微镜◼1x4,1x8至1xn镜头阵列,具有完美对齐的镜头◼单元<0.6 x 0.6 x 0.6 x 1mmm³◼准入和重新聚焦◼大型尺寸和长距离
“使用光子线键合在硅光子集成芯片上的包装可调单模III-V激光”,(2024)Deenadayalan等人,IEEE,IEEE 74th(ECTC),Denver,Colorado,Colorado,USA
图 2:典型球/月牙互连的简化表示 自动引线键合机于 20 世纪 80 年代初推出。当时,大多数互连都是使用铝线制作的。随着对高可靠性需求的增加,金线变得更加普遍。随着封装密度的增加,引线互连键合间距减小。细间距的初始解决方案是楔形键合,因为楔形工具设计允许将引线紧密键合(并排)。 细间距互连 在更小的空间内封装更多元件的需求导致 ASIC 设计变得更加密集。人们曾认为,互连细间距封装的最佳方法是通过楔形键合。在 20 世纪 90 年代后期,典型的键合间距从约 110µm 减小到约 90µm。在此期间,平均楔形工具尖端大约是球键合毛细管工具尖端宽度的三分之一。毛细管材料缺乏支持细间距工艺的稳健性。从那时起,改进的材料使细间距设计成为可能,其中尖端尺寸小于 70µm 的情况并不罕见。更小的特征、更高的密度和更多的 I/O 需要细间距。在当今的细间距环境中,任何使用楔形键合机键合的设备都可以使用球焊设备更快地键合。图 3 和图 4 描绘了使用 1.0 mil 导线通过球焊互连的 55µm 细间距架构。
电话:707-628-5107 电子邮件:jbahena@veeco.com 摘要 5G、物联网和其他全球技术趋势的需求,加上缩小工艺节点成本的增加,已导致向更集成的封装要求转变。扇出晶圆级封装、2.5D/3D IC 封装和异构集成等先进封装技术的出现,为更小尺寸、更高功能和带宽带来了潜力。为了实现这些技术,通常需要对器件晶圆进行背面处理或减薄。这就要求使用临时粘合材料将器件晶圆粘附到刚性载体晶圆上,以便在处理和加工过程中提供机械支撑。释放载体后,必须彻底清除器件晶圆上的临时粘合材料。许多此类粘合剂都暴露在高功率激光或高温下,这使得清除更具挑战性。临时键合材料去除的亚微米级颗粒清洁要求也达到了通常为前端处理保留的标准。这在 3D 工艺中尤其重要,例如混合键合,其中特征和间距尺寸接近 < 1 µm,清洁不充分会导致后续键合工艺失败。因此,必须仔细考虑所有处理步骤以满足严格的颗粒要求。这项工作研究了硅晶片上涂层和烘烤的临时键合材料的去除,重点是获得最佳颗粒结果的加工条件。通过进行试样级研究和测量表面特性,在烧杯级评估了几种化学物质。根据这些发现,使用可定制的单晶圆加工工具对 300 毫米晶圆进行了研究。关键词临时键合材料、湿法清洗、晶圆级封装、单晶圆加工。I.简介 虽然晶体管和节点缩放一直在不断进步,但相关的成本和复杂性要求采用其他途径来提高性能。最突出的是,先进封装中的 2.5D/3D 集成通过将不同尺寸和材料的不同组件集成到单个设备中,显示出巨大的前景 [1]。由于许多当前的集成工艺流程都需要对设备晶圆进行背面处理或减薄,因此使用临时键合和脱键合 (TBDB) 系统已被证明是必要的多种类型的集成技术已经得到开发,例如扇出型晶圆级封装 (FOWLP)、2.5D 中介层、3D 硅通孔 (TSV) 和堆叠封装 (PoP),具有高集成度、低功耗、小型化和高可靠性等预期优势 [1-3]。
成本降低是最近向CU线键合的主要驱动力,主要是AU线粘结。包装的其他成本降低来自基板和铅框架的新开发项目,例如预镀框(PPF)和QFP和QFN的UPPF降低了镀层和材料成本。但是,由于粗糙的smface饰面和薄板厚度,第二个键(针键键)在某些新的LeadFrame类型上可能更具挑战性。pd涂层的Cu(PCC),以通过裸铜线改善电线键合工艺,主要是为了提高可靠性并增强了S TCH键过程。需要进行更多的FTMDAMENTALS研究来了解粘结参数和粘结工具的影响以提高针迹键合性。在本研究中研究了Au/Ni/pd镀的四型扁平铅(QFN)PPF底物上直径为0.7 mil的PCC电线的针键键过程。两个具有相同几何形状但不同的s脸的胶囊用于研究Capillruy Smface饰面对针键键过程的影响。两种毛细血管类型是一种抛光的饰面类型,用于AU线键合,而颗粒•饰面毛细管具有更粗糙的smface fmish。比较铅(NSOL)ATLD SH01T尾巴之间的过程窗口。研究了过程参数的影响,包括粘结力和表SCMB扩增。过程窗口测试结果表明,颗粒毛细管具有较大的过程窗口,并且SH01T尾巴OCCTM的机会较低。在所有三个Pru·emeter套件中,颗粒状的毛细血管均显示出更高的粘结质量。较高的SCMB振幅增加了成功SS的机会 - 填充针键键的fonnation。ftnther比较了毛细血管smface饰面,3组参数se ttings ttings ttings ttings具有不同的键atld scmb a振幅ru·e测试。与抛光类型相比,Grrumlru·capillruy产生了更高的针迹拉力强度。开发了该过程的有限元模型(FEM),以更好地了解实验性OB使用。从TL1E模型中提取了电线和亚种界面处的电线的Smface膨胀(塑性脱节),并归因于粘附程度(键合)。该模型用于与不同的Smface饰面相连(键合)的实验观察。