机构名称：
¥ 1.0
对于SIC MOSFET和GAN HEMTS，可以利用第三个象限传导能力用于自由式，而无需外部二极管。在这种情况下，第三象限反向传导是通过电源设备的车身二极管或通道进行的，电流从源到排水侧的流动。SIC具有P-I-N身体二极管，但是，GAN没有任何固有的二极管。反向传导通过SIC和GAN的通道发生的固有二极管发生。gan的反向传导特征往往较差，尤其是在应用阳性闸门源偏置的情况下（图2）[3]由于较高的耗尽电压下降的来源。反向导出时间是较高和较低开关之间的停留时间是GAN性能的关键因素之一。
混合gan-sic功率开关可用于最佳开关...
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