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World File Search System静电的
高级易燃和可燃液体
i. 实验室中的静电危害 易燃和可燃液体的流动会引起静电积聚。当电荷积聚到一定程度时，会产生火花，并可能导致火灾或爆炸。发生这种情况的可能性取决于液体的导电性、闪点和产生静电的能力。 当液体从一个金属容器转移到另一个金属容器时，会产生静电。液体在倾倒、泵送或搅拌过程中与其他材料接触时会产生静电。这种静电的积聚会在溶剂流出容器的地方形成火花。这可能会导致火灾或爆炸。 ii. 避免静电的程序 为避免可能引起火花的静电积聚，必须将金属容器接地，尤其是容量较大的容器，例如 55 加仑桶或 5 加仑容器。接地消除了两个容器之间的电势，因此消除了产生火花的可能性。接地线连接到两个导电物体，如下图所示。接地消除了导电物体和地面之间的静电势电荷差。接地是通过将导电物体直接连接到地面来实现的，通常使用冷水铜管、建筑钢材或接地母线/排。接地和接地需要良好的电气连接。清除任何污垢、油漆或铁锈，确保金属与金属接触。接地线和接地线和夹子有多种款式和长度。
20/21 财年回顾 - SIA 工程公司
• 使用最新的静电喷雾设备，为航空公司客户提供更多的客舱消毒服务。带静电的消毒剂颗粒分散并附着在飞机表面，与传统喷雾方法相比，在覆盖和涂层方面具有更好的效果 • 每次客舱消毒的生产效率提高 20%，周转时间缩短
先进 CMOS 的性能和可靠性设计
在过去的几十年中，电子行业的中心主题是通过减小晶体管面积来增加晶体管密度，这是摩尔定律的要求。从平面 CMOS 技术到 FinFET 技术的范式转变将这种面积缩小趋势延续到了 20nm 以下时代。FinFET 中晶体管静电的增强使栅极长度和接触多晶硅间距 (CPP) 进一步缩小。同时，对面积缩小的追求也来自宽度（或鳍片间距）和高度尺寸。通过减小鳍片间距和增加鳍片高度，可以提高 FinFET 的电流密度。因此，电路设计人员可以使用更少的鳍片来满足相同的电流要求并同时节省面积，这种方案通常称为“鳍片减少”。然而，上述方法开始显示出收益递减，并面临过多的制造挑战。为了进一步提高电流密度并减小面积，未来预计将使用具有高迁移率的新型通道材料（例如 SiGe）和/或具有更好静电的新结构（例如插氧化物 FinFET (iFinFET)、Gate-All-Around FET、Nanosheet FET）。
先进 CMOS 的性能和可靠性设计
在过去的几十年中，电子行业的中心主题是通过减小晶体管面积来增加晶体管密度，这是摩尔定律的要求。从平面 CMOS 技术到 FinFET 技术的范式转变将这种面积缩小趋势延续到了 20nm 以下时代。FinFET 中晶体管静电的增强使栅极长度和接触多晶硅间距 (CPP) 进一步缩小。同时，对面积缩小的追求也来自宽度（或鳍片间距）和高度尺寸。通过减小鳍片间距和增加鳍片高度，可以提高 FinFET 的电流密度。因此，电路设计人员可以使用更少的鳍片来满足相同的电流要求并同时节省面积，这种方案通常称为“鳍片减少”。然而，上述方法开始显示出收益递减，并面临过多的制造挑战。为了进一步提高电流密度并减小面积，未来预计将使用具有高迁移率的新型通道材料（例如 SiGe）和/或具有更好静电的新结构（例如插氧化物 FinFET (iFinFET)、Gate-All-Around FET、Nanosheet FET）。
先进 CMOS 的性能和可靠性设计
在过去的几十年中，电子行业的中心主题是通过减小晶体管面积来增加晶体管密度，这是摩尔定律的要求。从平面 CMOS 技术到 FinFET 技术的范式转变将这种面积缩小趋势延续到了 20nm 以下时代。FinFET 中晶体管静电的增强使栅极长度和接触多晶硅间距 (CPP) 进一步缩小。同时，对面积缩小的追求也来自宽度（或鳍片间距）和高度尺寸。通过减小鳍片间距和增加鳍片高度，可以提高 FinFET 的电流密度。因此，电路设计人员可以使用更少的鳍片来满足相同的电流要求并同时节省面积，这种方案通常称为“鳍片减少”。然而，上述方法开始显示出收益递减，并面临过多的制造挑战。为了进一步提高电流密度并减小面积，未来预计将使用具有高迁移率的新型通道材料（例如 SiGe）和/或具有更好静电的新结构（例如插氧化物 FinFET (iFinFET)、Gate-All-Around FET、Nanosheet FET）。
