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Nexperia 将在汉堡芯片制造工厂投资 2 亿美元
半导体制造商 Nexperia 计划投资 2 亿美元开发下一代宽带隙半导体 (WBG)，例如碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN)，并在汉堡工厂建立生产基础设施。同时，硅 (Si) 二极管和晶体管的晶圆厂产能将增加。投资 […]
来源:机器人与自动化新闻半导体制造商 Nexperia 计划投资 2 亿美元开发下一代宽带隙半导体 (WBG)，例如碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN)，并在汉堡工厂建立生产基础设施。
Nexperia同时，硅 (Si) 二极管和晶体管的晶圆厂产能将增加。 这项投资是与汉堡经济部长 Melanie Leonhard 博士在生产基地成立 100 周年之际共同宣布的。
为满足对高效功率半导体日益增长的长期需求，所有三种技术（SiC、GaN 和 Si）将从 2024 年 6 月开始在德国开发和生产。 这意味着 Nexperia 正在支持电气化和数字化领域的关键技术。
SiC 和 GaN 半导体使数据中心等耗电应用能够以卓越的效率运行，是可再生能源应用和电动汽车的核心构件。
这些 WBG 技术具有巨大的潜力，对于实现脱碳目标越来越重要。
Nexperia 德国首席运营官兼董事总经理 Achim Kempe 表示：“这项投资巩固了我们作为节能半导体领先供应商的地位，使我们能够更负责任地利用可用电能。
“未来，我们的汉堡工厂将覆盖 WBG 半导体的全部产品系列，同时仍是小信号二极管和晶体管的最大工厂。
“我们将继续致力于为标准应用和高耗能应用生产高质量、经济高效的半导体的战略，同时应对我们这一代人面临的最大挑战之一：满足日益增长的能源需求，同时减少环境足迹。”
Nexperia 德国首席财务官兼董事总经理 Stefan Tilger 表示：“这项计划中的投资使我们能够将 WBG 芯片的设计和生产带到汉堡。