，并研究了使用菌株从铁磁到抗铁磁状态的相过渡，提出Cr 2 O 2 XY作为旋转型应用的潜在材料。 14此外，Zhang等人。 预测具有较大山谷极化的高度稳定的室温磁磁性janus vsse单层，在Valleytronics V（S，SE）2中具有潜在的应用。 15研究13 Jiao等。提出了新的2d Janus Cr 2 O 2 Xy（X = Cl，Y = Br/I）单层，并研究了使用菌株从铁磁到抗铁磁状态的相过渡，提出Cr 2 O 2 XY作为旋转型应用的潜在材料。14此外，Zhang等人。 预测具有较大山谷极化的高度稳定的室温磁磁性janus vsse单层，在Valleytronics V（S，SE）2中具有潜在的应用。 15研究14此外，Zhang等人。预测具有较大山谷极化的高度稳定的室温磁磁性janus vsse单层，在Valleytronics V（S，SE）2中具有潜在的应用。15研究
抗铁磁性旋转的新兴材料（来宾社论）
补偿磁铁的物理学：抗铁磁铁，磁磁补偿的铁磁铁和合成反铁磁铁非常丰富，有时是独一无二的和出乎意料的。补偿磁铁中允许的新效果类型包括：超快（THZ）动力学，伪粘合元素，（自我）补偿的天空，交错的拓扑结构以及与自旋极化三胞胎超导性的兼容性。因此，补偿磁铁的使用构成了开发新的旋转组件的范式转移，超出了传统的铁磁体的可能性。这个特殊的收藏品为读者提供了最新的材料开发项目，探讨了尖端的基本物理和有希望的补偿磁铁应用。可以将其分为七个主题组，每个组都处理该学科的当前和快速增长的分支。
使用忆电感器的神经形态计算
i。在国际单位制中，电感的单位是亨利 (H)。如图 1 所示，通过在线圈内添加由铁磁材料（例如铁）制成的磁芯，来自线圈的磁化通量会在材料中感应出磁化，从而增加磁通量。铁磁芯的高磁导率可以使线圈的电感比没有铁磁芯时增加数千倍 [1]。变形虫等生物表现出原始的学习以及记忆、计时和预测机制。它们的自适应行为可以通过基于忆阻器的 RLC 电路模拟 [2]。受这项工作的启发，我们将设计一种基于忆阻器的神经形态架构，该架构可根据外部刺激频率以自然的方式自行调整其固有谐振频率。与之前的研究相比，我们的创新之处在于，该架构使用独特的记忆电感器来增加其时间常数，然后降低其谐振频率以匹配刺激频率。我们的目的是利用这种架构来帮助更好地研究原始智能的细胞起源。这也是这类研究的意义所在，不仅可以理解原始学习，还可以开发一种新颖的计算架构。
使用忆电感器的神经形态计算
i。在国际单位制中，电感的单位是亨利 (H)。如图 1 所示，通过在线圈内添加由铁磁材料（例如铁）制成的磁芯，来自线圈的磁化通量会在材料中感应出磁化，从而增加磁通量。铁磁芯的高磁导率可以使线圈的电感比没有铁磁芯时增加数千倍 [1]。变形虫等生物表现出原始的学习以及记忆、计时和预测机制。它们的自适应行为可以通过基于忆阻器的 RLC 电路模拟 [2]。受这项工作的启发，我们将设计一种基于忆阻器的神经形态架构，该架构可根据外部刺激频率以自然的方式自行调整其固有谐振频率。与之前的研究相比，我们的创新之处在于，该架构使用独特的记忆电感器来增加其时间常数，然后降低其谐振频率以匹配刺激频率。我们的目的是利用这种架构来帮助更好地研究原始智能的细胞起源。这也是这类研究的意义所在，不仅可以理解原始学习，还可以开发一种新颖的计算架构。
![arXiv:2208.06565v2 [cond-mat.mes-hall] 2022 年 8 月 18 日](/simg/2\25278ec79cc28e387794fb97e292ba6a92cbbe92.webp)
arXiv:2208.06565v2 [cond-mat.mes-hall] 2022 年 8 月 18 日
脉冲人工神经元模拟生物神经元的电压脉冲，构成一类新型节能神经形态计算系统的基石。理论上，反铁磁材料可用于构建脉冲人工神经元。当配置为神经元时，反铁磁材料中的磁化具有有效惯性，与传统的人工脉冲神经元不同，这使其具有与生物神经元非常相似的内在特性。本文表明，反铁磁神经元的脉冲持续时间为皮秒级，每个突触操作的功耗约为 10 − 3 pJ，并且具有与生物神经元直接相似的内置特性，包括响应延迟、折射和抑制。本文还表明，即使对于被动对称互连，互连到物理神经网络中的反铁磁神经元也可以执行单向数据处理。通过实现布尔逻辑门和可控记忆环路的简单神经形态电路模拟说明了反铁磁神经元的灵活性。