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2012 – 2013 年年度报告 - IIEST
我很高兴在大学即将更名为印度工程科学与技术学院（Shibpur）的前夕发布 2012-13 年度报告，该学院预计将于今年通过印度议会颁布的 NITSER（修正案）法案进行更名。卓越的研发一直是这所大学的标志。在其学术部门中，大学可以夸耀其教职员工的出色表现，尤其是他们高质量的研究成果，仅去年一年，在各种同行评审的国内外期刊上就发表了近 850 篇出版物。博士课程也得到了很大的提升。目前有 454 名注册博士生，去年新招收了 101 名候选人。正在开展大量资金充足的赞助项目。目前，有 142 个资助研究项目正在实施中，资金支出约为 74 千万卢比。在过去的一年中，有 31 个新项目价值近 7 千万卢比。已批准 7 千万卢比用于支持大学。其中包括制定印度公路容量手册的项目；开发用于收集光的模型合成叶、设计和开发基于基板集成波导的射频电路、精确制导导弹的制导控制和目标跟踪策略、流行地区家用氟化物去除过滤器的快速评估等。在这一年中，我们的许多教职员工因其在学术上的卓越表现而获得了多项奖项和荣誉。仅举几例：电子与电信系的 Partha Bhattacharya 博士获得了 2012 年 INSA 青年科学家奖章、2012 年 INAE 青年工程师奖，并在 2013 年 Marquis Who‘s Who in the World 中被引用；材料科学与工程学院的 M. Ray 博士获得了 MRSI 的 G. C. Jain 最佳博士论文奖，S. K. Saha 教授当选为热与质量传递中心科学委员会成员，绿色能源与传感器系统卓越中心的 A. K. Barua 教授成为 MNRE 研发委员会主席。该大学在促进学术、研究和行政活动的基础设施方面取得了显著的增强。朝此方向采取的一些步骤如下：电子和电信系在微波和毫米波实验室、纳米薄膜实验室、固态气体传感器设备实验室等实验室基础设施方面进行了广泛的开发；在绿色能源和传感器系统卓越中心，已经建立了最先进的晶体和非晶硅太阳能电池制造设施；
带 CoSi2 栅极的 MOS 隧道发射极
带有 CoSi 2 栅极电极的高性能 MOS 隧道阴极 T. Sadoh、Y. Zhang、H. Yasunaga、A. Kenjo、T. Tsurushima 和 M. Miyao 九州大学电子系 6-10-1 Hakozaki，福冈 812-8581，日本 电话：+81-92-642-3952 传真：+81-92-642-3974 电子邮件：sadoh@ed.kyushu-u.ac.jp 1. 简介 高稳定性低电压工作的微阴极是真空微电子学和先进平板显示技术中不可或缺的一部分。到目前为止，已经对具有金属-绝缘体-金属 (MIM) 结构 [1] 和金属氧化物半导体 (MOS) 结构 [2-4] 的隧道阴极进行了研究。Yokoo 等人。报道了具有 Al 或 n + 非晶硅 (a-Si) 栅极的 MOS 隧道阴极的工作特性 [2, 3]。具有 Al 栅极的阴极的发射效率高，但 Al/SiO 2 界面不稳定。另一方面，具有 a-Si 栅极的阴极的 a-Si/SiO 2 界面稳定。然而，a-Si 栅极的电阻相对较高，发射效率较低。因此，迫切需要提高阴极的发射效率和寿命。为了提高它们，需要具有低电阻和稳定电极/氧化物界面的高质量薄栅极电极。CoSi 2 是电阻最低的硅化物之一，具有化学和热稳定性。因此，预计采用 CoSi 2 作为栅极材料将提高阴极的性能。在这项研究中，研究了具有 CoSi 2 栅极的隧道阴极的工作特性，并证明了薄 CoSi 2 膜可以提高发射效率和寿命。这是关于具有 CoSi 2 栅电极的 MOS 隧道阴极的首次报道。2. 实验步骤所用衬底是电阻率为 10 Ωcm 的 n 型 Si。通过湿法氧化生长 160nm 厚的场氧化物。去除具有 0.3mm 2 的圆形栅极图案的氧化物后，通过干氧化在 900 ℃持续 22 分钟生长 10nm 厚的栅极氧化物。为了改善栅极氧化物，将样品在 Ar 中以 1100℃退火 90 分钟。栅极氧化后，使用固体源 MBE 系统在基底温度为 400℃下通过共沉积 Co 和 Si 形成 5-10nm 的 CoSi 2 栅电极，基底压力为 5x10 -11 Torr。最后，通过沉积 Al 形成接触。样品的示意图和能带图分别如图 1 和图 2 所示。测量了二极管电流 Id 和发射电流 Ie 与栅极偏压的关系。3. 结果与讨论图 3 显示了二极管和发射电流密度与电场的典型依赖关系。在 7 MV cm -1 以上的电场下，可以观察到电子的发射。图 4 显示了图 3 中数据的 Fowler-Nordheim 图。发现二极管和发射