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Yadav,“基于 (S2Ge)1002x(S3Sb2)x (x = 15, 30, 45, 60) 体系的高性能光电检测传感器,用于光电应用”《材料科学杂志:电子材料》,34,第 11 期 (2023):948,2023 年 4 月 12 日,165041,ISSN 编号 1573-482X,影响因子:2.779,SCI 期刊。[5] Rajnish Raj、Pooja Lohia 和 DK Dwivedi,“用于光子
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