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World File Search System锯齿形
纳米级缺陷对石墨烯导热率的影响
有一个显着的理论性旨在理解制造诱导的缺陷对单层石墨烯的操作行为的影响。这些研究主要集中在原子缺陷上，而在合成过程中，纳米级针孔和厚度附着在单层石墨烯上的两个层（双层）的斑块是不可避免的。在这项工作中，通过非平衡分子动力学模拟研究了这些纳米级缺陷对石墨烯热导率的影响。单层锯齿形和面向扶手椅的热导率的导热度是建模的，以捕获空隙和双层缺陷的影响。分析具有50 nm×10 nm尺寸的单层石墨烯片，其椭圆形缺陷为6 nm（主要轴）。我们的结果显示，随着温度的升高，导热率降低了20％以上，随着空隙尺寸的增加约75％。单层石墨烯的热导率的降低为15％，双层缺陷的直径为6 nm。这项研究表明，缺陷形状对石墨烯的导热性产生了巨大影响，与圆形相比，用椭圆形的缺陷表明石墨烯的热传递更高。这项工作提供了如何量化制造诱导缺陷对石墨烯导热率的影响的指南。
![arxiv：2409.10380v2 [cond-mat.mes-hall] 24年9月24日2024](/simg/6\669cc5e60579e0516e6a48d7c6b8bce3cd3d77e4.webp)
arxiv：2409.10380v2 [cond-mat.mes-hall] 24年9月24日2024
我们提出了一项有关通过任意极化光照射增强双层石墨烯（BLG）的热电（TE）性能的综合研究，重点是具有锯齿形边缘的AA和AB堆放的配置。利用紧密结合理论和密度功能理论（DFT）的结合，我们系统地分析了光照射对电子和语音传输特性的影响。光照射改变了电子跳跃参数，创造了不对称的传输函数，从而显着增加了Seebeck系数，从而增强了功绩（FOM）的整体形象。对于语音贡献，DFT计算表明，与AA相比，ABSTACKSTACKSTACKENSTACK STACKENS呈现较低的晶格导热率，这归因于增强的Anharmonic散射和声子组速度。组合分析表明，在两种堆叠类型中，FOM都超出了统一性，在辐射引起的间隙附近有了显着改善。此外，我们探讨了FOM对系统尺寸和温度的依赖性，这表明光辐射的BLG对有效的热电学转换和废热恢复具有很大的希望。我们的结果显示在广泛的辐照参数中的响应良好。这些发现提供了通过光引起的修改为高级TE应用优化BLG的关键见解。
Len Lye的刮擦胶片和线条的能量
在长达十年的中断之后，他主要制作了战时纪录片和军事训练电影，1950年代的Len Lye再次开始使用他在二十多年前帮助Pione Animation的直接动画技术。These previous films, such as Colour Box (1935), Colour Flight (1938), and Swinging the Lambeth Walk (1939), develop what Lye calls a “sensory-ballet” in which abstract forms and music are knit together with color to produce sensations of motion.1 The point was to create a sensual experience of pleasure generated through color whose abstract and direct appeal avoided narrative forms and the kinds of associations that Lye believed plagued realistic图像。在1940年代初期，莉停止制作这些电影，部分原因是战争和越来越多的财务支持者的稀缺性，部分原因是他对政治的兴趣日益增长，并且渴望反击纳粹宣传电影。以前做过。取而代之的是，他划过16毫米胶片库存，生产线条，点，笔画和锯齿形，这些线条，锯齿状在整个屏幕上移动，不仅在二维空间中播放，而且具有深度的透视图，因为某些形式扭曲并在Z轴上旋转。由此产生的电影《自由激进分子》（1958年修订，1979年），是对能量的狂喜庆祝