先进 CMOS 的性能和可靠性设计
在过去的几十年中，电子行业的中心主题是通过减小晶体管面积来增加晶体管密度，这是摩尔定律的要求。从平面 CMOS 技术到 FinFET 技术的范式转变将这种面积缩小趋势延续到了 20nm 以下时代。FinFET 中晶体管静电的增强使栅极长度和接触多晶硅间距 (CPP) 进一步缩小。同时，对面积缩小的追求也来自宽度（或鳍片间距）和高度尺寸。通过减小鳍片间距和增加鳍片高度，可以提高 FinFET 的电流密度。因此，电路设计人员可以使用更少的鳍片来满足相同的电流要求并同时节省面积，这种方案通常称为“鳍片减少”。然而，上述方法开始显示出收益递减，并面临过多的制造挑战。为了进一步提高电流密度并减小面积，未来预计将使用具有高迁移率的新型通道材料（例如 SiGe）和/或具有更好静电的新结构（例如插氧化物 FinFET (iFinFET)、Gate-All-Around FET、Nanosheet FET）。
布拉格材料研究中心年度报告
布拉格中心将在新址延续威廉爵士的遗志，设施分布在一楼和二楼，并设有面积达 2,300 平方米、深 5.1 米的地下室综合体。这些设施包括：Royce 沉积系统、原子力显微镜设施、利兹电子显微镜和光谱 (LEMAS) 设施、X 射线设施和纳米技术洁净室。地下室本身提供密封、负压、无静电的环境，直接锚固在基岩上，使其能够达到最低国际振动标准 VC-D/E 规范。达到这一标准极具挑战性，也使布拉格中心的设施与众不同，为我们最苛刻、最敏感的设备提供非凡的动态稳定性，不受过往车辆或建筑物内人员的影响。
rea 公告 1724e-202 - 美国农业部农村发展部
AAC - 全铝导体 ACSR - 钢芯铝导体 AN - 可听噪声 ASNR - 环境信噪比 BIL - 基本脉冲绝缘水平 BSL - 基本开关浪涌水平 CFR - 联邦法规 EHV - 超高压 EMI - 电磁干扰 E/M - 电磁的 E/S - 静电的 HVAC - 高压交流电 HVDC - 高压直流电 kV - 千伏 MV - 兆乏 MVA - 兆伏安 MW - 兆瓦 NESC - 国家电气安全规范 OHGW - 架空地线 PCB - 电力断路器 RI - 无线电干扰 REA - 农村电气化管理局 RMS - 均方根 ROW - 通行权 SNR - 信噪比 SSR - 次同步谐振 TNA - 瞬态网络分析仪 TVI - 电视干扰 UHV - 特高压
先进 CMOS 的性能和可靠性设计...
通过减小晶体管面积来增加晶体管密度，这是摩尔定律的要求。从平面 CMOS 技术到 FinFET 技术的范式转变将这种面积缩小趋势延续到 20nm 以下时代。FinFET 中晶体管静电的增强使栅极长度进一步缩小，从而缩小了接触多晶硅间距 (CPP)。同时，对面积缩小的追求也来自宽度（或鳍片间距）和高度尺寸。通过减小鳍片间距和增加鳍片高度，可以提高 FinFET 的电流密度。因此，电路设计人员可以使用更少的鳍片来满足相同的电流要求并同时节省面积，这种方案通常称为“鳍片减少”。然而，上述方法开始显示出收益递减并面临过多的制造挑战。为了进一步提高电流密度并减小面积，未来预计将使用具有高迁移率的新型通道材料（例如 SiGe）和/或具有更好静电性能的新结构（例如插入氧化物鳍式场效应晶体管 (iFinFET)、Gate-All-Around FET、Nanosheet FET）。
数字光处理™：一种基于 MEMS 的新型显示器...
为了帮助您彻底了解 D M D 像素结构及其处理方法，我们使用了几个图，包括爆炸视图、剖面视图和电气示意图。图 6 以爆炸视图的形式显示了图 4 中的像素结构，说明了各个层之间的关系，包括用于寻址像素的底层静态随机存取存储器 (SRAM) 单元。图 7 显示了 3 x 3 像素阵列的渐进剖面视图。图 8 描述了各层如何电气连接，并定义了必须施加到像素以实现正确开关动作的偏置和地址电压。D M D 像素是一个在 CMOS SR A M 单元上制造的单片集成 M E MS 上层结构单元。等离子体作为牺牲层，在上层结构的金属层之间形成空气间隙。空气间隙使结构可以自由旋转，绕两个柔性扭转铰链转动。镜子连接到下层轭架，轭架通过两个扭转铰链悬挂在支撑柱上。轭是静电的，被吸引到下面的轭地址选择的电极上。镜子是