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III 族氮化物InAlN 半导体异质结研究进展
由于在高频和高功率固态微波电源设备中的巨大潜在应用，基于GAN的高电子迁移式晶体管（HEMTS）在过去的二十年中引起了很多关注，并且在实现市场商业化方面取得了巨大进展。为了进一步提高设备性能，尤其是在高压，高级材料和设备制造过程中，提出了新颖的设备结构和设计的高操作频率和设备可靠性。在提出的方法中，由于其独特的优质材料特性，基于Inaln的晶格匹配的异质结构可能成为下一个下摆的首选。在本文中，结合了III III化合物半导体材料和设备领域的相对研究工作，我们简要综述了基于Inaln基于Inaln的异质结构半导体组合的艺术状态的进展。基于对基于INALN的异质结构的外延生长的分析，我们讨论了提出的脉冲（表面反应增强）金属有机化学蒸气沉积（MOCVD）的优势和成就，用于INALN/GAN异质结构的外交。
纳瓦霍族司法部办公室...
盖伊·克拉克 (GUY CLARK)、琳达·科温 (LINDA CORWIN)、克雷格·科温 (CRAIG CORWIN)、理查德·琼斯 (RICHARD JONES)、韦斯利·汉切特 (WESLEY HANCHETT)、迈克尔·赖特 (MICHAEL WRIGHT)，原告 - 上诉人，诉黛布·哈兰德 (DEB HAALAND)，内政部长官方身份；卡米尔·C·图顿 (CAMILLE C. TOUTON)，美国垦务局副局长官方身份；玛莎·威廉姆斯 (MARTHA WILLIAMS)，美国鱼类与野生动物管理局首席副局长官方身份；鲁迪·谢巴拉 (RUDY SHEBALA)，纳瓦霍族自然资源司执行主任官方身份；大卫·泽勒 (DAVID ZELLER)，纳瓦霍族印第安农产品产业负责人官方身份；迈克·哈曼 (MIKE HAMMAN)，新墨西哥州工程师官方身份；罗尔夫·施密特-彼得森 (ROLF SCHMIDT-PETERSEN)，新墨西哥州州际溪流委员会主任官方身份，被告 - 上诉人。
希腊 III-V 族半导体分子束外延
As 4 分子束 在 PBN 管中注入分子 N 2 气体，产生射频功率诱导等离子体 活性 N 2 * 和 N 物种束 主要激发分子物种：E. Iliopoulos 等，J. Cryst. Growth 278, 426 (2005) 来自 Knudsen 室的 Ga 原子束
纳瓦霍族的经济发展幻灯片 1
幻灯片 1：NN 使命声明概述 - 创造有利于促进和发展纳瓦霍族经济的商业、旅游、工业、小型企业和其他部门业务的环境，从而创造就业和商业机会。幻灯片 2：小型企业部门使命声明 - 在地方层面提供服务，促进、发展和支持纳瓦霍族经济的小型企业部门。为广泛客户提供的服务包括当地社区规划、土地撤出和清理、商业场地租赁、场地开发、商业计划制定、贷款、小额贷款、培训和通过审批流程的领导方面的技术援助。
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可再生的异糖型半融合芳族芳族醚聚合物
，可以说是生产接近工程塑料性能的材料的最佳可持续单体之一。19 - 21，由于固定的刚性双环ste-旋转和同层的合成多功能性，其作为与已建立的双氟环烷基芳族苯乙烯（TFVE）单体共聚合的反应性，可产生半氟化的芳烯烯丙基乙烯乙烯乙烯（Fienylene vinylene Ethere）Polymers（Faive）。尽管通常使用双酚来生产最喜欢的聚合物，但已经报道了一些使用原发性脂肪族二醇的例子。22 - 25然而，没有以前的报道曾尝试使用二次或环状脂肪族二醇产生氟芳基芳基乙烯基醚（FAVE）聚体。在此，我们报告了与BIS -TFVE单体的商业异糖层的平均，无金属且有效的台阶增长聚合，以生成含有明显（23 - 31 wt。％）可再生且潜在可生物降解含量的最爱的聚合物。这种类型的半氟化物可以在涂料，光学膜和气体分离技术中找到应用。