棱镜生命Epo4电池模块的热管理，带有倒置的Zigzag传播的铁氟烷流
Sarawut Sirikasemsuk，1个Ponthep Vengsungnle，2 Smith Eiamsa-Ard 3和Paisarn Naphon 4，*摘要电池模块的热管理在其一生，性能，性能和安全风险中起着至关重要的作用。超载或外部热量会导致热失控。在高操作条件下，电池内部的电解质蒸发并产生较高的压力，导致电解质分解，泄漏，点燃和爆炸。使用湍流混合物，考虑了电池通过电池壳的流动的锯齿形流动的热行为。计算域包含十二个棱镜Lifepo 4电池电池，并具有四个冷却流夹克配置。从比较过程中达成了合理的协议。随着工作流体和较高浓度，TIO 2纳米流体和Fe 3 O 4的出口冷却剂温度高于水的高度，可提高去除热量能力。反向Zigzag引导流量降低了电池温度。电池模块的最高温度梯度分别为5.00 O C，4.60 O C，4.53 O C，3.41 O C和1.85 O C，分别为I，II（a），II（a），II（b），III和IV。因此，这种冷却系统可能是设计电池模块内部区域的冷却系统的替代方法，尤其是大型模块。
补充材料
2π，其中k是x方向上的波形，n是频带索引。要考虑到自旋轨道的影响，我们将假设ψk，n和u k，n都是二维旋转器。我们将幅度E的电场施加到平行于边缘（即X方向）的方向上，即，汉密尔顿人受到潜在项EE ˆ X的扰动，其中 - e是电子电荷，而位置操作员ˆ x。对于具有锯齿形和胡须边缘（保留山谷数）的石墨烯纳米替宾，坐标（x，y）的作用由单位单元格L和组合索引（M，σ）播放，其中m = 1。。。n表示每个单位单元格中的两个原子水平行，其中σ原子（a或b）中的两个原子行（见图1（a），（c）在主文本中）。请注意，一排可能会错过任何一个sublattice的原子，如图1（c），在每个单元单元的第1行中错过了一个A原子。在显示纳米孔中的密度和电流的结果时，在Y轴上的位置只能解析到行数中。 因此，Y坐标将被离散索引所取代，该索引将采用整数值，以在一行中标记位置，并在行之间标记位置（中途）。在Y轴上的位置只能解析到行数中。因此，Y坐标将被离散索引所取代，该索引将采用整数值，以在一行中标记位置，并在行之间标记位置（中途）。
Mo -Si System的硅化硅的主要特性
摘要。使用Magnetron-ION溅射，将一层金属钼1–2μm厚的金属钼沉积在环境温度下惰性氩气的大气中，该硅通过Czochralski方法生长的硅单晶表面。根据实验的结果，纯Mo层厚度为2μm，通过磁控蛋白的反应性溅射从高度纯的金属钼靶中沉积到冷硅晶片底物上，厚度为1.5 mm。仅在严格定义的钼金属沉积速率对应于体积中给定的巨质压力的情况下，它们的电导率和透明度也很高。溅射目标是直径为40 mm的磁盘，厚度为3-4 mm。产品处理的技术周期包括目标清洁的阶段。在不添加氧气的情况下将金属MO靶标溅射在纯氩AR中，可以促进具有非常好的电导率的不透明金属膜的形成。X射线衍射分析具有Mo金属涂层表面的硅单晶体显示了Moleybdenum-Silicon系统中的MO3SI和MOSI.65的化合物。硅硅硅酸盐被发现在温度范围1850÷1900°C的温度范围内经历同类肌转化，而低温品种 -MOSI2具有四方结构。 -MOSI2的高温形式具有六边形结构。使用原子扫描显微镜进行研究的结果表明，硅原子的链与MO原子连接，形成沿平行X和Y轴的MO结构的棱镜形成的锯齿形。
边缘扩展的曲折石墨烯Nanoribbons的地下合成
