从科学的角度来看,热交换和热吸收可以产生冷。[12]主动热交换通过将热量从高度能量驱动(例如,电子)驱动的低温区域转移到高温区域,而被动热交换在没有外部能量输入的情况下通过将热量从高温区域转移到低温区域,而天空冷却是一个例子。[13–18]然而,它的被动辐射冷却的性质不可避免地使其具有较低的固有热力学冷却功率天花板为≈160w m -2,[19],因此需要对其应用进行大型土地足迹。另一方面,热吸收通过利用诸如溶解等吸热过程(例如溶解)来产生冷。[20,21]基于溶解的冷却过程采用特定的化学化合物,例如硝酸铵,可在溶解过程中吸收热量。但是,它需要大量能量才能从其溶液中回收溶解的化学物质。活跃的热吸收是迄今为止在国内,商业和工业活动中最常用的冷却过程,这主要是由于其高冷却能力。[22]例如,基于压缩的冷却(例如,空调和制冷)通过通过气体压缩蒸发制冷剂和循环冷藏剂会产生冷,从而实现了卓越的能量效率和性能的系数(COP> 2)。[23]但是,这是非常密集的,导致冷却是全球电力消费者和温室气体发射极中很大一部分。[24]
区域供热在向碳中和能源系统转变过程中发挥着重要作用,它能够利用原本会被浪费的热源来满足建筑物的供热需求。然而,许多可再生和剩余热源的可用性与供热需求相反,从而产生了对季节性热能储存的需求。本研究对挪威一个住宅区的供热系统进行了技术经济评估,该地区正在计划建立季节性储存系统来储存垃圾焚烧厂的多余热量。将季节性储存和低温区域供热相结合的供热解决方案与两种更传统的替代方案进行了比较:高温区域供热和直接电加热。研究表明,在假设的条件下,特别是在电力市场方面,季节性储存的成本并不是最优的;然而,与电加热相比,总成本仅高出 3%。季节性储存还可以减少冬季区域供热系统中峰值供热装置的使用,从而降低与热量生产相关的成本和排放,而区域供热本身对缓解电网压力有显著影响。投资低温或高温区域供热可使峰值电力需求减少 28%,季节性储能可使峰值供热需求减少高达 31%。此外,研究表明,冬季电价上涨和电网容量减少可提高该解决方案的经济可行性,并使其具有竞争力。© 2022 作者。由 Elsevier Ltd. 出版。这是一篇根据 CC BY-NC-ND 许可协议开放获取的文章(http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/)。
气候变化重塑了自然资源系统,并导致野火,缺乏和热应激的可能性增加,以及其他不利的结果,这些结果定义了美国广泛地区的潜在危害。我们评估了50年的资源危害预测和人口的多个季度预测,从USDA森林服务2020资源计划法案评估评估,以根据危害暴露和社会脆弱性标准确定关注领域,并评估对气候适应和风险缓解风险计划的影响。我们将在未来50年内投影危险暴露可能会发生变化,并将这些变化分解为由于气候变化和人口变化所驱动的部分所驱动的部分,这都是结果。水资源短缺预测几乎没有空间分布的变化,但预期干旱强度的强劲增长。野火预测显示了模式的结构性变化,在美国东南部的野火范围随着人口密度和社会脆弱性较高而伴随着野火范围的出现增长。高温区域从西南部向北部和东部扩展。预测还显示出受两个或多个危害影响的区域的大幅增长,并突出显示危害与高暴露或高脆弱性相对应的地方。对于所有危害类别和场景,至少有80%暴露于高危害的人口是高烟气或高曝光县。我们的结果强调了管理策略在专注于减轻生物物理危害的人与专注于减轻暴露或脆弱性标准的人之间的差异。
根本性设计变革半导体通常是通过深度扩散工艺制成的,该工艺将掺杂剂(元素杂质)引入硅晶片的晶格中。掺杂剂将晶片转变为能够有效导电的器件。掺杂剂类型决定了每个半导体区域的导电特性:N 型掺杂剂(如磷)产生负电荷载流子区域,而 P 型掺杂剂(如硼)产生正电荷载流子区域。DSRD 还包含轻掺杂的本征区域。这个高温区域夹在 N 型半导体和 P 型半导体之间,半导体中的电传导主要由价带和导带之间的激发电子决定。控制掺杂剂的分布和每个半导体层的厚度对于确保最终器件的最佳性能至关重要。然而,多年来用于生产第一代 DSRD 的扩散工艺繁琐、耗时且成本高昂,使得很难根据需求调整制造时间表。 “掺杂剂扩散是一种标准的半导体制造工艺,但就 DSRD 而言,该工艺既无法得到很好的控制,也无法大规模生产,”MED 工程师、外延 DSRD 团队成员 Sara Harrison 说道。掺杂剂深入硅中所需的扩散过程可能长达一周以上,整个过程