机构名称：
¥ 2.0
实现高密度电流、轴向晶体技术、提高输出性能的轴向晶体技术。关于“减轻结构发热影响的高散热技术”的三大要素技术。我们就是从这个时候开始进行基础研究的。在该计划的最后一年，结合了基本技术来演示一种设备，其目标是使产量比传统技术增加一倍。 结果，我们完成了图1所示的所有开发项目，并创建了结合了各种基本技术（例如使用金刚石基板的散热技术）的原型设备（图2）。此外，我们还演示了功率放大器在超过传统 AlGaN/GaN-HEMT 结构的电压下运行，并实现了约传统结构三倍的创新输出密度。 此外，在这项研究中，我们利用 In 基 HEMT（高电子迁移率晶体管）结构展示了毫米波和微波频段的世界最高输出密度。
采购、技术和物流代理
主要关键词
相关文件推荐