石墨烯纳米纤维（GNR）由于通过边缘结构和色带宽度的变化来精确调整电子性能的潜力，因此在纳米电子学上引起了显着关注。然而，GNR与高度渴望的锯齿形边缘（ZGNR）的合成，对旋转和量子信息技术至关重要，仍然具有挑战性。在这项研究中，提出了用于合成一类称为边缘延伸ZGNRS的新型GNR类的设计主题。此基序可以定期沿曲折边缘的边缘扩展进行控制。与融合到功能区轴交替侧面的双斜烯单元的特定GNR实例（3- Zigzag行宽的ZGNR）的合成。 所得的边缘延伸的3-ZGNR使用扫描探针技术以其化学结构和电子性能进行了全面的特征，并取决于密度功能理论计算。 此处展示的设计主题为综合各种边缘扩展的ZGNR范围开辟了新的可能性，扩大了GNR的结构景观，并促进了其结构依赖性电子特性的探索。与融合到功能区轴交替侧面的双斜烯单元的特定GNR实例（3- Zigzag行宽的ZGNR）的合成。所得的边缘延伸的3-ZGNR使用扫描探针技术以其化学结构和电子性能进行了全面的特征，并取决于密度功能理论计算。此处展示的设计主题为综合各种边缘扩展的ZGNR范围开辟了新的可能性，扩大了GNR的结构景观，并促进了其结构依赖性电子特性的探索。
银表面手性石墨烯纳米带的能带结构和能级排列
碳基纳米结构可以根据其精确的键合结构显示出异常多样的特性。这包括石墨烯纳米带 (GNR)，1-3 其中石墨烯晶格被限制为狭窄的一维条纹。具有扶手椅取向边缘的 GNR 显示出半导体带结构。相比之下，锯齿形甚至手性 GNR 是准金属的，并且会形成自旋极化边缘态，2-5 除非它们非常窄。在这种情况下，两侧的边缘态相互杂化，这会猝灭自旋极化并赋予带常规的半导体带结构。6,7 对于具有 (3,1) 手性矢量的带，维持准金属行为所需的最小宽度包括从一侧到另一侧的六条碳锯齿线。6 这一理论预测最近已通过合成和光谱表征 Au(111) 上不同宽度的 (3,1) 手性 GNR 得到实验证实。 8 然而，这些纳米带，就像纯锯齿状边缘的 GNR 9 或具有与周期性锯齿状边缘段相关的低能态的其他 GNR 10–12 一样，迄今为止仅在 Au(111) 上合成和表征。为了研究具有较低功函数的不同基底对纳米带电子特性的影响，我们在弯曲的 Ag 晶体 13 上合成了六条锯齿状线宽的 (3,1) 手性 GNR（(3,1,6)-chGNR，图 1a），该晶体相对于中心 (111) 表面取向向两侧跨越高达 ±15 度的邻位角（图 1b）。整个晶体的合成都是成功的，但样品每一侧的不同类型的台阶对纳米带的优选方位角排列有不同的影响。这为我们提供了一个理想的样品，可通过角分辨光电子发射 (ARPES) 研究沿纳米带纵轴和垂直于纳米带纵轴的能带色散。我们使用的反应物是 2',6'-二溴-9,9':10',9”-四蒽 (DBTA，图 1a)，合成方法见补充信息。8 它经过
石墨烯量子点的光学特性
石墨烯量子点（GQD）的荧光性能，即小型单层或多层石墨烯含量[1，2，2，2，3，4，5，6，6，7，7，7，8，9，10，11，12]光伏[3，10]，传感[5，9]或光催化[2，5，10]设备。在这些特性的核心上，发射状态的性质受到了多种自上而下和自下而上的可用合成技术的阻碍。可能的候选物可能范围从固有的π -π∗转变（在固定的SP 2系统中）到包括e在内的边缘状态。 g。富含氧气的官能团或碳样锯齿形位点。结果，影响发射波长的主要因素仍在争论。原始的GQD特性已在密度功能理论（DFT）和时间依赖性的TD-DFT水平上探索，并清楚地强调了通过量子结合的量子和降低GQD大小的量子的开放和光学间隙[13，14]。进一步的工作证明了功能化[15、8、14、16、17、18]和/或掺杂[14、19、20、21、22]可以显着影响GQD的电子和光学特性。这些研究阐明了可以在经过实验上观察到的各种光致发光特性，鉴于所选的合成途径和边缘处理，但据报道了原始GQD的一些有趣的特性[23，24，25，26，27，28]。特别是发现最低激发的光学过渡偶极子。这可以在吸收峰和发光峰之间的较大的stokes移动中表现出来，或者，如果存在有效的非辐射衰减通道，则在光致发光的淬灭中。这些特性与所考虑的理想拟光的高几何对称性相关[24，26，28]。在本研究中，我们表明，原始GQD中的低谎言深度激发的存在是植根于基础石墨烯格子和电子孔手性对称性的六边形对称性的一般特性。此外，此属性也保留给与高对称形状显着偏离的结构。这些结论是由从头算在现实的GQD上进行的多体绿色功能计算来确认的。我们认为，手性对称性施加了一定的能量量表，即使空间对称为
在...
