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World File Search System高线
用高线粒体含量过滤细胞在癌症单细胞研究中去除可行的代谢改变的恶性细胞种群
此外，PCTMT已与细胞特异性代谢活性密切相关，从而导致不同细胞类型的实质性变异性，并且经常超过传统过滤器设定的阈值[8,14,16,17]。例如，蒙特塞拉特 - 尤索索（Montserrat-Ayuso）和埃斯特维（Esteve-Codina）[12]认为，常规的线粒体过滤器可能会无意中消除具有高代谢活性的健康细胞。此外，大多数将PCTMT与细胞质量联系起来的研究是在健康而不是患病的组织上进行的，而恶性组织通常由于线粒体DNA（MTDNA）拷贝数升高而导致的线粒体计数较高，或者表现出更高的线粒体计数[18]或MTOR途径的激活[18] [199,20]。因此，在癌症研究中，使用基于整个细胞群体的预定义阈值或中值绝对偏差来过滤较高的PCTMT细胞，可能会无意中消除恶性细胞的罕见，功能上重要的亚群。
非高线运输和跨边界网络
英国离岸能源是英国综合海上能源行业的领先贸易机构。我们的会员人数包括400多个对海上石油，天然气，碳捕获和储存（CCS），氢和风的组织。从运营商到供应链再到整个生命周期，从生产到退役，他们可以安全地向英国提供更清洁的燃料，电源和产品。与我们的成员一起工作，我们是支持英国确保能源供应安全的动力，同时帮助实现其净零承诺。oeuk和我们的成员致力于与英国政府，行业和监管机构合作，以有效，负担得起和及时的方式在2050年之前帮助净净零。作为一个行业，我们同样致力于生产几十年到2050年及以后的几十年中英国将继续需要的清洁油和天然气，其排放量低于进口期权。实现这一目标将在英国带来巨大的经济和环境利益。我们代表的英国离岸能源部门为英国经济做出了巨大贡献，它有可能：
自主温室气候和高线黄瓜中的作物控制
很明显，种植，将农作物缠绕在电线中，重新排列钩子，去衰减，选择性的年轻水果去除，有害生物和疾病控制，施肥和收获仍然是人类动力的工作。也很明显，正确执行这些事情需要重要的技能，因此从这种意义上讲，完全自主控制仍然很远。但是，如果可以将这种气候和浇水控制完全委派给自主系统，那么种植者会感到非常支持，因为它使他们有更多时间注意其余的管理任务。
双向高线导电性和环境自适应石墨烯厚膜通过无缝粘合组件实现了极端热管理
随着航空航天，通信和能源存储系统中高功率电子设备的快速发展，巨大的热量频率对电子设备安全构成了越来越多的威胁。与几个微厚度的薄膜相比，高质量的石墨烯厚纤维（GTF）超过数百微米厚度是一个有希望的候选者，可以解决由于较高的热量量，以解决热管理挑战。然而，传统的GTF通常具有较低的导热率和弱的机械性能，归因于板板比对和脆弱的界面粘附。在这里，提出了一种无缝的键合组件（SBA）策略，以使GTF超过数百微米，具有可靠的合并界面。对于厚度为≈250μm的GTF-SBA，平面内和平面导热率分别为925.75和7.03 w m-1 K-1，大约是传统粘合剂组装方法制备的GTF的GTF的两次和12次。此外，GTF-SBA即使在77 k循环到573 K的严酷温度冲击后，也表现出了显着的稳定性，从而确保了其在极端条件下长期服务的环境适应性。这些发现提供了对石墨烯大块材料界面设计的宝贵见解，并突出了高性能石墨烯材料在极端热管理需求中的潜在应用。
双向高线导电性和环境自适应石墨烯厚膜通过无缝粘合组件实现了极端热管理
随着航空航天，通信和能源存储系统中高功率电子设备的快速发展，巨大的热量频率对电子设备安全构成了越来越多的威胁。与几个微厚度的薄膜相比，高质量的石墨烯厚纤维（GTF）超过数百微米厚度是一个有希望的候选者，可以解决由于较高的热量量，以解决热管理挑战。然而，传统的GTF通常具有较低的导热率和弱的机械性能，归因于板板比对和脆弱的界面粘附。在这里，提出了一种无缝的键合组件（SBA）策略，以使GTF超过数百微米，具有可靠的合并界面。对于厚度为≈250μm的GTF-SBA，平面内和平面导热率分别为925.75和7.03 w m-1 K-1，大约是传统粘合剂组装方法制备的GTF的GTF的两次和12次。此外，GTF-SBA即使在77 k循环到573 K的严酷温度冲击后，也表现出了显着的稳定性，从而确保了其在极端条件下长期服务的环境适应性。这些发现提供了对石墨烯大块材料界面设计的宝贵见解，并突出了高性能石墨烯材料在极端热管理需求中的潜在应用。
