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界面控制的反铁磁隧道连接处为下一代Spintronics
由固态物理学研究所Shao Dingfu教授领导的研究团队是中国科学院的Hefei物理科学研究所，已揭示了一种新的机制，用于使用抗磁性金属界面来实现强大的自旋极化。
来源:英国物理学家网首页Zhao Weiwei，Hefei物理科学学院，中国科学院
由Gaby Clark编辑，由Robert Egan
Gaby Clark 罗伯特·埃根（Robert Egan）由固态物理学研究所Shao Dingfu教授领导的研究团队是中国科学院的Hefei物理科学研究所，已揭示了一种新的机制，用于使用抗磁性金属界面来实现强大的自旋极化。
他们的发现最近发表在牛顿，提出了第三种反铁磁隧道结（AFMTJ）的原型，为更快和更密集的自旋设备铺平了道路。
已发布 牛顿由于电子产品需要较小的尺寸，更高的速度和较低的能量使用，因此使用电子电荷和旋转的旋转型，这是传统设备的强大替代方案。磁性隧道连接（MTJS）是一种关键的旋转技术，已经用于数据存储中，但是由于响应速度缓慢和铁磁零件的不良磁场而导致面部限制。
数据存储抗铁磁（AFM）材料避免了这些问题。它们没有净磁性，没有流浪场和更快的旋转响应，使其非常适合将来设备。但是，当前的AFM隧道连接取决于特定的体积特性，这极大地限制了材料选项。
在这项研究中，团队通过将重点转移到界面效果来解决这一挑战，这些效果通常被低估了。他们发现，通过抑制散装效应，某些AFM材料（尤其是A型抗铁磁铁）可以在光滑和稳定的界面处表现出强大的自旋极化，即使该材料本身缺乏散装的自旋分裂状态。
带结构 更多信息： doi：10.1016/j.newton.2025.100142