[1] F. Bonaccorso，Z。Sun，T。Hasan，A。C。Ferrari。 石墨烯光子学和光电子学。 nat。 光子学。 2010，4，611-622。 [2] D. Pesin，A。H。MacDonald。 石墨烯和拓扑绝缘子中的旋转和伪辛酸。 nat。 mater。 2012，11，409-416。 [3] K. Zhang，Q.Fu，N。Pan，X。Yu，J。Liu，Y。Luo，X。Wang，J。Yang，J。Hou。 通过催化扫描探针光刻直接在氧化石墨烯上直接编写电子设备。 nat。 社区。 2012，3，1194。 [4] W. Han，R。K. Kawakami，M。Gmitra，J。Fabian。 石墨烯旋转。 nat。 纳米技术。 2014，9，794-807。 [5] Z. Chen，A。Narita，K.Müllen。 石墨烯纳米纤维：地下合成和集成到电子设备中。 高级材料。 2020，32，2001893。 [6] N. P. De Leon，K。M. Itoh，D。Kim，K。K. Mehta，T。E. Northup，H。Paik，H。Paik，B。S. Palmer，N。Samarth，S。Sangtawesin，D。W. Steuerman。 材料挑战量子计算硬件的挑战和机会。 科学。 2021，372，EABB2823。 [7] C. Tao，L。Jiao，O。V. Yazyev，Y.-C。 Chen，J。Feng，X。Zhang，R。B. Capaz，J。M. Tour，A。Zettl，S。G. Louie等。 在空间解析手性石墨烯纳米纤维的边缘状态。 nat。 物理。 2011，7，616-620。 [8] M. Slota，A。Keerthi，W。K。Myers，E。Tretyakov，M。Baumgarten，A。Ardavan，H。Sadeghi，C。J。Lambert，A。Narita，K.Müllen等。 自然。Sun，T。Hasan，A。C。Ferrari。石墨烯光子学和光电子学。nat。光子学。2010，4，611-622。[2] D. Pesin，A。H。MacDonald。石墨烯和拓扑绝缘子中的旋转和伪辛酸。nat。mater。2012，11，409-416。[3] K. Zhang，Q.Fu，N。Pan，X。Yu，J。Liu，Y。Luo，X。Wang，J。Yang，J。Hou。通过催化扫描探针光刻直接在氧化石墨烯上直接编写电子设备。nat。社区。2012，3，1194。[4] W. Han，R。K. Kawakami，M。Gmitra，J。Fabian。石墨烯旋转。nat。纳米技术。2014，9，794-807。[5] Z. Chen，A。Narita，K.Müllen。石墨烯纳米纤维：地下合成和集成到电子设备中。高级材料。2020，32，2001893。[6] N. P. De Leon，K。M. Itoh，D。Kim，K。K. Mehta，T。E. Northup，H。Paik，H。Paik，B。S. Palmer，N。Samarth，S。Sangtawesin，D。W. Steuerman。材料挑战量子计算硬件的挑战和机会。科学。2021，372，EABB2823。[7] C. Tao，L。Jiao，O。V. Yazyev，Y.-C。 Chen，J。Feng，X。Zhang，R。B. Capaz，J。M. Tour，A。Zettl，S。G. Louie等。在空间解析手性石墨烯纳米纤维的边缘状态。nat。物理。2011，7，616-620。[8] M. Slota，A。Keerthi，W。K。Myers，E。Tretyakov，M。Baumgarten，A。Ardavan，H。Sadeghi，C。J。Lambert，A。Narita，K.Müllen等。自然。磁边状态和石墨烯纳米骨的相干操纵。2018，557，691-695。[9] D. Wang，D.-L。 Bao，Q. Zheng，C.-T。 Wang，S。Wang，P。Fan，S。Mishra，L。Tao，Y。Xiao，L。Huang等。具有可调边缘状态的扭曲的双层锯齿形 - 锯齿形纳米替伯恩连接。nat。社区。2023，14，1018。[10] M. Kohmoto，Y。