<1 nm：制造超微型晶体管的新方法

研究人员已经克服了光刻的限制。

基础科学研究所（IBS）范德华量子固体中心主任Jo Moon-Ho教授领导的研究团队在纳米技术领域取得重大突破。科学家们开发出一种创新方法，用于外延生长宽度前所未有的小于 1 纳米的一维金属材料。

肠易激综合症 开发了一种创新方法

该工艺已成功应用于创建基于 2D 半导体的新逻辑电路架构。一项关键成就是使用由此产生的一维金属作为超小型晶体管的控制电极。这种方法为电子元件的进一步小型化和提高集成电路的性能开辟了新的机会。

基于二维 (2D) 半导体的器件即使在原子厚度下也表现出优异的性能，是世界各地研究的主要焦点。然而，开发这种能够在几纳米距离内控制电子运动的超微型晶体管提出了重大的技术挑战。

半导体器件的集成度由控制电极的宽度和控制效率决定，控制电极控制晶体管中的电子流动。在传统的半导体制造工艺中，由于光刻的分辨率限制，将控制电极的长度减少到几纳米是不可能的。

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通过外延生长实现的单维金属相是一种可应用于超微型半导体工艺的新工艺，有望成为未来开发各种低功耗、高性能电子器件的关键技术。