基于二维铁电半导体极化切换的高线性和对称突触记忆晶体管
基于人工突触的受脑启发的神经形态计算硬件为执行计算任务提供了有效的解决方案。然而，已报道的人工突触中突触权重更新的非线性和不对称性阻碍了神经网络实现高精度。在此，这项工作开发了一种基于 α -In 2 Se 3 二维 (2D) 铁电半导体 (FES) 中的极化切换的突触记忆晶体管，用于神经形态计算。α -In 2 Se 3 记忆晶体管利用记忆晶体管配置和 FES 通道中电配置极化状态的优势，表现出出色的突触特性，包括近乎理想的线性度和对称性以及大量可编程电导状态。因此，α -In 2 Se 3 记忆晶体管型突触在模拟人工神经网络中的数字模式识别任务中达到了 97.76% 的高精度。这项工作为在先进的神经形态电子学中使用多端 FES 记忆晶体管开辟了新的机遇。
对激光束能曲线的模拟和实验分析，以提高线馈激光沉积的效率
抽象的激光覆层是一项公认的技术，大多数先前的数值建模工作都集中在基于粉末过程的过程中的交付和融化池行为。这项研究对优化的激光束成型进行了新的研究，以针对电线基的独特特性，其中直接底物加热以及电线和底物之间的热传递非常重要。与基于粉末的材料交付相比，该主题的值是通过基于电线的沉积过程来改善的沉积速率和致密的金属结构。线内温度分布（AISI 316不锈钢），底物的传热和直接加热（低碳钢）是通过传热模拟建模的，具有三个激光束辐照度分布。此分析确定了通常与标准高斯分布相关的局部高温区域的去除，以及均匀方形梁曲线可以提供的改进的底物加热。使用横截面光学显微镜分析了使用预位线和1.2 kW CO 2激光器的实验，以提供模型验证和改进的电线覆盖层润湿的证据，同时维持甲壳材料中有良好的抗甲基甲虫。这项工作的关键发现是从480 W/mm 2减少，在从高斯分布更改为均匀的平方分布时，需要辐照辐射，以进行有效的熔融池形成。这也可减少总能量50％。认可和讨论了能源效率，降低成本和可持续性改善的潜在提高。
基于有源电感、具有大输出电压摆幅的高线性度 10 Gb/s MOS 电流模式逻辑驱动器
一些设计挑战[18,19]。有源电感使用晶体管构建，因此电压摆幅低于无源电感，因为晶体管需要较大的电压余量。并且晶体管的非线性特性使有源电感的电感阻抗随偏置点而变化[20]。当有源电感工作在相对较大的电压摆幅下时，输出阻抗的变化很大。为了增加输出电压摆幅，做了一些其他的工作[21-23]。它们克服了阈值电压的限制，因此所需的电压余量降低了，但是晶体管非线性的影响仍然存在。为了使阻抗变化可接受，它们仅对输出电压摆幅提供有限的增加。
3GS/s 高线性节能恒定斜率...
基于时间的信号处理已经成为超深亚微米混合信号电路设计的一种很有前途的解决方案[1]。基于时间的电路受益于CMOS技术的扩展，因为它不受伴随而来的负面影响（例如晶体管的更差的信噪比和更低的固有增益）的影响。它广泛应用于频率生成（数字锁相环）、电源转换器（脉冲宽度调制DC-DC）、数据转换（基于时间的ADC（TBADC））和节能神经网络加速[1]。在基于时间的信号处理的各种应用中，TBADC引起了极大的关注[2]。TBADC具有友好的数字导向，并且在功耗和芯片面积方面比基于电压的ADC具有潜在优势。最近已经报道了几千兆赫的TBADC[1-3]。[2]提出了一种基于余数系统（RNS）的2GS/s 8位TBADC。RNS量化方法减少了比较器的数量，但功耗仍然很高。 [1] 报道了一种两步 1GS/s 8 位 TBADC，功耗为 2.3mW。与其他千兆赫 TBADC [1] 相比，它实现了更好的能效。然而，由于复杂的两步结构，采样率被限制在 1GHz 以下。值得注意的是，电压时间转换器 (VTC) 性能不佳是这些已发布的高速 TBADC 的瓶颈。VTC 的线性度/动态范围、功耗和带宽之间的现有权衡阻碍了高速低功耗 TBADC 设计的进展。