长谷川。零模式和蜂窝晶格的边缘状态。物理。修订版b。2007，76，205402。[11] S. Xia，Y。Liang，L。Tang，D。Song，J。Xu，Z。Chen。光子实现的普通类型的石墨烯边缘状态表现出拓扑平坦带。物理。修订版Lett。 2023，131，013804。 [12]ç。 Ö。 Girit，J。C. Meyer，R。Erni，M。D. Rossell，C。Kisielowski，L。Yang，C.-H。 Park，M。F. Crommie，M。L. Cohen，S。G. Louie等。 边缘的石墨烯：稳定性和动力学。 科学。 2009，323，1705-1708。 [13] S. Mishra，G。Catarina，F。Wu，R。Ortiz，D。Jacob，K。Eimre，J。Ma，C。A。Pignedoli，X。Feng，P。Ruffieux等。 观察纳米谱链链中的分数边缘激发。 自然。 2021，598，287-292。 [14] X. Li，X。Wang，L。Zhang，S。Lee，H。Dai。 化学得出的超齿石墨烯纳米替伯苯半导体。 科学。 2008，319，1229-1232。 [15] G. Z. Magda，X。Jin，I。Hagymási，P。Vancsó，Z。Osváth，P。Nemes-Incze，C。Hwang，L。P.Biró，L。Tapasztó。 自然。 2014，514，608-611。 nat。Lett。2023，131，013804。[12]ç。 Ö。 Girit，J。C. Meyer，R。Erni，M。D. Rossell，C。Kisielowski，L。Yang，C.-H。 Park，M。F. Crommie，M。L. Cohen，S。G. Louie等。边缘的石墨烯：稳定性和动力学。科学。2009，323，1705-1708。 [13] S. Mishra，G。Catarina，F。Wu，R。Ortiz，D。Jacob，K。Eimre，J。Ma，C。A。Pignedoli，X。Feng，P。Ruffieux等。 观察纳米谱链链中的分数边缘激发。 自然。 2021，598，287-292。 [14] X. Li，X。Wang，L。Zhang，S。Lee，H。Dai。 化学得出的超齿石墨烯纳米替伯苯半导体。 科学。 2008，319，1229-1232。 [15] G. Z. Magda，X。Jin，I。Hagymási，P。Vancsó，Z。Osváth，P。Nemes-Incze，C。Hwang，L。P.Biró，L。Tapasztó。 自然。 2014，514，608-611。 nat。2009，323，1705-1708。[13] S. Mishra，G。Catarina，F。Wu，R。Ortiz，D。Jacob，K。Eimre，J。Ma，C。A。Pignedoli，X。Feng，P。Ruffieux等。观察纳米谱链链中的分数边缘激发。自然。2021，598，287-292。[14] X. Li，X。Wang，L。Zhang，S。Lee，H。Dai。化学得出的超齿石墨烯纳米替伯苯半导体。科学。2008，319，1229-1232。 [15] G. Z. Magda，X。Jin，I。Hagymási，P。Vancsó，Z。Osváth，P。Nemes-Incze，C。Hwang，L。P.Biró，L。Tapasztó。 自然。 2014，514，608-611。 nat。2008，319，1229-1232。[15] G. Z. Magda，X。Jin，I。Hagymási，P。Vancsó，Z。Osváth，P。Nemes-Incze，C。Hwang，L。P.Biró，L。Tapasztó。自然。2014，514，608-611。nat。纳米容器上的磁性磁条抓取纳米骨。L. Britnell，R。V。Greena，M单身，被忽略和可忽略的忽略导电转换。公社。2013，4，1794。[17] P. Ruffieux，S。Wang，B。Yang，C。Sánchez，J。Liu，T。Dienel，L。Talliz，P。Shinde，C。A。Pignedoli，D。Passerone和Al。自然。2016，531，489-4