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革命石墨烯闪存达到400 picsecond Writes
这是为何重要的：革命性石墨烯闪存达到400个picsecond写作，重新定义超快速，节能存储。
来源:人工智能+革命石墨烯闪存达到400 picsecond Writes
革命性石墨烯闪存达到400 picsecond写作 - 突破性地推动了我们认为在存储速度中可能的界限。想象一个能够比您的思维更快地编写数据的内存设备可以处理思想以保存它。这正是一个工程师和研究人员团队通过利用石墨烯的非凡特性来完成的。如果您是技术爱好者，硬件开发人员，或者只是对数据存储未来着迷的人，那么这种尖端的开发必将吸引您的注意力。
这个革命性创作不仅有望可以更快地计算，而且还表明将来的电子系统将如何存储和访问数据发生巨大的转变。加入我们，当我们分解如何实现这一突破，什么是石墨烯的角色以及这项创新可以何处引导。
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chatgpt的增强记忆：您需要知道400 Picsecond Writes
传统的闪存在数十年中已经显着发展，但它仍然受硅和浮网晶体管的物理限制的约束。 ARC卓越中心未来低能电子技术（Fleet），Monash University和Csiro的研究人员最近引入的创新标志着记忆技术新时代的开始。
新的闪存使用了基于石墨烯的浮闸门结构，该结构可实现400 picseconds的写作速度 - 相当于在第二个间隔的一万亿个时间内写入数据。从角度来看，传统的闪存设备以微秒或纳秒的规模运行。这比基于石墨烯的技术慢了一千到一百万倍。
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