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摘要 - 与时相关的可变性现象可以对电路性能产生相当大的影响，尤其是对于深度量表技术。为了解决这个问题，需要对这些现象进行表征和建模。这种表征通常首先在设备级别进行。然后，应从该表征中提取的模型在电路级别进行验证。为此，本文提出了一种在65 nm技术中制造的新型芯片，其中包含一系列6T SRAM细胞。此芯片包含一些使其特别足以表征时间相关变异现象影响的功能。为了证明这种充分性，已经进行了不同的测试，以评估时间依赖性的可变性现象如何影响SRAM细胞的几种相关性能指标。
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