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World File Search System顶层
具有增强键合强度的白色粘合剂
这项工作介绍了优化的模型和数值模拟的结果以及基于CNT的GAAS/INAS多个量子井（从5到70 QWS）GAAS太阳能电池的分析。这些QW被发现将吸收边缘延伸到GAA带隙的范围之外。此外，随着模型中引入宽带插入式凹陷后面场（BSF）层，由于从设备底部反射了未吸附的光子，因此提高了效率，从而提高了效率。所提出的模型使用异质的CNT层作为顶部半透明电极。可以观察到，这种具有较低板电阻和更好光线的CNT顶层可以显着提高整体效率。我们的优化单元格具有35 number 25nm量子井结构，具有100 nm CNT顶层，板电阻为128Ω/□可将效率提高到32.46％（没有CNT顶层）。EQE接近90％。为了显示我们发现的准确性，显示了数值建模的关键阶段，并使用标准实验数据检查了基本仿真数据。在创建商业上可行的QWSCS迈出的重要一步是建议基于CNT的QWSC模型在现代TCAD工具环境（Silvaco Atlas）中的有效应用。keyowrds：碳纳诺管（CNT），INAS/GAAS，SILVACO TCAD，量子井太阳能电池（QWSC）
使用 MBSE 执行功能分析来分析...
定义产品层次结构中顶层系统的需求，然后将这些需求分解为层次结构中下一级别的子系统需求 - 真的吗？有些人认为，一旦任何给定级别的需求工作完成，架构工作就可以开始，但这是架构工具和方法唯一有用的时间吗？您是否曾经参加过系统工程实践与系统工程理论 100% 一致的项目？您如何应对与理论的偏差？如果顶部的原始需求不是人们应该开始的合适需求，会发生什么？本演示文稿将简要概述系统工程，然后介绍从客户传递给项目的顶层需求的示例。我们将使用功能分析来改进需求并回答前面的问题。
和地下有机碳转移时间
图3：顶层和地下有机碳转离时间（τ，yr）的全局模式。在顶部（0-0.3 m）（a）和270 subloil（0.3-1 m）（c）层处于τ的全局分布。使用从全球土壤概况观测值及其环境协变量训练的机器学习模型生成了τ-环境关系，其空间分辨率为30 Arcsec（在赤道处约为1 km）。b，d，顶层和地下τ的纬度图案。橙色和蓝线分别代表在纬度上的顶部和地下土壤的平均τ。阴影灰色区域代表沿纬度的2.5 th和97.5个百分位数之间的变化。e，f，在不同主生物群落中两层处的平均τ。错误条显示每个生物群落内空间预测的95％百分位间隔。275
MDHHS 关于疫苗储存和处理的指导
• 将疫苗存放在原包装盒中，盖上盖子以避免光照，直到准备使用时 • 清楚地标记箱子和/或架子以减少错误；如果您是 VFC 提供者，请务必清楚区分 VFC 和私人购买的疫苗 • 将疫苗和稀释剂放在装置的中央，距离墙壁、天花板、地板和门 2-3 英寸 • 避免将疫苗和稀释剂存放在靠近冷却通风口的顶层架子上 • 不要将疫苗存放在熟食店、水果或蔬菜抽屉中或门中 • 将有效期最早的疫苗和稀释剂放在有效期较晚的疫苗和稀释剂前面 • 不要将存储单元包装得太紧；留出良好的空气流通空间 • 将水瓶放在顶层架子和地板上以及门架上以帮助稳定温度
商业建筑计划审查定义和常用术语
正在建造、改建、扩建或正在改变占用或用途的建筑物或结构的总面积，包括所有楼层。请注意，根据其适用于费用确定还是工作区域，定义略有不同。与提交建筑计划、供暖、通风和空调 (HVAC) 计划以及消防系统计划相关的费用应根据每栋建筑物或受影响区域的总建筑面积计算。这包括与夹层、设备平台、顶层公寓、拱顶、坑或门廊相关的楼面面积，这些楼面面积可能位于建筑物屋顶下。此外，这还包括屋顶或大于 2 英尺的悬垂结构下的楼面面积以及可能具有由支撑柱或屋顶面积投影定义的“楼面面积”的天篷或亭子型结构。请注意，夹层、设备平台、顶层公寓、金库和坑都包含在总建筑面积中，用于费用计算和确定火灾面积，但通常不包括在建筑占地面积计算中。
纳米薄层僵硬的层对粗糙表面的粘附的影响
粘附需要分子接触，并且天然粘合剂采用机械梯度来实现完整（共形）接触以最大程度地提高粘附力。直觉上，人们期望顶层的模量越高，粘附强度越低。然而，僵硬顶层的厚度与粘附之间的关系尚不清楚。在这项工作中，我们量化了在软聚聚二甲基硅氧烷（PDMS）弹性体的厚度变化厚度的刚性玻璃状聚（PMMA）层之间的粘附。我们发现，在加载循环中，仅需要≈90nm厚的PMMA层才能将宏观粘附降低至几乎为零。可以使用Persson和Tosatti开发的保形模型来解释双层的粘附下降，在该模型中，创建保形接触的弹性能量取决于双层的厚度和机械性能。更好地理解机械梯度对粘附的影响将对粘合剂，摩擦以及胶体和颗粒物理学产生影响。
理解和解读标准逻辑数据表
简介 6 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 顶层查看 TI Logic 数据表 6 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 建议工作条件 9 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 电气特性 10 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 实时插入规范 11 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 时间要求 12 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ..................................................................................................................................................................... 开关特性12................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................ 噪声特性13....................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................... .................................................................................................................................................................................................................................................... 操作特性 14 ........................................................................................................................................................................................................................................................................................................ ........................................................................................................................................................................................................................................ ........................................................................................................................................................................................................................ .................................................................................................................................................................................................................. 参数测量信息 14 ........................................................................................................................................................................................................................................................................................................ ........................................................................................................................................................................................ 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
在铁电体Hf0.5Zr0.5O2上插入Al2O3中间层扩大Si沟道FeFET存储窗口
基于AFNIA（HfO 2 ）的硅通道铁电场效应晶体管（HfO 2 Si-FeFET）在非挥发性存储器领域得到了广泛的研究[1-7]，这得益于掺杂HfO 2 中铁电性的发现[8]。文献报道中HfO 2 Si-FeFET的存储窗口（MW）大多在1-2 V左右[9-12]，不能满足其在多位存储单元应用的要求。为了提高MW，当前的措施主要通过降低掺杂HfO 2 铁电体与Si通道之间底部SiO x 夹层的电场，从而抑制掺杂HfO 2 /SiO x 界面处的电荷捕获[13-16]，同时增加SiO x 的数量。最近，有报道称MIFIS结构可以有效提高MW，并使用SiO 2 作为顶部夹层[17-21]。然而，Al 2 O 3 作为顶层尚未见报道。因此，我们报道 Al 2 O 3 层作为顶层中间层，以及 MW 对 Al 2 O 3 厚度的依赖性。
